产品分类：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置,规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
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晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3
型号：
BCR185WE6327BTSA1
仓库库存编号：
BCR185WE6327BTSA1TR-NDTR-ND
别名：BCR 185W E6327
BCR 185W E6327-ND
BCR185WE6327
BCR185WE6327XT
SP000010808
产品分类：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置,规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BCR 192 B6327
仓库库存编号：
BCR 192 B6327-ND
别名：BCR192B6327XT
SP000056349
产品分类：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置,规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW TSFP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-TSFP-3
型号：
BCR 192F E6327
仓库库存编号：
BCR 192F E6327-ND
别名：BCR192FE6327XT
SP000014066
产品分类：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置,规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-TSLP-3
型号：
BCR 192L3 E6327
仓库库存编号：
BCR 192L3 E6327-ND
别名：BCR192L3E6327XT
SP000014876
产品分类：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置,规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-SC-75
型号：
BCR 192T E6327
仓库库存编号：
BCR 192T E6327-ND
别名：BCR192TE6327XT
SP000012808
产品分类：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置,规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3
型号：
BCR192WE6327HTSA1
仓库库存编号：
BCR192WE6327HTSA1TR-ND
别名：BCR 192W E6327
BCR 192W E6327-ND
BCR192WE6327
BCR192WE6327XT
SP000010816
产品分类：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置,规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 190MHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BCR198B6327HTLA1
仓库库存编号：
BCR198B6327HTLA1TR-ND
别名：BCR 198 B6327
BCR 198 B6327-ND
BCR198B6327HTSA1
BCR198B6327XT
SP000056350
产品分类：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置,规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW TSFP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 190MHz 250mW Surface Mount PG-TSFP-3
型号：
BCR 198F E6327
仓库库存编号：
BCR 198F E6327-ND
别名：BCR198FE6327XT
SP000013055
产品分类：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置,规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 70mA 190MHz 250mW Surface Mount PG-TSLP-3
型号：
BCR 198L3 E6327
仓库库存编号：
BCR 198L3 E6327-ND
别名：BCR198L3E6327XT
SP000014878
产品分类：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置,规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 70mA 190MHz 250mW Surface Mount PG-SC-75
型号：
BCR 198T E6327
仓库库存编号：
BCR 198T E6327-ND
别名：BCR198TE6327XT
SP000013045
产品分类：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置,规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 190MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3
型号：
BCR198WE6327BTSA1
仓库库存编号：
BCR198WE6327BTSA1TR-ND
别名：BCR 198W E6327
BCR 198W E6327-ND
BCR198WE6327
BCR198WE6327XT
SP000010824
产品分类：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置,规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTA114YS,126
仓库库存编号：
PDTA114YS,126-ND
别名：934057576126
PDTA114YS AMO
PDTA114YS AMO-ND
产品分类：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置,规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTA123JS,126
仓库库存编号：
PDTA123JS,126-ND
别名：934057560126
PDTA123JS AMO
PDTA123JS AMO-ND
产品分类：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置,规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTA124XS,126
仓库库存编号：
PDTA124XS,126-ND
别名：934057561126
PDTA124XS AMO
PDTA124XS AMO-ND
产品分类：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置,规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTA143ZS,126
仓库库存编号：
PDTA143ZS,126-ND
别名：934057564126
PDTA143ZS AMO
PDTA143ZS AMO-ND
产品分类：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置,规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTC114YS,126
仓库库存编号：
PDTC114YS,126-ND
别名：934057566126
PDTC114YS AMO
PDTC114YS AMO-ND
产品分类：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置,规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTC123JS,126
仓库库存编号：
PDTC123JS,126-ND
别名：934057569126
PDTC123JS AMO
PDTC123JS AMO-ND
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTC124XS,126
仓库库存编号：
PDTC124XS,126-ND
别名：934057571126
PDTC124XS AMO
PDTC124XS AMO-ND
产品分类：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置,规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号：
PDTC143ZS,126
仓库库存编号：
PDTC143ZS,126-ND
别名：934057574126
PDTC143ZS AMO
PDTC143ZS AMO-ND
产品分类：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置,规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
型号：
PDTA143ZK,135
仓库库存编号：
PDTA143ZK,135-ND
别名：934054805135
产品分类：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置,规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 100MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3
型号：
BCR 148W H6433
仓库库存编号：
BCR 148W H6433-ND
别名：SP000756242
产品分类：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置,规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP SOT23
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BCR135E6359HTMA1
仓库库存编号：
BCR135E6359HTMA1-ND
别名：SP000010766
产品分类：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置,规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP SOT23
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 100MHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BCR148E6393HTSA1
仓库库存编号：
BCR148E6393HTSA1-ND
别名：SP000010779
产品分类：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置,规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP SOT23
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BCR192E6785HTSA1
仓库库存编号：
BCR192E6785HTSA1-ND
别名：SP000010815
产品分类：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置,规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
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Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP SOT23
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 190MHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BCR198E6393HTSA1
仓库库存编号：
BCR198E6393HTSA1-ND
别名：SP000010818
产品分类：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置,规格：电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k,
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