以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 41A 250W TO247
  详细描述：IGBT PT 1200V 41A 250W Through Hole TO-247 [B]
  
  型号：APT13GP120BDQ1G
  仓库库存编号：APT13GP120BDQ1G-ND
  别名：APT13GP120BDQ1GMI
  APT13GP120BDQ1GMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：系列 POWER MOS 7?,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  IGBT 900V 43A 250W TO247
  详细描述：IGBT PT 900V 43A 250W Through Hole TO-247 [B]
  
  型号：APT15GP90BG
  仓库库存编号：APT15GP90BG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：系列 POWER MOS 7?,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 22A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 22A（Tc） 265W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT5024BLLG
  仓库库存编号：APT5024BLLG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：系列 POWER MOS 7?,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  IGBT 900V 72A 417W TO247
  详细描述：IGBT PT 900V 72A 417W Through Hole TO-247 [B]
  
  型号：APT25GP90BG
  仓库库存编号：APT25GP90BG-ND
  别名：APT25GP90BGMI
  APT25GP90BGMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：系列 POWER MOS 7?,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  IGBT 900V 72A 417W TO247
  详细描述：IGBT PT 900V 72A 417W Through Hole TO-247 [B]
  
  型号：APT25GP90BDQ1G
  仓库库存编号：APT25GP90BDQ1G-ND
  别名：APT25GP90BDQ1GMI
  APT25GP90BDQ1GMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：系列 POWER MOS 7?,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 69A 417W TO247
  详细描述：IGBT PT 1200V 69A 417W Through Hole TO-247 [B]
  
  型号：APT25GP120BG
  仓库库存编号：APT25GP120BG-ND
  别名：APT25GP120BGMI
  APT25GP120BGMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：系列 POWER MOS 7?,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  IGBT 600V 100A 463W TO247
  详细描述：IGBT PT 600V 100A 463W Through Hole TO-247 [B]
  
  型号：APT30GP60BG
  仓库库存编号：APT30GP60BG-ND
  别名：APT30GP60BGMP
  APT30GP60BGMP-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：系列 POWER MOS 7?,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  IGBT 600V 100A 543W TO247
  详细描述：IGBT PT 600V 100A 543W Through Hole TO-247 [B]
  
  型号：APT40GP60BG
  仓库库存编号：APT40GP60BG-ND
  别名：APT40GP60BGMI
  APT40GP60BGMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：系列 POWER MOS 7?,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  IGBT 600V 100A 543W D3PAK
  详细描述：IGBT PT 600V 100A 543W Surface Mount D3 [S]
  
  型号：APT40GP60SG
  仓库库存编号：APT40GP60SG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：系列 POWER MOS 7?,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 30A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 30A（Tc） 329W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT5016BLLG
  仓库库存编号：APT5016BLLG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：系列 POWER MOS 7?,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 30A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 30A（Tc） 329W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT5016BFLLG
  仓库库存编号：APT5016BFLLG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：系列 POWER MOS 7?,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 35A D3PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 35A（Tc） 403W（Tc） D3 [S]
  
  型号：APT5014SLLG
  仓库库存编号：APT5014SLLG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：系列 POWER MOS 7?,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  IGBT 600V 100A 625W TO247
  详细描述：IGBT PT 600V 100A 625W Through Hole TO-247 [B]
  
  型号：APT50GP60BG
  仓库库存编号：APT50GP60BG-ND
  别名：APT50GP60BGMI
  APT50GP60BGMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：系列 POWER MOS 7?,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 46A（Tc） 520W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT5010B2LLG
  仓库库存编号：APT5010B2LLG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：系列 POWER MOS 7?,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  IGBT 900V 101A 543W TMAX
  详细描述：IGBT PT 900V 101A 543W Through Hole
  
  型号：APT40GP90B2DQ2G
  仓库库存编号：APT40GP90B2DQ2G-ND
  别名：APT40GP90B2DQ2GMI
  APT40GP90B2DQ2GMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：系列 POWER MOS 7?,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 12A（Tc） 298W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT10090BFLLG
  仓库库存编号：APT10090BFLLG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：系列 POWER MOS 7?,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  IGBT 600V 198A 833W TO264
  详细描述：IGBT PT 600V 198A 833W Through Hole
  
  型号：APT65GP60L2DQ2G
  仓库库存编号：APT65GP60L2DQ2G-ND
  别名：APT65GP60L2DQ2GMI
  APT65GP60L2DQ2GMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：系列 POWER MOS 7?,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 9A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 1200V 9A（Tc） 300W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT1201R4BFLLG
  仓库库存编号：APT1201R4BFLLG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：系列 POWER MOS 7?,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 35A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 35A（Tc） 500W（Tc） TO-264 [L]
  
  型号：APT6017LLLG
  仓库库存编号：APT6017LLLG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：系列 POWER MOS 7?,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1000V 14A（Tc） 403W（Tc） D3 [S]
  
  型号：APT10078SLLG
  仓库库存编号：APT10078SLLG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：系列 POWER MOS 7?,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 35A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 35A（Tc） 500W（Tc） TO-264 [L]
  
  型号：APT6017LFLLG
  仓库库存编号：APT6017LFLLG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：系列 POWER MOS 7?,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 67A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 67A（Tc） 694W（Tc） TO-264 [L]
  
  型号：APT50M65LLLG
  仓库库存编号：APT50M65LLLG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：系列 POWER MOS 7?,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 67A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 67A（Tc） 694W（Tc） TO-264 [L]
  
  型号：APT50M65LFLLG
  仓库库存编号：APT50M65LFLLG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：系列 POWER MOS 7?,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 43A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 43A（Tc） 565W（Tc） TO-264 [L]
  
  型号：APT6013LLLG
  仓库库存编号：APT6013LLLG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：系列 POWER MOS 7?,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  IGBT 600V 67A 245W SOT227
  详细描述：IGBT Module PT Single 600V 67A 245W Chassis Mount ISOTOP?
  
  型号：APT30GP60JDQ1
  仓库库存编号：APT30GP60JDQ1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：系列 POWER MOS 7?,
• 无铅
• 搜索