产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 9A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 22W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA60R360P7SXKSA1
仓库库存编号:
IPA60R360P7SXKSA1-ND
别名:SP001606068
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 500V 5A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 5A(Ta) 28.5W(Tc) TO-220FL
型号:
RJK5030DPP-M0#T2
仓库库存编号:
RJK5030DPP-M0#T2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 89W(Tc) TO-252
型号:
IXTY4N60P
仓库库存编号:
IXTY4N60P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 8A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 180W(Tc) TO-220AB
型号:
IXFP8N50P3
仓库库存编号:
IXFP8N50P3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 8A TO-263AA
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Tc) 180W(Tc) TO-263(IXFA)
型号:
IXFA8N50P3
仓库库存编号:
IXFA8N50P3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 18A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 18A(Ta),63A(Tc) 2.5W(Ta),30W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC0906NSATMA1
仓库库存编号:
BSC0906NSATMA1CT-ND
别名:BSC0906NSCT
BSC0906NSCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO-251-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 4.3A(Tc) PG-TO251
型号:
IPU60R1K0CEAKMA1
仓库库存编号:
IPU60R1K0CEAKMA1-ND
别名:SP001369532
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.3A TO-251-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 4.3A(Tc) 61W(Tc) PG-TO251
型号:
IPU60R1K0CEAKMA2
仓库库存编号:
IPU60R1K0CEAKMA2-ND
别名:SP001396378
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.4A TO251
详细描述:通孔 N 沟道 600V 4.4A(Tc) 37W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU60R950C6AKMA1
仓库库存编号:
IPU60R950C6AKMA1-ND
别名:SP001292888
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-263
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 8.8A(Ta) 42W(Tc) PG-TO263-2
型号:
SPB08P06PGATMA1
仓库库存编号:
SPB08P06PGATMA1TR-ND
别名:SP000102179
SPB08P06P G
SPB08P06P G-ND
SPB08P06PGINTR
SPB08P06PGINTR-ND
SPB08P06PGXT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 77A DIRECTFET2
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 4.1A(Ta),14.4A(Tc) 2.4W(Ta),30W(Tc) DIRECTFET SB
型号:
AUIRF7665S2TR
仓库库存编号:
AUIRF7665S2TR-ND
别名:SP001519440
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 6.8A(Tc) 26W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA60R1K0CEXKSA1
仓库库存编号:
IPA60R1K0CEXKSA1-ND
别名:SP001429478
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 4.6A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 4.6A(Tc) 45W(Tc) TO-220AB
型号:
STP6NM60N
仓库库存编号:
497-7530-5-ND
别名:497-7530-5
STP6NM60N-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 11A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 60V 11A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STP16NF06FP
仓库库存编号:
STP16NF06FP-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 300V 5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 300V 5A(Tc) 50W(Tc) TO-220AB
型号:
STP7NK30Z
仓库库存编号:
STP7NK30Z-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 550V 8A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 550V 8A(Tc) 100W(Tc) TO-220AB
型号:
STP8NM50
仓库库存编号:
STP8NM50-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 550V 8A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 550V 8A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STP8NM50FP
仓库库存编号:
497-5396-5-ND
别名:497-5396-5
STP8NM50FP-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 5.75A POWERFLAT
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 5.75A(Tc) 70W(Tc) PowerFLAT?(5x5)
型号:
STL6NM60N
仓库库存编号:
497-7992-1-ND
别名:497-7992-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 4.6A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 600V 4.6A(Tc) 20W(Tc) TO-220FP
型号:
STF6NM60N
仓库库存编号:
STF6NM60N-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 300V 5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 300V 5A(Tc) 50W(Tc) D-Pak
型号:
STD7NK30Z
仓库库存编号:
STD7NK30Z-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 4.6A(Tc) 45W(Tc) D-Pak
型号:
STD6NM60N
仓库库存编号:
STD6NM60N-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 4.6A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 4.6A(Tc) 45W(Tc) D2PAK
型号:
STB6NM60N
仓库库存编号:
497-8770-1-ND
别名:497-8770-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 4.6A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 600V 4.6A(Tc) 45W(Tc) I-Pak
型号:
STD6NM60N-1
仓库库存编号:
STD6NM60N-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 5.2A(Ta) 510mW(Ta) TO-236AB(SOT23)
型号:
PMV22EN,215
仓库库存编号:
568-7535-1-ND
别名:568-7535-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 50V 1.7A 4-DIP
详细描述:通孔 N 沟道 50V 1.7A(Tc) 1W(Tc) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD010
仓库库存编号:
IRFD010-ND
别名:*IRFD010
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
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