产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:Vgs(最大值) -,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Fairchild/Micross Components
DIE MOSFET P-CH 100V
详细描述:表面贴装 模具
型号:
PCFQ8P10W
仓库库存编号:
PCFQ8P10W-DIE-ND
别名:FCPCFQ8P10W
FCPCFQ8P10W-ND
PCFQ8P10W-DIE
PCFQ8P10W-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:Vgs(最大值) -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 340A TO268
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 340A(Tc) 935W(Tc) TO-268
型号:
IXFT340N075T2
仓库库存编号:
IXFT340N075T2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:Vgs(最大值) -,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
TRANS SJT 1200V 6A TO-247AB
详细描述:通孔 1200V 6A(Tc)(90°C) TO-247AB
型号:
GA06JT12-247
仓库库存编号:
1242-1165-ND
别名:1242-1165
GA06JT12247
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:Vgs(最大值) -,
无铅
搜索
GeneSiC Semiconductor
TRANS SJT 1.2KV 20A
详细描述:通孔 1200V 20A(Tc) 282W(Tc) TO-247AB
型号:
GA20JT12-247
仓库库存编号:
1242-1188-ND
别名:1242-1188
GA20JT12247
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:Vgs(最大值) -,
无铅
搜索
GeneSiC Semiconductor
TRANS SJT 1200V 45A TO247
详细描述:通孔 1200V 45A(Tc) 282W(Tc) TO-247AB
型号:
GA20SICP12-247
仓库库存编号:
GA20SICP12-247-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:Vgs(最大值) -,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
TRANS SJT 1700V 16A TO-247AB
详细描述:通孔 1700V 16A(Tc)(90°C) 282W(Tc) TO-247AB
型号:
GA16JT17-247
仓库库存编号:
1242-1136-ND
别名:1242-1136
GA16JT17247
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:Vgs(最大值) -,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
TRANSISTOR 1200V 100A TO263-7
型号:
GA50JT12-263
仓库库存编号:
GA50JT12-263-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:Vgs(最大值) -,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
TRANS SJT 1.7KV 100A
详细描述:通孔 1700V 100A(Tc) 583W(Tc) TO-247
型号:
GA50JT17-247
仓库库存编号:
1242-1247-ND
别名:1242-1247
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:Vgs(最大值) -,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
TRANS SJT 650V 4A TO276
详细描述:表面贴装 650V 4A(Tc)(165°C) 125W(Tc) TO-276
型号:
2N7636-GA
仓库库存编号:
1242-1147-ND
别名:1242-1147
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:Vgs(最大值) -,
含铅
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GeneSiC Semiconductor
TRANS SJT 650V 4A TO-257
详细描述:通孔 650V 4A(Tc)(165°C) 47W(Tc) TO-257
型号:
2N7635-GA
仓库库存编号:
1242-1146-ND
别名:1242-1146
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:Vgs(最大值) -,
含铅
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GeneSiC Semiconductor
TRANS SJT 650V 8A TO276
详细描述:表面贴装 650V 8A(Tc)(158°C) 200W(Tc) TO-276
型号:
2N7638-GA
仓库库存编号:
1242-1149-ND
别名:1242-1149
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:Vgs(最大值) -,
含铅
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GeneSiC Semiconductor
TRANS SJT 650V 7A TO-257
详细描述:通孔 650V 7A(Tc)(165°C) 80W(Tc) TO-257
型号:
2N7637-GA
仓库库存编号:
1242-1148-ND
别名:1242-1148
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:Vgs(最大值) -,
含铅
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GeneSiC Semiconductor
TRANS SJT 650V 16A TO276
详细描述:表面贴装 650V 16A(Tc)(155°C) 330W(Tc) TO-276
型号:
2N7640-GA
仓库库存编号:
1242-1151-ND
别名:1242-1151
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:Vgs(最大值) -,
含铅
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GeneSiC Semiconductor
TRANS SJT 650V 15A TO-257
详细描述:通孔 650V 15A(Tc)(155°C) 172W(Tc) TO-257
型号:
2N7639-GA
仓库库存编号:
1242-1150-ND
别名:1242-1150
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:Vgs(最大值) -,
含铅
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GeneSiC Semiconductor
TRANS SJT 600V 100A
详细描述:通孔 600V 100A(Tc) 769W(Tc) TO-258
型号:
GA50JT06-258
仓库库存编号:
1242-1253-ND
别名:1242-1253
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:Vgs(最大值) -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V SAWN BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 2A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC014N03L3X1SA1
仓库库存编号:
IPC014N03L3X1SA1-ND
别名:SP000454346
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:Vgs(最大值) -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V SAWN BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC022N03L3X1SA1
仓库库存编号:
IPC022N03L3X1SA1-ND
别名:SP000904026
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:Vgs(最大值) -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V SAWN BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC020N10L3X1SA1
仓库库存编号:
IPC020N10L3X1SA1-ND
别名:SP001006962
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:Vgs(最大值) -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V SAWN BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 2A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC028N03L3X1SA1
仓库库存编号:
IPC028N03L3X1SA1-ND
别名:SP000555720
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:Vgs(最大值) -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V SAWN BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC042N03L3X1SA1
仓库库存编号:
IPC042N03L3X1SA1-ND
别名:SP000448976
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:Vgs(最大值) -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V SAWN BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC045N10L3X1SA1
仓库库存编号:
IPC045N10L3X1SA1-ND
别名:SP001187424
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:Vgs(最大值) -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V SAWN BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC045N10N3X1SA1
仓库库存编号:
IPC045N10N3X1SA1-ND
别名:SP000900304
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:Vgs(最大值) -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V SAWN BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC055N03L3X1SA1
仓库库存编号:
IPC055N03L3X1SA1-ND
别名:SP000448980
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:Vgs(最大值) -,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC173N10N3X1SA1
仓库库存编号:
IPC173N10N3X1SA1-ND
别名:SP000899314
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:Vgs(最大值) -,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC171N04NX1SA1
仓库库存编号:
IPC171N04NX1SA1-ND
别名:SP000300150
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:Vgs(最大值) -,
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