产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET,MOSFET - 单
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc. (16)
Global Power Technologies Group (8)
Infineon Technologies (57)
IXYS (2)
Micro Commercial Co (1)
Nexperia USA Inc. (4)
NXP USA Inc. (1)
Fairchild/ON Semiconductor (32)
ON Semiconductor (18)
Renesas Electronics America (3)
Rohm Semiconductor (5)
Sanken (3)
STMicroelectronics (3)
Toshiba Semiconductor and Storage (10)
Vishay Siliconix (22)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 5A(Tc) 43W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR220NTRR
仓库库存编号:
IRFR220NTRR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 18A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 18A(Tc) 60W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB4212PBF
仓库库存编号:
IRFB4212PBF-ND
别名:SP001555992
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 5A(Ta) 43W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR220NCPBF
仓库库存编号:
IRFR220NCPBF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 30V 50A(Tc) 56W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS060N03LGAKMA1
仓库库存编号:
IPS060N03LGAKMA1-ND
别名:IPS060N03L G
IPS060N03LGIN
IPS060N03LGIN-ND
IPS060N03LGXK
SP000705724
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO-251-3
详细描述:通孔 N 沟道 30V 50A(Tc) 56W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU060N03L G
仓库库存编号:
IPU060N03LGIN-ND
别名:IPU060N03LGIN
IPU060N03LGXK
SP000260749
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 40A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 40A(Tc) 42W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD105N04LGBTMA1
仓库库存编号:
IPD105N04LGBTMA1TR-ND
别名:IPD105N04L G
IPD105N04L G-ND
SP000354796
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 9A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 550V 9A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD50R399CP
仓库库存编号:
IPD50R399CP-ND
别名:SP000234984
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 800V 3.9A(Tc) 63W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU80R1K4CEBKMA1
仓库库存编号:
IPU80R1K4CEBKMA1-ND
别名:SP001100620
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 3.9A(Tc) 63W(Tc) TO-252-3
型号:
IPD80R1K4CEBTMA1
仓库库存编号:
IPD80R1K4CEBTMA1CT-ND
别名:IPD80R1K4CEBTMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 800V 2.8A(Tc) 31W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA80R1K4CEXKSA1
仓库库存编号:
IPA80R1K4CEXKSA1-ND
别名:SP001271052
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V,
无铅
搜索
1
2
3
4
5
6
7
8
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号