产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 94W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD90N03S4L03ATMA1
仓库库存编号:
IPD90N03S4L03ATMA1CT-ND
别名:IPD90N03S4L-03INCT
IPD90N03S4L-03INCT-ND
IPD90N03S4L03ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 23.8A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 23.8A(Tc) 176W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R160C6
仓库库存编号:
IPP60R160C6-ND
别名:IPP60R160C6XKSA1
SP000652796
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 23.8A TO220-FP
详细描述:通孔 N 沟道 23.8A(Tc) 34W(Tc) PG-TO-220-FP
型号:
IPA60R160C6
仓库库存编号:
IPA60R160C6-ND
别名:IPA60R160C6XKSA1
SP000652794
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 23.8A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 23.8A(Tc) 176W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW60R160C6
仓库库存编号:
IPW60R160C6-ND
别名:IPW60R160C6FKSA1
SP000652798
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 80A(Tc) 94W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N03S4L03ATMA1
仓库库存编号:
IPB80N03S4L03ATMA1CT-ND
别名:IPB80N03S4L-03CT
IPB80N03S4L-03CT-ND
IPB80N03S4L03ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 23.8A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 23.8A(Tc) 176W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB60R160C6
仓库库存编号:
IPB60R160C6CT-ND
别名:IPB60R160C6CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 80A(Tc) 79W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N06S4L07ATMA2
仓库库存编号:
IPB80N06S4L07ATMA2-ND
别名:SP001028674
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 90A(Tc) 79W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD90N06S4L06ATMA2
仓库库存编号:
IPD90N06S4L06ATMA2-ND
别名:SP001028682
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 42A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR2307ZTRLPBF
仓库库存编号:
IRFR2307ZTRLPBF-ND
别名:SP001555008
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 80A(Tc) 79W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N06S4L07AKSA2
仓库库存编号:
IPP80N06S4L07AKSA2-ND
别名:SP001028668
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 42A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR2307Z
仓库库存编号:
IRFR2307Z-ND
别名:*IRFR2307Z
SP001552080
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 42A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR2307ZPBF
仓库库存编号:
IRFR2307ZPBF-ND
别名:*IRFR2307ZPBF
SP001564942
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 45A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 55V 45A(Tc) 65W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI45N06S3L-13
仓库库存编号:
IPI45N06S3L-13IN-ND
别名:IPI45N06S3L-13-ND
IPI45N06S3L-13IN
IPI45N06S3L13X
IPI45N06S3L13XK
SP000102216
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 45A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 55V 45A(Tc) 65W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP45N06S3L-13
仓库库存编号:
IPP45N06S3L-13IN-ND
别名:IPP45N06S3L-13-ND
IPP45N06S3L-13IN
IPP45N06S3L13X
IPP45N06S3L13XK
SP000102215
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 45A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 45A(Tc) 65W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB45N06S3L-13
仓库库存编号:
IPB45N06S3L-13INCT-ND
别名:IPB45N06S3L-13INCT
IPB45N06S3L13
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 42A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 75V 42A(Tc) 110W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU2307ZPBF
仓库库存编号:
IRFU2307ZPBF-ND
别名:SP001565178
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 30V 80A(Tc) 94W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI80N03S4L04AKSA1
仓库库存编号:
IPI80N03S4L04AKSA1-ND
别名:IPI80N03S4L-04
IPI80N03S4L-04-ND
SP000274983
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 30V 80A(Tc) 94W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N03S4L04AKSA1
仓库库存编号:
IPP80N03S4L04AKSA1-ND
别名:IPP80N03S4L-04
IPP80N03S4L-04-ND
SP000274981
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 80A(Tc) 79W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N06S4L07ATMA1
仓库库存编号:
IPB80N06S4L07ATMA1TR-ND
别名:IPB80N06S4L-07
IPB80N06S4L-07-ND
SP000415572
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 90A(Tc) 79W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD90N06S4L06ATMA1
仓库库存编号:
IPD90N06S4L06ATMA1TR-ND
别名:IPD90N06S4L-06
IPD90N06S4L-06-ND
SP000415594
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 80A(Tc) 79W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI80N06S4L07AKSA1
仓库库存编号:
IPI80N06S4L07AKSA1-ND
别名:IPI80N06S4L-07
IPI80N06S4L-07-ND
SP000415694
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 80A(Tc) 79W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N06S4L07AKSA1
仓库库存编号:
IPP80N06S4L07AKSA1-ND
别名:IPP80N06S4L-07
IPP80N06S4L-07-ND
SP000415710
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 21A(Ta),100A(Tc) 3.6W(Ta),114W(Tc) PQFN(5x6)
型号:
IRFH5106TR2PBF
仓库库存编号:
IRFH5106TR2PBFCT-ND
别名:IRFH5106TR2PBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 42A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
AUIRFR2307Z
仓库库存编号:
AUIRFR2307Z-ND
别名:SP001522814
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 75nC @ 10V,
无铅
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