产品分类:分立半导体产品,规格:包装 托盘 ,
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IXYS
DIODE MODULE 1.6KV 883A
详细描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 1600V 883A Chassis Mount Module
型号:
MDK600-16N1
仓库库存编号:
MDK600-16N1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 托盘 ,
无铅
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IXYS
DIODE MODULE 1.8KV 883A
详细描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 1800V 883A Chassis Mount Module
型号:
MDK600-18N1
仓库库存编号:
MDK600-18N1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 托盘 ,
无铅
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IXYS
DIODE MODULE 2KV 883A
详细描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 2000V 883A Chassis Mount Module
型号:
MDK600-20N1
仓库库存编号:
MDK600-20N1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 托盘 ,
无铅
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IXYS
DIODE MODULE 2.2KV 883A
详细描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 2200V 883A Chassis Mount Module
型号:
MDK600-22N1
仓库库存编号:
MDK600-22N1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 托盘 ,
无铅
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IXYS
DIODE MODULE 1.4KV Y1-CU
详细描述:标准 底座安装 二极管 1400V Y1-CU
型号:
MDO1200-14N1
仓库库存编号:
MDO1200-14N1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 托盘 ,
无铅
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IXYS
DIODE MODULE 1.6KV Y1-CU
详细描述:标准 底座安装 二极管 1600V Y1-CU
型号:
MDO1200-16N1
仓库库存编号:
MDO1200-16N1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 托盘 ,
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IXYS
DIODE MODULE 1.8KV Y1-CU
详细描述:标准 底座安装 二极管 1800V Y1-CU
型号:
MDO1200-18N1
仓库库存编号:
MDO1200-18N1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 托盘 ,
无铅
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IXYS
DIODE MODULE 2KV Y1-CU
详细描述:标准 底座安装 二极管 2000V Y1-CU
型号:
MDO1200-20N1
仓库库存编号:
MDO1200-20N1-ND
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IXYS
DIODE MODULE 2.2KV Y1-CU
详细描述:标准 底座安装 二极管 2200V Y1-CU
型号:
MDO1200-22N1
仓库库存编号:
MDO1200-22N1-ND
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无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 1900A Y3-LI
详细描述:底座安装 N 沟道 200V 1900A(Tc) Y3-Li
型号:
VMO1600-02P
仓库库存编号:
VMO1600-02P-ND
别名:VMO160002P
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STMicroelectronics
DIODE BRIDGE 1000V 60KHZ ISOTOP
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 1000V 35A Chassis Mount ISOTOP?
型号:
BF3510TV
仓库库存编号:
BF3510TV-ND
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GPP 1PH 6A 600V GBU
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 600V 2.8A Through Hole GBU
型号:
G5SBA60-E3/51
仓库库存编号:
G5SBA60-E3/51-ND
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GPP 1PH 6A 800V GBU
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 800V 2.8A Through Hole GBU
型号:
G5SBA80-E3/51
仓库库存编号:
G5SBA80-E3/51-ND
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GPP 1PH 4A 50V GPP GBU
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 50V 3A Through Hole GBU
型号:
GBU4A-E3/51
仓库库存编号:
GBU4A-E3/51-ND
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GPP 6A 50V GPP INLINE 4SIP
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 50V 3.8A Through Hole GBU
型号:
GBU6A-E3/51
仓库库存编号:
GBU6A-E3/51-ND
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GPP 8A 50V GPP INLINE GBU
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 50V 3.9A Through Hole GBU
型号:
GBU8A-E3/51
仓库库存编号:
GBU8A-E3/51-ND
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 20A TO-3PB
详细描述:通孔 N 沟道 500V 20A(Ta) 2.5W(Ta),170W(Tc) TO-3PB
型号:
2SK4124
仓库库存编号:
869-1070-ND
别名:869-1070
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 17A TO-3PB
详细描述:通孔 N 沟道 600V 17A(Ta) 2.5W(Ta),170W(Tc) TO-3PB
型号:
2SK4125
仓库库存编号:
869-1071-ND
别名:869-1071
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 托盘 ,
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Broadcom Limited
TRANSISTOR NPN BIPOLAR CHIP
详细描述:RF Transistor NPN 12V 80mA 9GHz 600mW Surface Mount Chip
型号:
AT-42000-GP4
仓库库存编号:
516-2368-ND
别名:516-2368
AT-42000-GP4-ND
AT42000GP4
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 托盘 ,
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Broadcom Limited
TRANSISTOR NPN BIPOLAR CHIP
详细描述:RF Transistor NPN 20V 200mA 3W Surface Mount
型号:
AT-64000-GP4
仓库库存编号:
AT-64000-GP4-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 托盘 ,
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STMicroelectronics
TRANS RF N-CH HF/VHF/UHF M177
详细描述:RF Mosfet N-Channel 50V 250mA 30MHz 23.5dB 300W M177
型号:
SD2933-03
仓库库存编号:
SD2933-03-ND
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Ampleon USA Inc.
RF FET 2 NC 125V 22DB SOT262A1
详细描述:RF Mosfet 2 N-Channel (Dual) Common Source 50V 100mA 108MHz 22dB 300W CDFM4
型号:
BLF278/01,112
仓库库存编号:
BLF278/01,112-ND
别名:934031850112
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Ampleon USA Inc.
RF FET LDMOS 65V 14DB SOT608A
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 450mA 2.17GHz 14dB 6W CDFM2
型号:
BLF3G22-30,112
仓库库存编号:
BLF3G22-30,112-ND
别名:934057338112
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Ampleon USA Inc.
RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT502A
详细描述:RF Mosfet LDMOS 30V 1.4A 1.93GHz ~ 1.99GHz 17.2dB 40W LDMOST
型号:
BLF6G20-180RN,112
仓库库存编号:
BLF6G20-180RN,112-ND
别名:934062731112
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Ampleon USA Inc.
RF FET LDMOS 65V 17DB SOT539A
详细描述:RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 28V 2A 1.8GHz ~ 1.88GHz 17.5dB 65W SOT539A
型号:
BLF6G20-230PRN,112
仓库库存编号:
BLF6G20-230PRN,112-ND
别名:934063293112
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