产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET,MOSFET - 单
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc. (16)
Global Power Technologies Group (8)
Infineon Technologies (57)
IXYS (2)
Micro Commercial Co (1)
Nexperia USA Inc. (4)
NXP USA Inc. (1)
Fairchild/ON Semiconductor (32)
ON Semiconductor (18)
Renesas Electronics America (3)
Rohm Semiconductor (5)
Sanken (3)
STMicroelectronics (3)
Toshiba Semiconductor and Storage (10)
Vishay Siliconix (22)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 1000V 4A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 195W(Tc) TO-247
型号:
AOK5N100
仓库库存编号:
AOK5N100-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.6A(Tc) 74W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBC30ASTRLPBF
仓库库存编号:
IRFBC30ASTRLPBF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 1.5A(Tc) 60W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH1N100
仓库库存编号:
IXTH1N100-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 7A(Tc) 86W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R650CEAUMA1
仓库库存编号:
IPD65R650CEAUMA1-ND
别名:SP001396908
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 10.1A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 10.1A(Tc) 86W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R650CEATMA1
仓库库存编号:
IPD65R650CEATMA1-ND
别名:SP001295798
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET COOLMOS 650V TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 700V 10.1A(Tc) 86W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS65R650CEAKMA1
仓库库存编号:
IPS65R650CEAKMA1-ND
别名:SP001422888
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V TO251-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 3.9A(Tc) 63W(Tc) TO-251-3
型号:
IPU80R1K4CEAKMA1
仓库库存编号:
IPU80R1K4CEAKMA1-ND
别名:SP001593930
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R600E6BTMA1
仓库库存编号:
IPD65R600E6BTMA1CT-ND
别名:IPD65R600E6BTMA1CT
IPD65R600E6CT
IPD65R600E6CT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R600E6ATMA1
仓库库存编号:
IPD65R600E6ATMA1-ND
别名:SP001117096
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO-251-3
详细描述:通孔 N 沟道 650V 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS65R600E6AKMA1
仓库库存编号:
IPS65R600E6AKMA1-ND
别名:SP001273092
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 4VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 7A(Tc) 63W(Tc) Thin-Pak(8x8)
型号:
IPL65R660E6AUMA1
仓库库存编号:
IPL65R660E6AUMA1-ND
别名:SP000895212
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO263
型号:
IPB65R600C6ATMA1
仓库库存编号:
IPB65R600C6ATMA1CT-ND
别名:IPB65R600C6CT
IPB65R600C6CT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 7.3A(Tc) 28W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA65R600C6XKSA1
仓库库存编号:
IPA65R600C6XKSA1-ND
别名:IPA65R600C6
IPA65R600C6-ND
SP000850502
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 650V 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI65R600C6XKSA1
仓库库存编号:
IPI65R600C6XKSA1-ND
别名:IPI65R600C6
IPI65R600C6-ND
SP000850504
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP65R600E6XKSA1
仓库库存编号:
IPP65R600E6XKSA1-ND
别名:IPP65R600E6
IPP65R600E6-ND
SP000850500
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP65R600C6XKSA1
仓库库存编号:
IPP65R600C6XKSA1-ND
别名:IPP65R600C6
IPP65R600C6-ND
SP000661310
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 30V 50A(Tc) 56W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP065N03LGXKSA1
仓库库存编号:
IPP065N03LGXKSA1-ND
别名:IPP065N03L G
IPP065N03LG
IPP065N03LGIN
IPP065N03LGIN-ND
IPP065N03LGXK
SP000254736
SP000680818
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 9A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 560V 9A(Tc) 83W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP50R399CPHKSA1
仓库库存编号:
IPP50R399CPHKSA1-ND
别名:IPP50R399CP
IPP50R399CP-ND
SP000234985
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 9A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 500V 9A(Tc) 83W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI50R399CPXKSA2
仓库库存编号:
IPI50R399CPXKSA2-ND
别名:IPI50R399CP
IPI50R399CP-ND
SP001109552
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 4VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 12A(Tc) 75W(Tc) PG-VSON-4
型号:
IPL65R195C7AUMA1
仓库库存编号:
IPL65R195C7AUMA1-ND
别名:SP001032726
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 13A(Tc) 72W(Tc) PG-TO263
型号:
IPB65R190C7ATMA1
仓库库存编号:
IPB65R190C7ATMA1-ND
别名:SP000929424
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 9A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 560V 9A(Tc) 83W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW50R399CPFKSA1
仓库库存编号:
IPW50R399CPFKSA1-ND
别名:IPW50R399CP
IPW50R399CP-ND
SP000259980
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 650V 13A(Tc) 72W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW65R190C7XKSA1
仓库库存编号:
IPW65R190C7XKSA1-ND
别名:SP001080142
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 620V I2PAK-FP
详细描述:通孔 N 沟道 620V 4.5A(Tc) 25W(Tc) I2PAKFP(TO-281)
型号:
STFILED625
仓库库存编号:
497-13952-5-ND
别名:497-13952-5
STFILED625-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 3.6A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 600V 3.6A(Tc) 74W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFBC30A
仓库库存编号:
IRFBC30A-ND
别名:*IRFBC30A
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
含铅
搜索
1
2
3
4
5
6
7
8
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号