产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET,MOSFET - 单
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc. (9)
Diodes Incorporated (1)
Infineon Technologies (39)
IXYS (6)
Nexperia USA Inc. (1)
NXP USA Inc. (2)
Fairchild/ON Semiconductor (63)
ON Semiconductor (8)
Renesas Electronics America (2)
Rohm Semiconductor (3)
STMicroelectronics (33)
Taiwan Semiconductor Corporation (16)
Toshiba Semiconductor and Storage (1)
Vishay Siliconix (27)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 800V 6.5A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 6.5A(Ta) 110W(Tc) TO-220
型号:
TK7E80W,S1X
仓库库存编号:
TK7E80WS1X-ND
别名:TK7E80W,S1X(S
TK7E80WS1X
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 3.4A TO-220F
详细描述:通孔 P 沟道 3.4A(Tc) 38W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF5P20
仓库库存编号:
FQPF5P20-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 2.5A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 2.5A(Tc) 35W(Tc) I-Pak
型号:
FQU3N50CTU
仓库库存编号:
FQU3N50CTU-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.1A(Ta) 2.5W(Ta),5W(Tc) 8-SO
型号:
FDS86242
仓库库存编号:
FDS86242CT-ND
别名:FDS86242CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 4.5A(Tc) 33W(Tc) TO-220F
型号:
FDPF5N60NZ
仓库库存编号:
FDPF5N60NZ-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 4.5A(Tc) 100W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP5N60NZ
仓库库存编号:
FDP5N60NZ-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 620V 2.7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.7A(Tc) 45W(Tc) D-Pak
型号:
STD3N62K3
仓库库存编号:
497-8478-1-ND
别名:497-8478-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 9A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 22W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPAW60R360P7SXKSA1
仓库库存编号:
IPAW60R360P7SXKSA1-ND
别名:SP001606074
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 9A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 22W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA60R360P7XKSA1
仓库库存编号:
IPA60R360P7XKSA1-ND
别名:SP001606040
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 9A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 41W(Tc) PG-TO220-3
型号:
IPP60R360P7XKSA1
仓库库存编号:
IPP60R360P7XKSA1-ND
别名:SP001606036
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 400V 2A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 2A(Tc) 63W(Tc) TO-220AB
型号:
FQP2P40_F080
仓库库存编号:
FQP2P40_F080-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 6A
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 110W(Tc) H2Pak-2
型号:
STH6N95K5-2
仓库库存编号:
497-16316-1-ND
别名:497-16316-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
无铅
搜索
IXYS
2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
详细描述:通孔 N 沟道 400mA(Tc) 104W(Tc) TO-247HV
型号:
IXTH04N300P3HV
仓库库存编号:
IXTH04N300P3HV-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
不受无铅要求限制
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 9A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Tc) 7W(Tc) PG-SOT223
型号:
IPN60R360P7SATMA1
仓库库存编号:
IPN60R360P7SATMA1CT-ND
别名:IPN60R360P7SATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 9A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Tc) 41W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R360P7ATMA1
仓库库存编号:
IPD60R360P7ATMA1CT-ND
别名:IPD60R360P7ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 10A VSON-4
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Tc) 46W(Tc) PG-VSON-4
型号:
IPL60R365P7AUMA1
仓库库存编号:
IPL60R365P7AUMA1CT-ND
别名:IPL60R365P7AUMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 9A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Tc) 90W(Tc) D-Pak
型号:
STD6N95K5
仓库库存编号:
497-12852-1-ND
别名:497-12852-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 9A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STF6N95K5
仓库库存编号:
497-12854-5-ND
别名:497-12854-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 15.1A (Tc) 26W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7322ADN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7322ADN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7322ADN-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Tc) 63W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM60NB600CP ROG
仓库库存编号:
TSM60NB600CP ROGTR-ND
别名:TSM60NB600CP ROGTR
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Tc) 63W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM60NB600CP ROG
仓库库存编号:
TSM60NB600CP ROGCT-ND
别名:TSM60NB600CP ROGCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Tc) 63W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM60NB600CP ROG
仓库库存编号:
TSM60NB600CP ROGDKR-ND
别名:TSM60NB600CP ROGDKR
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 620V 2.7A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 2.7A(Tc) 45W(Tc) I-Pak
型号:
STU3N62K3
仓库库存编号:
497-12695-5-ND
别名:497-12695-5
STU3N62K3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 20A POWERFLAT
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Tc) 65W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL8N6LF3
仓库库存编号:
STL8N6LF3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 10A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Tc) 85W(Tc) DPAK
型号:
STD15N50M2AG
仓库库存编号:
STD15N50M2AG-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
无铅
搜索
1
2
3
4
5
6
7
8
9
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号