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• Infineon Technologies
  IGBT 1200V 80A 483W TO247-3
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 1200V 80A 483W Through Hole PG-TO247-3
  
  型号：IGW40N120H3
  仓库库存编号：IGW40N120H3-ND
  别名：IGW40N120H3FKSA1
  SP000667510
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：栅极电荷 185nC,
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• Infineon Technologies
  IGBT 1200V 80A 483W TO247-3
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 1200V 80A 483W Through Hole PG-TO247-3
  
  型号：IKW40N120H3
  仓库库存编号：IKW40N120H3-ND
  别名：IKW40N120H3FKSA1
  SP000674416
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：栅极电荷 185nC,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 113A 625W TMAX
  详细描述：IGBT PT 1200V 113A 625W Through Hole
  
  型号：APT45GP120B2DQ2G
  仓库库存编号：APT45GP120B2DQ2G-ND
  别名：APT45GP120B2DQ2GMI
  APT45GP120B2DQ2GMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：栅极电荷 185nC,
• 无铅
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• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 100A 625W TO247
  详细描述：IGBT PT 1200V 100A 625W Through Hole TO-247 [B]
  
  型号：APT45GP120BG
  仓库库存编号：APT45GP120BG-ND
  别名：APT45GP120BGMI
  APT45GP120BGMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：栅极电荷 185nC,
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  无铅
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• IXYS
  IGBT 1200V 70A 200W ISOPLUS247
  详细描述：IGBT PT 1200V 70A 200W Through Hole ISOPLUS247?
  
  型号：IXGR55N120A3H1
  仓库库存编号：IXGR55N120A3H1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：栅极电荷 185nC,
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• IXYS
  IGBT 1200V 125A 460W PLUS247
  详细描述：IGBT PT 1200V 125A 460W Through Hole PLUS247?-3
  
  型号：IXGX55N120A3H1
  仓库库存编号：IXGX55N120A3H1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：栅极电荷 185nC,
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• IXYS
  IGBT 1200V 125A 460W TO264
  详细描述：IGBT PT 1200V 125A 460W Through Hole TO-264 (IXGK)
  
  型号：IXGK55N120A3H1
  仓库库存编号：IXGK55N120A3H1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：栅极电荷 185nC,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 300V 180A 480W TO3P
  详细描述：IGBT 300V 180A 480W Through Hole TO-3PN
  
  型号：FGA180N30DTU
  仓库库存编号：FGA180N30DTU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：栅极电荷 185nC,
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