产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 4.5V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 62A(Tc) 87W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3708S
仓库库存编号:
IRF3708S-ND
别名:*IRF3708S
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 4.5V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 62A(Tc) 87W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3708STRL
仓库库存编号:
IRF3708STRL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 4.5V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 62A(Tc) 87W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3708STRR
仓库库存编号:
IRF3708STRR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 61A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 61A(Tc) 87W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU3708
仓库库存编号:
IRFU3708-ND
别名:*IRFU3708
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 62A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 30V 62A(Tc) 87W(Tc) TO-262
型号:
IRF3708L
仓库库存编号:
IRF3708L-ND
别名:*IRF3708L
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 61A(Tc) 87W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3708
仓库库存编号:
IRFR3708-ND
别名:*IRFR3708
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 61A(Tc) 87W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3708TR
仓库库存编号:
IRFR3708TR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 61A(Tc) 87W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3708TRL
仓库库存编号:
IRFR3708TRL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 61A(Tc) 87W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3708TRR
仓库库存编号:
IRFR3708TRR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13A(Ta),55A(Tc) 2.1W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? ST
型号:
IRF6608
仓库库存编号:
IRF6608CT-ND
别名:*IRF6608
IRF6608CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 92A(Tc) 79W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3711ZCS
仓库库存编号:
IRF3711ZCS-ND
别名:*IRF3711ZCS
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 92A(Tc) 79W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3711ZS
仓库库存编号:
IRF3711ZS-ND
别名:*IRF3711ZS
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 92A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 20V 92A(Tc) 79W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF3711Z
仓库库存编号:
IRF3711Z-ND
别名:*IRF3711Z
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 92A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 20V 92A(Tc) 79W(Tc) TO-262
型号:
IRF3711ZL
仓库库存编号:
IRF3711ZL-ND
别名:*IRF3711ZL
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 92A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 20V 92A(Tc) 79W(Tc) TO-262
型号:
IRF3711ZCL
仓库库存编号:
IRF3711ZCL-ND
别名:*IRF3711ZCL
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 92A(Tc) 79W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3711ZCSTRL
仓库库存编号:
IRF3711ZCSTRL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 92A(Tc) 79W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3711ZCSTRR
仓库库存编号:
IRF3711ZCSTRR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 92A(Tc) 79W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3711ZSTRL
仓库库存编号:
IRF3711ZSTRL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 4.5V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 92A(Tc) 79W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3711ZSTRR
仓库库存编号:
IRF3711ZSTRR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 92A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 20V 92A(Tc) 79W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF3711ZPBF
仓库库存编号:
IRF3711ZPBF-ND
别名:*IRF3711ZPBF
SP001574618
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 92A(Tc) 79W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3711ZSPBF
仓库库存编号:
IRF3711ZSPBF-ND
别名:*IRF3711ZSPBF
SP001561710
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 62A(Tc) 87W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3708SPBF
仓库库存编号:
IRF3708SPBF-ND
别名:*IRF3708SPBF
SP001553954
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 61A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 61A(Tc) 87W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU3708PBF
仓库库存编号:
IRFU3708PBF-ND
别名:*IRFU3708PBF
SP001573620
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 92A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 20V 92A(Tc) 79W(Tc) TO-262
型号:
IRF3711ZLPBF
仓库库存编号:
IRF3711ZLPBF-ND
别名:*IRF3711ZLPBF
SP001563124
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 4.5V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 92A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 20V 92A(Tc) 79W(Tc) TO-262
型号:
IRF3711ZCLPBF
仓库库存编号:
IRF3711ZCLPBF-ND
别名:*IRF3711ZCLPBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 4.5V,
无铅
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