产品分类:分立半导体产品,品牌:NXP USA Inc.,规格:包装 带盒(TB) ,
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NXP USA Inc.
JFET P-CH 30V 400MW TO92-3
详细描述:JFET P-Channel 30V 400mW Through Hole TO-92
型号:
J177,126
仓库库存编号:
J177,126-ND
别名:934005320126
J177 AMO
J177 AMO-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:NXP USA Inc.,规格:包装 带盒(TB) ,
无铅
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NXP USA Inc.
JFET P-CH 30V 0.4W TO92
详细描述:JFET P-Channel 30V 400mW Through Hole TO-92
型号:
J175,116
仓库库存编号:
J175,116-ND
别名:934005300116
J175 T/R
J175 T/R-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:NXP USA Inc.,规格:包装 带盒(TB) ,
无铅
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NXP USA Inc.
JFET N-CH 40V 400MW TO92-3
详细描述:JFET N-Channel 40V 400mW Through Hole TO-92-3
型号:
J112,126
仓库库存编号:
J112,126-ND
别名:934005270126
J112 AMO
J112 AMO-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:NXP USA Inc.,规格:包装 带盒(TB) ,
无铅
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NXP USA Inc.
JFET N-CH 30V 15MA TO92
详细描述:RF Mosfet N-Channel JFET 15V 100MHz TO-92-3
型号:
BF245B,126
仓库库存编号:
BF245B,126-ND
别名:933114330126
BF245B AMO
BF245B AMO-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:NXP USA Inc.,规格:包装 带盒(TB) ,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 200V 300MA SOT54
详细描述:通孔 N 沟道 200V 300mA(Ta) 1W(Ta) TO-92-3
型号:
BS108,126
仓库库存编号:
BS108,126-ND
别名:934003840126
BS108 AMO
BS108 AMO-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:NXP USA Inc.,规格:包装 带盒(TB) ,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 200V 300MA SOT54
详细描述:通孔 N 沟道 200V 300mA(Ta) 1W(Ta) TO-92-3
型号:
BS108/01,126
仓库库存编号:
BS108/01,126-ND
别名:934009850126
BS108/01 AMO
BS108/01 AMO-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:NXP USA Inc.,规格:包装 带盒(TB) ,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 250V 310MA SOT54
详细描述:通孔 N 沟道 250V 310mA(Ta) 1W(Ta) TO-92-3
型号:
BSN254,126
仓库库存编号:
BSN254,126-ND
别名:934004930126
BSN254 AMO
BSN254 AMO-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:NXP USA Inc.,规格:包装 带盒(TB) ,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 250V 310MA SOT54
详细描述:通孔 N 沟道 250V 310mA(Ta) 1W(Ta) TO-92-3
型号:
BSN254A,126
仓库库存编号:
BSN254A,126-ND
别名:934003960126
BSN254A AMO
BSN254A AMO-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:NXP USA Inc.,规格:包装 带盒(TB) ,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 300V 300MA SOT54
详细描述:通孔 N 沟道 300V 300mA(Ta) 1W(Ta) TO-92-3
型号:
BSN304,126
仓库库存编号:
BSN304,126-ND
别名:934023530126
BSN304 AMO
BSN304 AMO-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:NXP USA Inc.,规格:包装 带盒(TB) ,
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NXP USA Inc.
THYRISTOR 200V 0.8A SOT54
详细描述:SCR 200V 800mA Sensitive Gate Through Hole TO-92-3
型号:
BT149B,126
仓库库存编号:
BT149B,126-ND
别名:933552420126
BT149B AMO
BT149B AMO-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:NXP USA Inc.,规格:包装 带盒(TB) ,
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NXP USA Inc.
JFET N-CH 25V 0.4W SOT54
详细描述:JFET N-Channel 25V 400mW Through Hole TO-92-3
型号:
J109,126
仓库库存编号:
J109,126-ND
别名:934003860126
J109 AMO
J109 AMO-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:NXP USA Inc.,规格:包装 带盒(TB) ,
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NXP USA Inc.
TRANS NPN 80V 0.5A SOT54
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 500mA 100MHz 625mW Through Hole TO-92-3
型号:
MPSA06,126
仓库库存编号:
MPSA06,126-ND
别名:933498980126
MPSA06 AMO
MPSA06 AMO-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:NXP USA Inc.,规格:包装 带盒(TB) ,
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NXP USA Inc.
TRANS NPN 300V 0.1A SOT54
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 300V 100mA 50MHz 500mW Through Hole TO-92-3
型号:
MPSA42,126
仓库库存编号:
MPSA42,126-ND
别名:933274320126
MPSA42 AMO
MPSA42 AMO-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:NXP USA Inc.,规格:包装 带盒(TB) ,
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NXP USA Inc.
TRANS PNP 300V 0.1A SOT54
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 300V 100mA 50MHz 625mW Through Hole TO-92-3
型号:
MPSA92,126
仓库库存编号:
MPSA92,126-ND
别名:933431190126
MPSA92 AMO
MPSA92 AMO-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:NXP USA Inc.,规格:包装 带盒(TB) ,
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NXP USA Inc.
TRANS NPN 40V 1A SOT54
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 40V 1A 150MHz 830mW Through Hole TO-92-3
型号:
PBSS4140S,126
仓库库存编号:
PBSS4140S,126-ND
别名:934056903126
PBSS4140S AMO
PBSS4140S AMO-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:NXP USA Inc.,规格:包装 带盒(TB) ,
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NXP USA Inc.
TRANS PNP 40V 1A SOT54
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 40V 1A 150MHz 830mW Through Hole TO-92-3
型号:
PBSS5140S,126
仓库库存编号:
PBSS5140S,126-ND
别名:934056904126
PBSS5140S AMO
PBSS5140S AMO-ND
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号:
PDTA114ES,126
仓库库存编号:
PDTA114ES,126-ND
别名:934047380126
PDTA114ES AMO
PDTA114ES AMO-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:NXP USA Inc.,规格:包装 带盒(TB) ,
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号:
PDTA114TS,126
仓库库存编号:
PDTA114TS,126-ND
别名:934047390126
PDTA114TS AMO
PDTA114TS AMO-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:NXP USA Inc.,规格:包装 带盒(TB) ,
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号:
PDTA124ES,126
仓库库存编号:
PDTA124ES,126-ND
别名:934047370126
PDTA124ES AMO
PDTA124ES AMO-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:NXP USA Inc.,规格:包装 带盒(TB) ,
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号:
PDTA144ES,126
仓库库存编号:
PDTA144ES,126-ND
别名:934047350126
PDTA144ES AMO
PDTA144ES AMO-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:NXP USA Inc.,规格:包装 带盒(TB) ,
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号:
PDTB113ES,126
仓库库存编号:
PDTB113ES,126-ND
别名:934059144126
PDTB113ES AMO
PDTB113ES AMO-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:NXP USA Inc.,规格:包装 带盒(TB) ,
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号:
PDTB113ZS,126
仓库库存编号:
PDTB113ZS,126-ND
别名:934059146126
PDTB113ZS AMO
PDTB113ZS AMO-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:NXP USA Inc.,规格:包装 带盒(TB) ,
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号:
PDTB123ES,126
仓库库存编号:
PDTB123ES,126-ND
别名:934059142126
PDTB123ES AMO
PDTB123ES AMO-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:NXP USA Inc.,规格:包装 带盒(TB) ,
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号:
PDTB123TS,126
仓库库存编号:
PDTB123TS,126-ND
别名:934059727126
PDTB123TS AMO
PDTB123TS AMO-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:NXP USA Inc.,规格:包装 带盒(TB) ,
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号:
PDTB123YS,126
仓库库存编号:
PDTB123YS,126-ND
别名:934059148126
PDTB123YS AMO
PDTB123YS AMO-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:NXP USA Inc.,规格:包装 带盒(TB) ,
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