产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 20A 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 20A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),36W(Tc) PG-TSDSON-8-FL
型号:
BSZ0503NSIATMA1
仓库库存编号:
BSZ0503NSIATMA1-ND
别名:SP001288156
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 500V 3.6A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 500V 3.6A(Tc) 78W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB812PBF
仓库库存编号:
IRFB812PBF-ND
别名:SP001563948
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 250V 9.3A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 9.3A(Tc) 100W(Tc) DPAK
型号:
AUIRFR4292TRL
仓库库存编号:
AUIRFR4292TRLTR-ND
别名:AUIRFR4292TRLTR
SP001520520
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 17A(Tc) 3.8W(Ta),45W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
AUIRFZ24NS
仓库库存编号:
AUIRFZ24NS-ND
别名:SP001517468
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 4VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 5.8A(Tc) 62.5W(Tc) Thin-Pak(8x8)
型号:
IPL65R725CFDAUMA1
仓库库存编号:
IPL65R725CFDAUMA1-ND
别名:SP000949266
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 6A(Tc) 62.5W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R660CFDAATMA1
仓库库存编号:
IPD65R660CFDAATMA1-ND
别名:SP000928260
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 250V 9.3A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 250V 9.3A(Tc) 100W(Tc) I-Pak
型号:
AUIRFU4292
仓库库存编号:
AUIRFU4292-ND
别名:SP001519718
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 17A(Tc) 3.8W(Ta),45W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
AUIRFZ24NSTRL
仓库库存编号:
AUIRFZ24NSTRL-ND
别名:SP001522352
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 6A(Tc) 62.5W(Tc) PG-TO263
型号:
IPB65R660CFDAATMA1
仓库库存编号:
IPB65R660CFDAATMA1-ND
别名:SP000875794
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 650V 6A(Tc) 62.5W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP65R660CFDAAKSA1
仓库库存编号:
IPP65R660CFDAAKSA1-ND
别名:SP000875802
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 650V 7A(Tc) 29W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
IPA65R225C7XKSA1
仓库库存编号:
IPA65R225C7XKSA1-ND
别名:SP001080144
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 14A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 60V 14A(Tc) 29W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRFIZ24E
仓库库存编号:
IRFIZ24E-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 55V 17A(Tc) 3.8W(Ta),45W(Tc) TO-262
型号:
IRFZ24NL
仓库库存编号:
IRFZ24NL-ND
别名:*IRFZ24NL
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 17A(Tc) 45W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR024NTRR
仓库库存编号:
IRFR024NTRR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 17A(Tc) 3.8W(Ta),45W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ24NSTRL
仓库库存编号:
IRFZ24NSTRL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 17A(Tc) 3.8W(Ta),45W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ24NSTRR
仓库库存编号:
IRFZ24NSTRR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 1.9A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP171PE6327
仓库库存编号:
BSP171PE6327INCT-ND
别名:BSP171PE6327INCT
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含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 55V 17A(Tc) 3.8W(Ta),45W(Tc) TO-262
型号:
IRFZ24NLPBF
仓库库存编号:
IRFZ24NLPBF-ND
别名:*IRFZ24NLPBF
SP001571902
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 14A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 60V 14A(Tc) 29W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRFIZ24EPBF
仓库库存编号:
IRFIZ24EPBF-ND
别名:*IRFIZ24EPBF
SP001575814
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 1.9A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP171PE6327T
仓库库存编号:
BSP171PE6327XTINCT-ND
别名:BSP171PE6327XTINCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 5.7A(Ta),25A(Tc) 2.2W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? SJ
型号:
IRF6645TR1PBF
仓库库存编号:
IRF6645TR1PBFCT-ND
别名:IRF6645TR1PBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 2.6A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP318S E6327
仓库库存编号:
BSP318S E6327-ND
别名:BSP318SE6327T
SP000011112
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT-223
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 1.9A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP171PL6327HTSA1
仓库库存编号:
BSP171PL6327HTSA1CT-ND
别名:BSP171PL6327
BSP171PL6327INCT
BSP171PL6327INCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 2.6A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP318SL6327HTSA1
仓库库存编号:
BSP318SL6327HTSA1CT-ND
别名:BSP318SL6327
BSP318SL6327INCT
BSP318SL6327INCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SJ
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 5.7A(Ta),25A(Tc) 3W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? SJ
型号:
IRF6645
仓库库存编号:
IRF6645-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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