产品分类:分立半导体产品,规格:栅极电荷 175nC,
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Renesas Electronics America
IGBT TRENCH 650V 100A TO247A
详细描述:IGBT Trench 650V 100A 375W Through Hole TO-247A
型号:
RJH65D27BDPQ-A0#T2
仓库库存编号:
RJH65D27BDPQ-A0#T2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:栅极电荷 175nC,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 600V 80A 110W TO3PF
详细描述:IGBT Through Hole TO-3PF
型号:
SGF80N60UFTU
仓库库存编号:
SGF80N60UFTU-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:栅极电荷 175nC,
无铅
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IXYS
IGBT 600V 75A 200W ISOPLUS247
详细描述:IGBT PT 600V 75A 200W Through Hole ISOPLUS247?
型号:
IXGR72N60C3D1
仓库库存编号:
IXGR72N60C3D1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:栅极电荷 175nC,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 600V 80A 195W TO3P
详细描述:IGBT 600V 80A 195W Through Hole TO-3PN
型号:
SGH80N60UFTU
仓库库存编号:
SGH80N60UFTU-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:栅极电荷 175nC,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 600V 80A 195W TO3P
详细描述:IGBT 600V 80A 195W Through Hole TO-3PN
型号:
SGH80N60UFDTU
仓库库存编号:
SGH80N60UFDTU-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:栅极电荷 175nC,
无铅
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