产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V
详细描述:表面贴装 N 沟道 12.5A(Ta),18A(Tc) 2.3W(Ta),27W(Tc) 8-MLP(3.3x3.3)
型号:
FDMC7692S_F126
仓库库存编号:
FDMC7692S_F126CT-ND
别名:FDMC7692S_F126CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Tc) 3.9W(Ta),29.8W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR472DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR472DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR472DP-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 14A(Tc) 2.5W(Ta),5W(Tc)
型号:
SI4134DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4134DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4134DY-T1-E3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 14A(Tc) 2.5W(Ta),5W(Tc) 8-SO
型号:
SI4134DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4134DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4134DY-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Tc) 2.5W(Ta),4.5W(Tc) 8-SO
型号:
SI4172DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4172DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4172DY-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 17A 8TSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Tc) 700mW(Ta),30W(Tc) 8-TSON Advance(3.3x3.3)
型号:
TPN11006NL,LQ
仓库库存编号:
TPN11006NLLQCT-ND
别名:TPN11006NLLQCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 8-MLP
详细描述:表面贴装 N 沟道 12.5A(Ta),18A(Tc) 2.3W(Ta),27W(Tc) 8-MLP(3.3x3.3)
型号:
FDMC7692S
仓库库存编号:
FDMC7692SCT-ND
别名:FDMC7692SCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 9A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 2.5W(Ta),55W(Tc) I-Pak
型号:
FQU12N20TU
仓库库存编号:
FQU12N20TU-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Tc) 2.5W(Ta),55W(Tc) D-Pak
型号:
FQD12N20TM
仓库库存编号:
FQD12N20TMFSCT-ND
别名:FQD12N20TMFSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 40A POWER33
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Ta),40A(Tc) 3W(Ta),50W(Tc) Dual Cool ? 33
型号:
FDMC3020DC
仓库库存编号:
FDMC3020DCCT-ND
别名:FDMC3020DCCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 12A POWER33
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta),18A(Tc) 2.3W(Ta),27W(Tc) 8-MLP(3.3x3.3)
型号:
FDMC8296
仓库库存编号:
FDMC8296CT-ND
别名:FDMC8296CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 400V 2.7A
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.7A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) D-Pak
型号:
FQD4P40TM_AM002
仓库库存编号:
FQD4P40TM_AM002CT-ND
别名:FQD4P40TM_AM002CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 18A 8-PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Ta),49A(Tc) 3.3W(Ta),60W(Tc) Dual Cool?56
型号:
FDMS3016DC
仓库库存编号:
FDMS3016DCCT-ND
别名:FDMS3016DCCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),30W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ100N03MSGATMA1
仓库库存编号:
BSZ100N03MSGATMA1CT-ND
别名:BSZ100N03MSGINCT
BSZ100N03MSGINCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 56W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD060N03LGATMA1
仓库库存编号:
IPD060N03LGATMA1CT-ND
别名:IPD060N03LGINCT
IPD060N03LGINCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
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Infineon Technologies
N-CHANNEL_30/40V
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 42W(Tc) PG-TDSON-8-33
型号:
IPC50N04S5L5R5ATMA1
仓库库存编号:
IPC50N04S5L5R5ATMA1CT-ND
别名:IPC50N04S5L5R5ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Tc) 43W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR220NTRPBF
仓库库存编号:
IRFR220NTRPBFCT-ND
别名:*IRFR220NTRPBF
IRFR220NPBFCT
IRFR220NPBFCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 48W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
IPZ40N04S55R4ATMA1
仓库库存编号:
IPZ40N04S55R4ATMA1CT-ND
别名:IPZ40N04S55R4ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 17A HSOF-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Tc) 106W(Tc) PG-HSOF-8
型号:
IPT60R150G7XTMA1
仓库库存编号:
IPT60R150G7XTMA1CT-ND
别名:IPT60R150G7XTMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 400V 3.5A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 3.5A(Tc) 85W(Tc) TO-220AB
型号:
FQP4P40
仓库库存编号:
FQP4P40FS-ND
别名:FQP4P40-ND
FQP4P40FS
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 8A TO220FM
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 40W(Tc) TO-220FM
型号:
ZDX080N50
仓库库存编号:
ZDX080N50-ND
别名:ZDX080N50CT
ZDX080N50CT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 7.3A(Tc) 28W(Tc) PG-TO-220-FP
型号:
IPA65R600E6
仓库库存编号:
IPA65R600E6-ND
别名:IPA65R600E6XKSA1
SP000799140
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 9A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 40W(Tc) TO-220FM
型号:
R6009ENX
仓库库存编号:
R6009ENX-ND
别名:R6009ENXCT
R6009ENXCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 3.6A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 3.6A(Tc) 74W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFBC30APBF
仓库库存编号:
IRFBC30APBF-ND
别名:*IRFBC30APBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 13A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 13A(Tc) 72W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP65R190C7FKSA1
仓库库存编号:
IPP65R190C7FKSA1-ND
别名:SP000929426
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
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