产品分类:分立半导体产品,规格:系列 OptiMOS??,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(1485)
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
(63)
晶体管 - FET,MOSFET - 单
(1422)
筛选品牌
Infineon Technologies (1485)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 28A(Ta),100A(Tc) 2.8W(Ta),104W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC022N03S
仓库库存编号:
BSC022N03S-ND
别名:BSC022N03ST
SP000014713
产品分类:分立半导体产品,规格:系列 OptiMOS??,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 27A(Ta),100A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC024N025S G
仓库库存编号:
BSC024N025S G-ND
别名:BSC024N025SGXT
SP000095464
产品分类:分立半导体产品,规格:系列 OptiMOS??,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 25A(Ta),100A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC027N03S G
仓库库存编号:
BSC027N03S G-ND
别名:BSC027N03SGXT
SP000095462
产品分类:分立半导体产品,规格:系列 OptiMOS??,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 23A(Ta),100A(Tc) 2.8W(Ta),78W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC032N03S
仓库库存编号:
BSC032N03S-ND
别名:BSC032N03ST
SP000014714
产品分类:分立半导体产品,规格:系列 OptiMOS??,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 21A(Ta),100A(Tc) 2.8W(Ta),69W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC037N025S G
仓库库存编号:
BSC037N025S G-ND
别名:BSC037N025SGXT
SP000095466
产品分类:分立半导体产品,规格:系列 OptiMOS??,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 18A(Ta),80A(Tc) 2.8W(Ta),54W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC052N03S G
仓库库存编号:
BSC052N03S G-ND
别名:BSC052N03SGXT
SP000056192
产品分类:分立半导体产品,规格:系列 OptiMOS??,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 40A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 15A(Ta),40A(Tc) 2.8W(Ta),60W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC072N025S G
仓库库存编号:
BSC072N025S G-ND
别名:BSC072N025SGXT
SP000095468
产品分类:分立半导体产品,规格:系列 OptiMOS??,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 35A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 14A(Ta),35A(Tc) 2.8W(Ta),52W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC085N025S G
仓库库存编号:
BSC085N025S G-ND
别名:BSC085N025SGXT
SP000095469
产品分类:分立半导体产品,规格:系列 OptiMOS??,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 14.6A(Ta),35A(Tc) 2.8W(Ta),52W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC094N03S G
仓库库存编号:
BSC094N03S G-ND
别名:BSC094N03SGXT
SP000016415
产品分类:分立半导体产品,规格:系列 OptiMOS??,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 13A(Ta),30A(Tc) 2.8W(Ta),43W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC106N025S G
仓库库存编号:
BSC106N025S G-ND
别名:BSC106N025SGXT
SP000095470
产品分类:分立半导体产品,规格:系列 OptiMOS??,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 12A 8DSO
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 12A(Ta) 1.56W(Ta) PG-DSO-8
型号:
BSO064N03S
仓库库存编号:
BSO064N03S-ND
别名:BSO064N03SXT
SP000077646
产品分类:分立半导体产品,规格:系列 OptiMOS??,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 10A 8DSO
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 10A(Ta) 1.56W(Ta) PG-DSO-8
型号:
BSO094N03S
仓库库存编号:
BSO094N03S-ND
别名:BSO094N03SNT
BSO094N03SXT
SP000077648
产品分类:分立半导体产品,规格:系列 OptiMOS??,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 10A 8DSO
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 10A(Tc) 1.56W(Ta) PG-DSO-8
型号:
BSO104N03S
仓库库存编号:
BSO104N03S-ND
别名:BSO104N03SNT
BSO104N03SXT
SP000077649
产品分类:分立半导体产品,规格:系列 OptiMOS??,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 9.2A 8DSO
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 9.2A(Ta) 1.56W(Ta) P-DSO-8
型号:
BSO130P03SNTMA1
仓库库存编号:
BSO130P03SNTMA1TR-ND
别名:BSO130P03S
BSO130P03S-ND
BSO130P03SNT
BSO130P03ST
SP000014729
产品分类:分立半导体产品,规格:系列 OptiMOS??,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 7.4A 8DSO
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 7.4A(Ta) 1.56W(Ta) PG-DSO-8
型号:
BSO200P03SNTMA1
仓库库存编号:
BSO200P03SNTMA1TR-ND
别名:BSO200P03S
BSO200P03S-ND
BSO200P03SNT
BSO200P03ST
SP000014959
产品分类:分立半导体产品,规格:系列 OptiMOS??,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 30V 8.2A 8DSO
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 8.2A 2W Surface Mount P-DSO-8
型号:
BSO303PNTMA1
仓库库存编号:
BSO303PNTMA1TR-ND
别名:BSO303P
BSO303P-ND
BSO303PNT
BSO303PT
SP000012622
产品分类:分立半导体产品,规格:系列 OptiMOS??,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 5.2A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 5.2A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP603S2LHUMA1
仓库库存编号:
BSP603S2LHUMA1-ND
别名:BSP603S2L
BSP603S2L-ND
BSP603S2LT
SP000013597
产品分类:分立半导体产品,规格:系列 OptiMOS??,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 2.8A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP615S2L
仓库库存编号:
BSP615S2L-ND
别名:BSP615S2LT
SP000013181
SP000440622
产品分类:分立半导体产品,规格:系列 OptiMOS??,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 80A(Tc) 150W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB03N03LA
仓库库存编号:
IPB03N03LA-ND
别名:IPB03N03LAT
SP000014034
产品分类:分立半导体产品,规格:系列 OptiMOS??,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 80A(Tc) 150W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB03N03LB
仓库库存编号:
IPB03N03LB-ND
别名:IPB03N03LBT
SP000074722
产品分类:分立半导体产品,规格:系列 OptiMOS??,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 80A(Tc) 107W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB04N03LB
仓库库存编号:
IPB04N03LB-ND
别名:IPB04N03LBT
SP000064219
产品分类:分立半导体产品,规格:系列 OptiMOS??,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 80A(Tc) 107W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB04N03LB G
仓库库存编号:
IPB04N03LB G-ND
别名:IPB04N03LBGXT
SP000103301
产品分类:分立半导体产品,规格:系列 OptiMOS??,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 80A(Tc) 94W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB05N03LA G
仓库库存编号:
IPB05N03LA G-ND
别名:IPB05N03LAGXT
SP000068872
产品分类:分立半导体产品,规格:系列 OptiMOS??,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 80A(Tc) 94W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB05N03LB
仓库库存编号:
IPB05N03LB-ND
别名:IPB05N03LBT
SP000065206
产品分类:分立半导体产品,规格:系列 OptiMOS??,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 80A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB065N06L G
仓库库存编号:
IPB065N06L G-ND
别名:IPB063N06LGXT
IPB065N06LGXT
SP000204183
产品分类:分立半导体产品,规格:系列 OptiMOS??,
无铅
搜索
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号