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IXYS
DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V TO247AD
详细描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 40A Through Hole TO-3P-3 Full Pack
型号:
DSSK80-006B
仓库库存编号:
DSSK80-006B-ND
别名:DSSK80006B
产品分类:分立半导体产品,搜索词:鐢靛?,
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECT BRIDGE 1-PH 1200V 35A GBPCA
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 1200V 35A QC Terminal GBPC-A
型号:
VS-GBPC3512A
仓库库存编号:
GBPC3512A-ND
别名:*GBPC3512A
GBPC3512A
VS-GBPC3512A-ND
VSGBPC3512A
VSGBPC3512A-ND
产品分类:分立半导体产品,搜索词:鐢靛?,
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ON Semiconductor
TRANS NPN 120V 15A TO3
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 120V 15A 6MHz 180W Through Hole TO-3
型号:
MJ15015G
仓库库存编号:
MJ15015GOS-ND
别名:MJ15015GOS
产品分类:分立半导体产品,搜索词:鐢靛?,
无铅
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IXYS
DIODE ARRAY GP 1200V 45A TO247AD
详细描述:Diode Array 1 Pair Series Connection Standard 45A Through Hole TO-3P-3 Full Pack
型号:
DSP45-12A
仓库库存编号:
DSP45-12A-ND
别名:DSP4512A
产品分类:分立半导体产品,搜索词:鐢靛?,
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IXYS
DIODE GEN PURP 1KV 60A TO247AD
详细描述:标准 通孔 二极管 60A TO-247AD
型号:
DSEI60-10A
仓库库存编号:
DSEI60-10A-ND
别名:DSEI6010A
产品分类:分立半导体产品,搜索词:鐢靛?,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 11A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
STP11NM80
仓库库存编号:
497-4369-5-ND
别名:497-4369-5
产品分类:分立半导体产品,搜索词:鐢靛?,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 37A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 37A(Tc) 357W(Tc) TO-247
型号:
FCH104N60F
仓库库存编号:
FCH104N60F-ND
产品分类:分立半导体产品,搜索词:鐢靛?,
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ON Semiconductor
TRANS NPN 140V 10A TO3
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 140V 10A 80kHz 117W Through Hole TO-3
型号:
2N3442G
仓库库存编号:
2N3442GOS-ND
别名:2N3442G-ND
2N3442GOS
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 1200V 14A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 14A(Tc) 108W(Tc) TO-247
型号:
SCT2280KEC
仓库库存编号:
SCT2280KEC-ND
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 600V 40A 165W TO247
详细描述:IGBT 600V 40A 165W Through Hole TO-247
型号:
HGTG20N60B3D
仓库库存编号:
HGTG20N60B3DFS-ND
别名:HGTG20N60B3D-ND
HGTG20N60B3DFS
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 600V 150A 750W POWER-247
详细描述:IGBT Field Stop 600V 150A 750W Through Hole PowerTO-247-3
型号:
FGY75N60SMD
仓库库存编号:
FGY75N60SMDFS-ND
别名:FGY75N60SMD-ND
FGY75N60SMDFS
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ON Semiconductor
TRANS NPN 350V 15A TO264
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 350V 15A 35MHz 230W Through Hole TO-264
型号:
MJL4281AG
仓库库存编号:
MJL4281AGOS-ND
别名:MJL4281AGOS
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Fairchild/ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 600V 80A TO247
详细描述:标准 通孔 二极管 80A TO-247-2
型号:
RURG8060
仓库库存编号:
RURG8060-ND
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 21A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 21A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
STP28NM50N
仓库库存编号:
497-10712-5-ND
别名:497-10712-5
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STMicroelectronics
IC SCR 1200V 50A TOP-3
详细描述:SCR 1200V 50A Standard Recovery Through Hole TOP3
型号:
BTW69-1200RG
仓库库存编号:
497-2434-5-ND
别名:497-2434
497-2434-5
497-2434-ND
BTW69-1200
BTW691200RG
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 80A 483W TO247-3
详细描述:IGBT Trench Field Stop 1200V 80A 483W Through Hole PG-TO247-3
型号:
IGW40N120H3
仓库库存编号:
IGW40N120H3-ND
别名:IGW40N120H3FKSA1
SP000667510
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 40A DO203AB
详细描述:标准 底座,接线柱安装 二极管 40A DO-203AB
型号:
VS-1N1186A
仓库库存编号:
VS-1N1186A-ND
别名:*1N1186A
1N1186A
1N1186A-ND
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 650V 120A 349W TO-247
详细描述:IGBT Trench Field Stop 650V 120A 349W Through Hole TO-247 Long Leads
型号:
FGH60T65SHD_F155
仓库库存编号:
FGH60T65SHD_F155-ND
别名:FGH60T65SHDF155
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 1000V 60A 180W TO264
详细描述:IGBT NPT and Trench 1000V 60A 180W Through Hole TO-264
型号:
FGL60N100BNTD
仓库库存编号:
FGL60N100BNTDFS-ND
别名:FGL60N100BNTD-ND
FGL60N100BNTDFS
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 84A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 84A(Tc) 300W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP120N20NFDAKSA1
仓库库存编号:
IPP120N20NFDAKSA1-ND
别名:SP001108122
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO247AC
详细描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 20A Through Hole TO-247-3
型号:
VS-40CPQ045PBF
仓库库存编号:
40CPQ045PBF-ND
别名:*40CPQ045PBF
40CPQ045PBF
VS-40CPQ045PBF-ND
VS40CPQ045PBF
VS40CPQ045PBF-ND
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1.2KV 40A TO247AC
详细描述:标准 通孔 二极管 40A TO-247AC 改进型
型号:
VS-40EPF12PBF
仓库库存编号:
VS-40EPF12PBF-ND
别名:40EPF12PBF
40EPF12PBF-ND
产品分类:分立半导体产品,搜索词:鐢靛?,
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 1500V 60A TO-247
详细描述:IGBT 1500V 60A 500W Through Hole TO-247
型号:
FGH30S150P
仓库库存编号:
FGH30S150P-ND
产品分类:分立半导体产品,搜索词:鐢靛?,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 33A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 33A(Tc) 278W(Tc) D2PAK
型号:
SIHB33N60E-GE3
仓库库存编号:
SIHB33N60E-GE3-ND
别名:SIHB33N60EGE3
产品分类:分立半导体产品,搜索词:鐢靛?,
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IXYS
MOSFET P-CH 50V 140A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 140A(Tc) 298W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP140P05T
仓库库存编号:
IXTP140P05T-ND
产品分类:分立半导体产品,搜索词:鐢靛?,
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