产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列,规格:电压 - 集射极击穿(最大值) 60V,
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晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列
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Microsemi Corporation
TRANS 2PNP 60V 0.05A
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 60V 50mA 350mW Through Hole TO-78-6
型号:
JANTXV2N3810U
仓库库存编号:
1086-3088-ND
别名:1086-3088
1086-3088-MIL
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列,规格:电压 - 集射极击穿(最大值) 60V,
含铅
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Microsemi Corporation
TRANS 2NPN 60V 0.5A TO78
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 60V 500mA 2.12W Through Hole TO-78-6
型号:
JAN2N2060L
仓库库存编号:
1086-20658-ND
别名:1086-20658
1086-20658-MIL
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列,规格:电压 - 集射极击穿(最大值) 60V,
含铅
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Microsemi Corporation
TRANS 4PNP 60V 0.6A TO116
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array 4 PNP (Quad) 60V 600mA 1.5W Through Hole
型号:
JANTX2N6987
仓库库存编号:
1086-2718-ND
别名:1086-2718
1086-2718-MIL
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列,规格:电压 - 集射极击穿(最大值) 60V,
含铅
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Microsemi Corporation
TRANS 4PNP 60V 0.6A TO116
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array 4 PNP (Quad) 60V 600mA 1.5W Through Hole
型号:
JANTXV2N6987
仓库库存编号:
1086-3095-ND
别名:1086-3095
1086-3095-MIL
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列,规格:电压 - 集射极击穿(最大值) 60V,
含铅
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Microsemi Corporation
TRANS 4PNP 60V 0.6A
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array 4 PNP (Quad) 60V 600mA 400mW Surface Mount 14-Flatpack
型号:
JANTXV2N6988
仓库库存编号:
1086-3096-ND
别名:1086-3096
1086-3096-MIL
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列,规格:电压 - 集射极击穿(最大值) 60V,
含铅
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Microsemi Corporation
TRANS 2NPN 60V 0.03A
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 60V 30mA 350mW Surface Mount 3-SMD
型号:
JANTX2N2919U
仓库库存编号:
1086-20770-ND
别名:1086-20770
1086-20770-MIL
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列,规格:电压 - 集射极击穿(最大值) 60V,
含铅
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Microsemi Corporation
TRANS 2NPN 60V 0.03A
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 60V 30mA 350mW Surface Mount 3-SMD
型号:
JANTXV2N2919U
仓库库存编号:
1086-20771-ND
别名:1086-20771
1086-20771-MIL
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列,规格:电压 - 集射极击穿(最大值) 60V,
含铅
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Microsemi Corporation
TRANS 2NPN 60V 0.5A TO78
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 60V 500mA 2.12W Through Hole TO-78-6
型号:
JANTX2N2060L
仓库库存编号:
1086-20659-ND
别名:1086-20659
1086-20659-MIL
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列,规格:电压 - 集射极击穿(最大值) 60V,
含铅
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Microsemi Corporation
TRANS 2NPN 60V 0.5A TO78
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 60V 500mA 2.12W Through Hole TO-78-6
型号:
JANTXV2N2060L
仓库库存编号:
1086-20660-ND
别名:1086-20660
1086-20660-MIL
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列,规格:电压 - 集射极击穿(最大值) 60V,
含铅
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Diodes Incorporated
TRANS 2NPN 60V 2A SM8
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 60V 2A 175MHz 2.75W Surface Mount SM8
型号:
ZDT651TA
仓库库存编号:
ZDT651CT-ND
别名:UZDT651CT
UZDT651CT-ND
ZDT651
ZDT651CT
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列,规格:电压 - 集射极击穿(最大值) 60V,
无铅
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Diodes Incorporated
TRANS NPN/PNP DARL 60V 1.75A SM8
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP Darlington (Dual) 60V 1.75A 140MHz 2.75W Surface Mount SM8
型号:
ZDT6702TA
仓库库存编号:
ZDT6702CT-ND
别名:ZDT6702
ZDT6702CT
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列,规格:电压 - 集射极击穿(最大值) 60V,
无铅
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Diodes Incorporated
TRANS 2PNP 60V 0.6A SOT363
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 60V 600mA 200MHz 200mW Surface Mount SOT-363
型号:
MMDT2907A-7
仓库库存编号:
MMDT2907ADICT-ND
别名:MMDT2907A7
MMDT2907ACT
MMDT2907ACT-ND
MMDT2907ADICT
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列,规格:电压 - 集射极击穿(最大值) 60V,
含铅
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ON Semiconductor
TRANS NPN/PNP 60V 0.1A SOT563
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 60V 100mA 180MHz, 140MHz 500mW Surface Mount SOT-563
型号:
EMZ1DXV6T1
仓库库存编号:
EMZ1DXV6T1OS-ND
别名:EMZ1DXV6T1OS
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列,规格:电压 - 集射极击穿(最大值) 60V,
含铅
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ON Semiconductor
TRANS NPN/PNP 60V 0.1A SOT563
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 60V 100mA 180MHz, 140MHz 500mW Surface Mount SOT-563
型号:
EMZ1DXV6T1G
仓库库存编号:
EMZ1DXV6T1GOS-ND
别名:EMZ1DXV6T1GOS
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列,规格:电压 - 集射极击穿(最大值) 60V,
无铅
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Diodes Incorporated
TRANS NPN/PNP 60V 1A SOT23-6
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 60V 1A 150MHz 1.1W Surface Mount SOT-23-6
型号:
ZXTD4591E6TC
仓库库存编号:
ZXTD4591E6TC-ND
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列,规格:电压 - 集射极击穿(最大值) 60V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
TRANS 2PNP 60V 0.6A SC70-6
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 60V 600mA 250MHz 300mW Surface Mount SC-70-6
型号:
FFB2907A_D87Z
仓库库存编号:
FFB2907A_D87Z-ND
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列,规格:电压 - 集射极击穿(最大值) 60V,
无铅
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ON Semiconductor
TRANS 2PNP 60V 0.1A SOT563
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 60V 100mA 140MHz 500mW Surface Mount SOT-563
型号:
EMT1DXV6T1
仓库库存编号:
EMT1DXV6T1-ND
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列,规格:电压 - 集射极击穿(最大值) 60V,
含铅
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ON Semiconductor
TRANS 2PNP 60V 0.1A SOT563
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 60V 100mA 140MHz 500mW Surface Mount SOT-563
型号:
EMT1DXV6T5
仓库库存编号:
EMT1DXV6T5-ND
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列,规格:电压 - 集射极击穿(最大值) 60V,
含铅
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ON Semiconductor
TRANS NPN/PNP 60V 0.1A SOT563
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 60V 100mA 180MHz, 140MHz 500mW Surface Mount SOT-563
型号:
EMZ1DXV6T5
仓库库存编号:
EMZ1DXV6T5-ND
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列,规格:电压 - 集射极击穿(最大值) 60V,
含铅
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ON Semiconductor
TRANS NPN/PNP 60V 0.1A SOT563
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 60V 100mA 180MHz, 140MHz 500mW Surface Mount SOT-563
型号:
EMZ1DXV6T5G
仓库库存编号:
EMZ1DXV6T5G-ND
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列,规格:电压 - 集射极击穿(最大值) 60V,
无铅
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STMicroelectronics
TRANS 4NPN DARL 60V 1.2A 20SOIC
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array 4 NPN Darlington (Quad) 60V 1.2A Surface Mount 20-SO
型号:
L6221CD
仓库库存编号:
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产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列,规格:电压 - 集射极击穿(最大值) 60V,
无铅
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STMicroelectronics
TRANS 4NPN DARL 60V 1.2A 20SOIC
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array 4 NPN Darlington (Quad) 60V 1.2A Surface Mount 20-SO
型号:
L6221CD013TR
仓库库存编号:
L6221CD013TR-ND
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列,规格:电压 - 集射极击穿(最大值) 60V,
无铅
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Sanken
TRANS 4PNP 60V 3A 10-SIP
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array 4 PNP (Quad) 60V 3A 4W Through Hole 10-SIP
型号:
STA421A
仓库库存编号:
STA421A-ND
别名:STA421A DK
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列,规格:电压 - 集射极击穿(最大值) 60V,
不受无铅要求限制
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Microsemi Corporation
TRANS 2PNP 60V 0.05A TO78
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 60V 50mA 350mW Through Hole TO-78-6
型号:
JAN2N3810
仓库库存编号:
1086-2357-ND
别名:1086-2357
1086-2357-MIL
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列,规格:电压 - 集射极击穿(最大值) 60V,
含铅
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Microsemi Corporation
TRANS 2PNP 60V 0.05A TO78
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 60V 50mA 350mW Through Hole TO-78-6
型号:
JAN2N3811
仓库库存编号:
1086-2359-ND
别名:1086-2359
1086-2359-MIL
产品分类:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列,规格:电压 - 集射极击穿(最大值) 60V,
含铅
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