产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 27A SOP-8 ADV
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 27A(Ta) 1.6W(Ta),45W(Tc) 8-SOP Advance(5x5)
型号:
TPCA8021-H(TE12LQM
仓库库存编号:
TPCA8021-H(TE12LQM-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 43A(Tc) 71W(Tc) DPAK-3
型号:
NTD5865N-1G
仓库库存编号:
NTD5865N-1GOS-ND
别名:NTD5865N-1G-ND
NTD5865N-1GOS
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 43A(Tc) 71W(Tc) DPAK
型号:
NTD5865NT4G
仓库库存编号:
NTD5865NT4GOSCT-ND
别名:NTD5865NT4GOSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH QFN3333
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 27A(Tc) 65W(Tc) 8-DFN3333(3.3x3.3)
型号:
PSMN035-100LS,115
仓库库存编号:
568-5585-1-ND
别名:568-5585-1
PSMN035100LS115
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 3.6A(Tc) 74W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBC30ASTRRPBF
仓库库存编号:
IRFBC30ASTRRPBF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 6.2A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 6.2A(Ta) 1.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI9410BDY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI9410BDY-T1-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 40V 15A TO-252
详细描述:表面贴装 P 沟道 40V 15A(Ta) 1.2W(Ta),30W(Tc) TO-252(MP-3ZK)
型号:
NP15P04SLG-E1-AY
仓库库存编号:
NP15P04SLG-E1-AY-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 60V 15A TO-252
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 15A(Ta) 1.2W(Ta),30W(Tc) TO-252(MP-3ZK)
型号:
NP15P06SLG-E1-AY
仓库库存编号:
NP15P06SLG-E1-AY-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 6.2A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 6.2A(Ta) 1.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI9410BDY-T1-E3
仓库库存编号:
SI9410BDY-T1-E3CT-ND
别名:SI9410BDY-T1-E3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 100V 6.5A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 6.5A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4454
仓库库存编号:
AO4454-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N CH 30V 27A 8DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 27A(Ta),68A(Tc) 5.7W(Ta),35.5W(Tc) 8-DFN(5x6)
型号:
AON6532
仓库库存编号:
AON6532-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 500V 10A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 500V 10A(Ta) 29.5W(Tc) TO-220FP
型号:
RJK5035DPP-E0#T2
仓库库存编号:
RJK5035DPP-E0#T2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 700V 5A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 700V 5A(Tc) 39W(Tc) TO-220F
型号:
GP1M006A070F
仓库库存编号:
GP1M006A070F-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 7.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 7.5A(Tc) 120W(Tc) D-Pak
型号:
GP2M008A060CG
仓库库存编号:
GP2M008A060CG-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 7.5A(Tc) 39W(Tc) TO-220F
型号:
GP2M008A060FG
仓库库存编号:
GP2M008A060FG-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 7.5A(Tc) 120W(Tc) TO-220
型号:
GP2M008A060HG
仓库库存编号:
GP2M008A060HG-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 7.5A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 600V 7.5A(Tc) 120W(Tc) I-Pak
型号:
GP2M008A060PG
仓库库存编号:
GP2M008A060PG-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 700V 5A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 700V 5A(Tc) 39W(Tc) TO-220F
型号:
GP1M006A070FH
仓库库存编号:
1560-1162-5-ND
别名:1560-1162-1
1560-1162-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 7.5A(Tc) 39W(Tc) TO-220F
型号:
GP2M008A060FGH
仓库库存编号:
1560-1204-5-ND
别名:1560-1204-1
1560-1204-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 7.5A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 600V 7.5A(Tc) 120W(Tc) I-Pak
型号:
GP2M008A060PGH
仓库库存编号:
1560-1205-5-ND
别名:1560-1205-1
1560-1205-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 100V 4.7A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 100V 4.7A(Ta),42A(Tc) 1.92W(Ta),150W(Tc) TO-220-3
型号:
AOT416L
仓库库存编号:
AOT416L-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 19A D-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 19A(Tc) 50W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR2605
仓库库存编号:
IRFR2605-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 5A(Tc) 43W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR220NTR
仓库库存编号:
IRFR220NTR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 5A(Tc) 43W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR220NTRL
仓库库存编号:
IRFR220NTRL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 5A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 200V 5A(Tc) 43W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU220N
仓库库存编号:
IRFU220N-ND
别名:*IRFU220N
SP001568188
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
含铅
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