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IXYS
IGBT 650V 210A 750W SOT227B
详细描述：IGBT Module PT Single 650V 210A 750W Chassis Mount SOT-227B
型号：
IXXN110N65C4H1
仓库库存编号：
IXXN110N65C4H1-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
IGBT 650V 215A 750W SOT227B
详细描述：IGBT Module PT Single 650V 215A 750W Chassis Mount SOT-227B
型号：
IXXN110N65B4H1
仓库库存编号：
IXXN110N65B4H1-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 480A SOT227
详细描述：底座安装 N 沟道 480A（Tc） 940W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN520N075T2
仓库库存编号：
IXFN520N075T2-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 48A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 48A（Tc） 520W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN48N50
仓库库存编号：
IXFN48N50-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE MODULE 600V 40A D-55
详细描述：标准 底座安装 二极管 40A D-55
型号：
VS-T40HF60
仓库库存编号：
VS-T40HF60-ND
别名：*T40HF60
T40HF60
T40HF60-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
THYRISTOR PHASE 2200V I4-PAC
详细描述：SCR 2200V Standard Recovery Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
型号：
CS20-22MOF1
仓库库存编号：
CS20-22MOF1-ND
别名：CS2022MOF1
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Ampleon USA Inc.
RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN
详细描述：RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 50V 60mA 860MHz 22dB 10W 12-HVSON (5x6)
型号：
BLP10H610AZ
仓库库存编号：
568-12809-1-ND
别名：568-12809-1
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Cree/Wolfspeed
DIODE SCHOTTKY 650V 100A TO247-3
详细描述：碳化硅肖特基 通孔 二极管 100A（DC） TO-247-3
型号：
C5D50065D
仓库库存编号：
C5D50065D-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 150A PLUS264
详细描述：通孔 N 沟道 150A（Tc） 1560W（Tc） PLUS264?
型号：
IXFB150N65X2
仓库库存编号：
IXFB150N65X2-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET NCH 1.2KV 55A TO247N
详细描述：通孔 N 沟道 55A（Tc） 262W（Tc） TO-247N
型号：
SCT3040KLGC11
仓库库存编号：
SCT3040KLGC11-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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STMicroelectronics
DIODE MODULE 45V 60A ISOTOP
详细描述：Diode Array 2 Independent Schottky 60A Chassis Mount ISOTOP
型号：
STPS12045TV
仓库库存编号：
497-3207-5-ND
别名：497-3207-5
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 90A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 90A（Tc） 960W（Tc） TO-264（IXTK）
型号：
IXTK90N25L2
仓库库存编号：
IXTK90N25L2-ND
别名：622089
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
IGBT 600V 550A 2300W TO247
详细描述：IGBT PT 600V 550A 2300W Through Hole PLUS247?-3
型号：
IXXX300N60B3
仓库库存编号：
IXXX300N60B3-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Analog Devices Inc.
TRANS 2NPN 45V 0.025A TO78-6
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) Matched Pair 45V 25mA 450MHz 500mW Through Hole TO-78-6
型号：
MAT01AHZ
仓库库存编号：
MAT01AHZ-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Rohm Semiconductor
DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247
详细描述：Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 15A (DC) Through Hole TO-247-3
型号：
SCS230KE2C
仓库库存编号：
SCS230KE2C-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 100V 170A SOT227
详细描述：底座安装 P 沟道 170A（Tc） 890W（Tc） SOT-227B
型号：
IXTN170P10P
仓库库存编号：
IXTN170P10P-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 70V 200A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 200A（Tc） 520W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN200N07
仓库库存编号：
IXFN200N07-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE MODULE 200V 120A ISOTOP
详细描述：Diode Array 2 Independent Schottky 120A Chassis Mount ISOTOP
型号：
APT2X101S20J
仓库库存编号：
APT2X101S20J-ND
别名：APT2X101S20JMI
APT2X101S20JMI-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 100A 1042W TMAX
详细描述：IGBT PT 1200V 100A 1042W Through Hole
型号：
APT75GP120B2G
仓库库存编号：
APT75GP120B2G-ND
别名：APT75GP120B2GMI
APT75GP120B2GMI-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 40V 600A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 600A（Tc） 940W（Tc） SOT-227B
型号：
IXTN600N04T2
仓库库存编号：
IXTN600N04T2-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
IGBT 1200V 240A 1500W TO264
详细描述：IGBT 1200V 240A 1500W Through Hole TO-264 (IXYK)
型号：
IXYK120N120C3
仓库库存编号：
IXYK120N120C3-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 90A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 90A（Tc） 960W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXTX90N25L2
仓库库存编号：
IXTX90N25L2-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 60A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 960W（Tc） TO-264（IXTK）
型号：
IXTK60N50L2
仓库库存编号：
IXTK60N50L2-ND
别名：622124
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 200A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 200A（Tc） 1040W（Tc） TO-264（IXTK）
型号：
IXTK200N10L2
仓库库存编号：
IXTK200N10L2-ND
别名：Q7017004
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 150A DO205AA
详细描述：标准 底座，接线柱安装 二极管 150A DO-205AA（DO-8）
型号：
VS-150K60A
仓库库存编号：
150K60A-ND
别名：*150K60A
150K60A
VS-150K60A-ND
VS150K60A
VS150K60A-ND
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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