产品分类:分立半导体产品,规格:系列 OptiMOS??,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(1485)
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
(63)
晶体管 - FET,MOSFET - 单
(1422)
筛选品牌
Infineon Technologies (1485)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 18A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 5.3A(Ta),18A(Tc) 29W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC440N10NS3GATMA1
仓库库存编号:
BSC440N10NS3GATMA1CT-ND
别名:BSC440N10NS3 GCT
BSC440N10NS3 GCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:系列 OptiMOS??,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 27A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 27A(Tc) 68W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD400N06NGBTMA1
仓库库存编号:
IPD400N06NGBTMA1CT-ND
别名:IPD400N06NG
IPD400N06NGINCT
IPD400N06NGINCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:系列 OptiMOS??,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 50A(Tc) 47W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD075N03LGBTMA1
仓库库存编号:
IPD075N03LGBTMA1-ND
别名:SP000249747
产品分类:分立半导体产品,规格:系列 OptiMOS??,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 22A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 22A(Tc) 31W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB22N03S4L15ATMA1
仓库库存编号:
IPB22N03S4L15ATMA1TR-ND
别名:IPB22N03S4L-15
IPB22N03S4L-15-ND
IPB22N03S4L-15INTR
IPB22N03S4L-15INTR-ND
SP000275308
产品分类:分立半导体产品,规格:系列 OptiMOS??,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 50A(Tc) 56W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD060N03LGBTMA1
仓库库存编号:
IPD060N03LGBTMA1-ND
别名:SP000236948
产品分类:分立半导体产品,规格:系列 OptiMOS??,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 17A(Ta) 2.1W(Ta) PG-TDSON-8
型号:
BSZ0589NSATMA1
仓库库存编号:
BSZ0589NSATMA1-ND
别名:SP001586396
产品分类:分立半导体产品,规格:系列 OptiMOS??,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 100W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD30N03S2L10ATMA1
仓库库存编号:
IPD30N03S2L10ATMA1TR-ND
别名:IPD30N03S2L-10
IPD30N03S2L-10-ND
SP000254465
产品分类:分立半导体产品,规格:系列 OptiMOS??,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V SAWN BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC042N03L3X1SA1
仓库库存编号:
IPC042N03L3X1SA1-ND
别名:SP000448976
产品分类:分立半导体产品,规格:系列 OptiMOS??,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V SAWN BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC045N10L3X1SA1
仓库库存编号:
IPC045N10L3X1SA1-ND
别名:SP001187424
产品分类:分立半导体产品,规格:系列 OptiMOS??,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V SAWN BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC045N10N3X1SA1
仓库库存编号:
IPC045N10N3X1SA1-ND
别名:SP000900304
产品分类:分立半导体产品,规格:系列 OptiMOS??,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 22A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 22A(Ta),84A(Tc) 2.8W(Ta),78W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC032NE2LSATMA1
仓库库存编号:
BSC032NE2LSATMA1CT-ND
别名:BSC032NE2LSCT
BSC032NE2LSCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:系列 OptiMOS??,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 21A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 21A(Ta),72A(Tc) 2.5W(Ta),30W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC0504NSIATMA1
仓库库存编号:
BSC0504NSIATMA1-ND
别名:SP001288146
产品分类:分立半导体产品,规格:系列 OptiMOS??,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 7.4A 8DSO
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 7.4A(Ta) 1.56W(Ta) PG-DSO-8
型号:
BSO200P03SHXUMA1
仓库库存编号:
BSO200P03SHXUMA1TR-ND
别名:BSO200P03S H
BSO200P03S H-ND
SP000613850
产品分类:分立半导体产品,规格:系列 OptiMOS??,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 16A 8DSO
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 16A(Ta) 1.56W(Ta) PG-DSO-8
型号:
BSO040N03MSGXUMA1
仓库库存编号:
BSO040N03MSGXUMA1TR-ND
别名:BSO040N03MS G
BSO040N03MS G-ND
SP000446070
产品分类:分立半导体产品,规格:系列 OptiMOS??,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 30A(Tc) 100W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD30N06S223ATMA2
仓库库存编号:
IPD30N06S223ATMA2-ND
别名:SP001061722
产品分类:分立半导体产品,规格:系列 OptiMOS??,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 22A 2WDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 22A(Ta),69A(Tc) 2.2W(Ta),28W(Tc) MG-WDSON-2,CanPAK M?
型号:
BSF035NE2LQXUMA1
仓库库存编号:
BSF035NE2LQXUMA1-ND
别名:SP001034234
产品分类:分立半导体产品,规格:系列 OptiMOS??,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 12A(Ta) 1.6W(Ta) PG-DSO-8
型号:
BSO080P03NS3EGXUMA1
仓库库存编号:
BSO080P03NS3EGXUMA1CT-ND
别名:BSO080P03NS3E GCT
BSO080P03NS3E GCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:系列 OptiMOS??,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 47A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 47A(Tc) 36W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC094N06LS5ATMA1
仓库库存编号:
BSC094N06LS5ATMA1-ND
别名:SP001458086
产品分类:分立半导体产品,规格:系列 OptiMOS??,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 12A(Ta) 1.6W(Ta) PG-DSO-8
型号:
BSO080P03NS3GXUMA1
仓库库存编号:
BSO080P03NS3GXUMA1CT-ND
别名:BSO080P03NS3 GCT
BSO080P03NS3 GCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:系列 OptiMOS??,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 50A(Tc) 68W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD050N03LGATMA1
仓库库存编号:
IPD050N03LGATMA1CT-ND
别名:IPD050N03LGINCT
IPD050N03LGINCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:系列 OptiMOS??,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 50A(Tc) 68W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD050N03LGBTMA1
仓库库存编号:
IPD050N03LGBTMA1-ND
别名:SP000254716
产品分类:分立半导体产品,规格:系列 OptiMOS??,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 18A 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 18A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),30W(Tc) PG-TSDSON-8-FL
型号:
BSZ033NE2LS5ATMA1
仓库库存编号:
BSZ033NE2LS5ATMA1-ND
别名:SP001288158
产品分类:分立半导体产品,规格:系列 OptiMOS??,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 90A(Tc) 79W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD040N03LGBTMA1
仓库库存编号:
IPD040N03LGBTMA1-ND
别名:SP000254715
产品分类:分立半导体产品,规格:系列 OptiMOS??,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 19A 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 19A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),30W(Tc) PG-TSDSON-8-FL
型号:
BSZ031NE2LS5ATMA1
仓库库存编号:
BSZ031NE2LS5ATMA1-ND
别名:SP001385378
产品分类:分立半导体产品,规格:系列 OptiMOS??,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 22A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 22A(Ta),88A(Tc) 2.5W(Ta),36W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC0503NSIATMA1
仓库库存编号:
BSC0503NSIATMA1-ND
别名:SP001288144
产品分类:分立半导体产品,规格:系列 OptiMOS??,
无铅
搜索
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号