产品分类：分立半导体产品,规格：系列 OptiMOS??,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(1485)
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
(63)
晶体管 - FET，MOSFET - 单
(1422)
筛选品牌
Infineon Technologies (1485)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A
详细描述：通孔 N 沟道 100V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI030N10N3GXKSA1
仓库库存编号：
IPI030N10N3GXKSA1-ND
别名：SP000680648
产品分类：分立半导体产品,规格：系列 OptiMOS??,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 120A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 120V 120A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI041N12N3GAKSA1
仓库库存编号：
IPI041N12N3GAKSA1-ND
别名：IPI041N12N3 G
IPI041N12N3 G-ND
IPI041N12N3G
SP000652748
产品分类：分立半导体产品,规格：系列 OptiMOS??,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 136A TO263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 136A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-7
型号：
IPB060N15N5ATMA1
仓库库存编号：
IPB060N15N5ATMA1-ND
别名：SP001607814
产品分类：分立半导体产品,规格：系列 OptiMOS??,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V BARE DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 1A（Tj） 带箔切割晶片
型号：
IPC302N20N3X1SA1
仓库库存编号：
IPC302N20N3X1SA1-ND
别名：SP000619656
产品分类：分立半导体产品,规格：系列 OptiMOS??,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 79A TO220-FP
详细描述：通孔 N 沟道 100V 79A（Tc） 41W（Tc） PG-TO220-FP
型号：
IPA030N10N3 G
仓库库存编号：
IPA030N10N3 G-ND
别名：IPA030N10N3G
IPA030N10N3GXKSA1
SP000464914
产品分类：分立半导体产品,规格：系列 OptiMOS??,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V BARE DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 1A（Tj） 带箔切割晶片
型号：
IPC302N25N3X1SA1
仓库库存编号：
IPC302N25N3X1SA1-ND
别名：SP000870638
产品分类：分立半导体产品,规格：系列 OptiMOS??,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V BARE DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 1A（Tj） 带箔切割晶片
型号：
IPC302N20NFDX1SA1
仓库库存编号：
IPC302N20NFDX1SA1-ND
别名：SP001363494
产品分类：分立半导体产品,规格：系列 OptiMOS??,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V BARE DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 1A（Tj） 带箔切割晶片
型号：
IPC302N25N3AX1SA1
仓库库存编号：
IPC302N25N3AX1SA1-ND
别名：SP000691616
产品分类：分立半导体产品,规格：系列 OptiMOS??,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 120V 8HSOF
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 300A（Tc） 375W（Tc） PG-HSOF-8-1
型号：
IAUT300N08S5N012ATMA2
仓库库存编号：
IAUT300N08S5N012ATMA2-ND
别名：SP001585160
产品分类：分立半导体产品,规格：系列 OptiMOS??,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 120A（Tc） 313W（Tc） PG-TO263-3
型号：
IPB048N15N5LFATMA1
仓库库存编号：
IPB048N15N5LFATMA1-ND
别名：SP001503860
产品分类：分立半导体产品,规格：系列 OptiMOS??,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 88A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 200V 88A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI110N20N3GAKSA1
仓库库存编号：
IPI110N20N3GAKSA1-ND
别名：IPI110N20N3 G
IPI110N20N3 G-ND
IPI110N20N3G
SP000714304
产品分类：分立半导体产品,规格：系列 OptiMOS??,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 300V 44A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3
型号：
IPB407N30NATMA1
仓库库存编号：
IPB407N30NATMA1-ND
别名：SP001273344
产品分类：分立半导体产品,规格：系列 OptiMOS??,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 64A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 250V 64A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI200N25N3 G
仓库库存编号：
IPI200N25N3 G-ND
别名：IPI200N25N3G
IPI200N25N3GAKSA1
SP000714308
产品分类：分立半导体产品,规格：系列 OptiMOS??,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 300V 44A（Tc） 300W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP410N30NAKSA1
仓库库存编号：
IPP410N30NAKSA1-ND
别名：SP001082134
产品分类：分立半导体产品,规格：系列 OptiMOS??,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 30V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI100N03S2L-03
仓库库存编号：
SPI100N03S2L-03-ND
别名：Q1620887
产品分类：分立半导体产品,规格：系列 OptiMOS??,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 80A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 25V 80A（Tc） 107W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI04N03LA
仓库库存编号：
IPI04N03LAIN-ND
别名：IPI04N03LAIN
IPI04N03LAX
IPI04N03LAX-ND
SP000014355
产品分类：分立半导体产品,规格：系列 OptiMOS??,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 42A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 30V 42A（Tc） 83W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP42N03S2L-13
仓库库存编号：
SPP42N03S2L-13IN-ND
别名：SPP42N03S2L-13IN
产品分类：分立半导体产品,规格：系列 OptiMOS??,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 73A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 30V 73A（Tc） 107W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP73N03S2L08XK
仓库库存编号：
SPP73N03S2L08XK-ND
别名：SP000013465
SPP73N03S2L-08
SPP73N03S2L-08IN
SPP73N03S2L-08IN-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：系列 OptiMOS??,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO-251
详细描述：通孔 N 沟道 30V 30A（Tc） 82W（Tc） P-TO251-3
型号：
SPU30N03S2L-10
仓库库存编号：
SPU30N03S2L-10IN-ND
别名：SP000013467
SPU30N03S2L-10IN
SPU30N03S2L-10XTIN
SPU30N03S2L-10XTIN-ND
SPU30N03S2L10X
产品分类：分立半导体产品,规格：系列 OptiMOS??,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 30V 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP80N03S2L-06
仓库库存编号：
SPP80N03S2L-06IN-ND
别名：SP000014061
SPP80N03S2L-06IN
SPP80N03S2L-06XTIN
SPP80N03S2L-06XTIN-ND
SPP80N03S2L06X
产品分类：分立半导体产品,规格：系列 OptiMOS??,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 30V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP100N03S2L-03
仓库库存编号：
SPP100N03S2L-03IN-ND
别名：SPP100N03S2L-03IN
产品分类：分立半导体产品,规格：系列 OptiMOS??,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 30V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP100N03S2-03
仓库库存编号：
SPP100N03S2-03IN-ND
别名：SPP100N03S2-03IN
产品分类：分立半导体产品,规格：系列 OptiMOS??,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A TO-251
详细描述：通孔 N 沟道 25V 50A（Tc） 63W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPU09N03LA G
仓库库存编号：
IPU09N03LAGIN-ND
别名：IPU09N03LA
IPU09N03LAGIN
IPU09N03LAGX
IPU09N03LAGXTIN
IPU09N03LAGXTIN-ND
IPU09N03LAIN
IPU09N03LAIN-ND
SP000017511
产品分类：分立半导体产品,规格：系列 OptiMOS??,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 80A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 25V 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP03N03LA
仓库库存编号：
IPP03N03LAIN-ND
别名：IPP03N03LAIN
IPP03N03LAX
IPP03N03LAXTIN
IPP03N03LAXTIN-ND
SP000014035
产品分类：分立半导体产品,规格：系列 OptiMOS??,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A TO-251
详细描述：通孔 N 沟道 25V 30A（Tc） 83W（Tc） P-TO251-3
型号：
IPU07N03LA
仓库库存编号：
IPU07N03LAIN-ND
别名：IPU07N03LAIN
产品分类：分立半导体产品,规格：系列 OptiMOS??,
含铅
搜索
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
