产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8nC @ 10V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET,MOSFET - 单
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc. (12)
Infineon Technologies (3)
IXYS (2)
Nexperia USA Inc. (1)
Fairchild/ON Semiconductor (21)
Rohm Semiconductor (1)
STMicroelectronics (6)
Vishay Siliconix (12)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 5A SOT428
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Ta) 15W(Tc) CPT3
型号:
RSD050N06TL
仓库库存编号:
RSD050N06TLCT-ND
别名:RSD050N06TLCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 7.7A SC70-6L
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.7A(Tc) 3.5W(Ta),19W(Tc) PowerPAK? SC-70-6 单
型号:
SIA446DJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA446DJ-T1-GE3CT-ND
别名:SIA446DJ-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8nC @ 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 4.5A(Ta) 20W(Tc) TO-220FP
型号:
STF6N60M2
仓库库存编号:
497-13948-5-ND
别名:497-13948-5
STF6N60M2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8nC @ 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
N-CHANNEL 60 V, 0.019 OHM TYP.,
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Tc) 2.4W(Ta) PowerFlat?(2x2)
型号:
STL7N6F7
仓库库存编号:
497-16934-1-ND
别名:497-16934-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8nC @ 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET NCH 60V 36A POWERFLAT
详细描述:表面贴装 N 沟道 36A(Tc) 3W(Ta),60W(Tc) PowerFlat?(3.3x3.3)
型号:
STL8N6F7
仓库库存编号:
STL8N6F7-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8nC @ 10V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 1.3A TO251
详细描述:通孔 N 沟道 1.3A(Tc) 45W(Tc) TO-251-3
型号:
AOU1N60
仓库库存编号:
AOU1N60-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8nC @ 10V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 1.3A TO251A
详细描述:通孔 N 沟道 1.3A(Tc) 45W(Tc) TO-251A
型号:
AOI1N60
仓库库存编号:
AOI1N60-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 2A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 2A(Tc) 2W(Ta),3.1W(Tc) 8-SO
型号:
SI4829DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4829DY-T1-E3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8nC @ 10V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 500V 3A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 3A(Tc) 31W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF3N50
仓库库存编号:
AOTF3N50-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.9A(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SIS698DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SIS698DN-T1-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8nC @ 10V,
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-252AA
详细描述:表面贴装 N 沟道 100mA(Tc) 25W(Tc) TO-252AA
型号:
IXTY01N80
仓库库存编号:
IXTY01N80-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8nC @ 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 100mA(Tc) 25W(Tc) TO-251
型号:
IXTU01N80
仓库库存编号:
IXTU01N80-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 0.35A TO-92L
详细描述:通孔 N 沟道 500V 350mA(Tc) 1.5W(Tc) TO-92L
型号:
FQNL2N50BBU
仓库库存编号:
FQNL2N50BBU-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 2.4A IPAK
详细描述:通孔 P 沟道 200V 2.4A(Tc) 2.5W(Ta),37W(Tc) I-Pak
型号:
FQU3P20TU
仓库库存编号:
FQU3P20TU-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 2.4A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 200V 2.4A(Tc) 2.5W(Ta),37W(Tc) D-Pak
型号:
FQD3P20TF
仓库库存编号:
FQD3P20TF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 2.4A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 200V 2.4A(Tc) 2.5W(Ta),37W(Tc) D-Pak
型号:
FQD3P20TM
仓库库存编号:
FQD3P20TM-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 2.2A TO-220F
详细描述:通孔 P 沟道 200V 2.2A(Tc) 32W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF3P20
仓库库存编号:
FQPF3P20-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 1.6A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 500V 1.6A(Tc) 2.5W(Ta),30W(Tc) I-Pak
型号:
FQU2N50BTU
仓库库存编号:
FQU2N50BTU-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 2.8A I2PAK
详细描述:通孔 P 沟道 200V 2.8A(Tc) 3.13W(Ta),52W(Tc) I2PAK
型号:
FQI3P20TU
仓库库存编号:
FQI3P20TU-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 4A(Tc) 30W(Tc) TO-252AA
型号:
RFD4N06LSM9A
仓库库存编号:
RFD4N06LSM9A-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 1.6A(Tc) 2.5W(Ta),30W(Tc) D-Pak
型号:
FQD2N50TM
仓库库存编号:
FQD2N50TM-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 2.1A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 2.1A(Tc) 3.13W(Ta),55W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB2N50TM
仓库库存编号:
FQB2N50TM-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 1.6A(Tc) 2.5W(Ta),30W(Tc) D-Pak
型号:
FQD2N50TF
仓库库存编号:
FQD2N50TF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 1.3A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 500V 1.3A(Tc) 20W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF2N50
仓库库存编号:
FQPF2N50-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 2.8A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 200V 2.8A(Tc) 3.13W(Ta),52W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB3P20TM
仓库库存编号:
FQB3P20TM-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8nC @ 10V,
无铅
搜索
1
2
3
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号