产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 8.8A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 8.8A(Ta) 42W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB08P06P
仓库库存编号:
SPB08P06P-ND
别名:SP000012508
SPB08P06PT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 8.83A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 8.83A(Ta) 42W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD08P06P
仓库库存编号:
SPD08P06P-ND
别名:SP000077441
SPD08P06PXT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 19A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 19A(Tc) 47W(Tc) P-TO252-3
型号:
SPD15N06S2L-64
仓库库存编号:
SPD15N06S2L-64-ND
别名:SP000013573
SPD15N06S2L64T
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 0.4A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 400mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
SPN02N60C3
仓库库存编号:
SPN02N60C3-ND
别名:SP000101878
SPN02N60C3XT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 0.4A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 400mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
SPN02N60C3 E6433
仓库库存编号:
SPN02N60C3 E6433-ND
别名:SP000101883
SPN02N60C3E6433XT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 18A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 18A(Tc) 47W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD640N06LGBTMA1
仓库库存编号:
IPD640N06LGBTMA1CT-ND
别名:IPD640N06LGINCT
IPD640N06LGINCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 8.83A TO-252
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 8.83A(Ta) 42W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD08P06PGBTMA1
仓库库存编号:
SPD08P06PGINCT-ND
别名:SPD08P06PGINCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 19A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 19A(Tc) 47W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD15N06S2L64ATMA1
仓库库存编号:
IPD15N06S2L64ATMA1TR-ND
别名:IPD15N06S2L-64
IPD15N06S2L-64-ND
SP000252162
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 4.1A DFET SB
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 4.1A(Ta),14.4A(Tc) 2.4W(Ta),30W(Tc) DIRECTFET SB
型号:
IRF7665S2TR1PBF
仓库库存编号:
IRF7665S2TR1PBFCT-ND
别名:IRF7665S2TR1PBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 4.4A(Tc) 37W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R950C6
仓库库存编号:
IPD60R950C6INCT-ND
别名:IPD60R950C6INCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SH
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 4.2A(Ta),19A(Tc) 2.2W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? SH
型号:
IRF6665
仓库库存编号:
IRF6665-ND
别名:SP001554114
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SH
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 4.2A(Ta),19A(Tc) 2.2W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? SH
型号:
IRF6665TR1
仓库库存编号:
IRF6665TR1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 6A PQFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 6A(Ta),13A(Tc) 2.1W(Ta) 6-PQFN(2x2)
型号:
IRFHS9301TR2PBF
仓库库存编号:
IRFHS9301TR2PBFCT-ND
别名:IRFHS9301TR2PBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO-251-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 4.3A(Tc) 37W(Tc) TO-251
型号:
IPU60R1K0CEBKMA1
仓库库存编号:
IPU60R1K0CEBKMA1-ND
别名:SP001276056
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
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