产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 400V 1.56A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 400V 1.56A(Tc) 2.5W(Ta),38W(Tc) D-Pak
型号:
FQD2P40TF_F080
仓库库存编号:
FQD2P40TF_F080-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 200V 3.7A(Tc) 2.5W(Ta),45W(Tc) D-Pak
型号:
FQD5P20TM_F080
仓库库存编号:
FQD5P20TM_F080-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 32A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 7.7A(Ta),32A(Tc) 1.36W(Ta),24W(Tc) I-Pak
型号:
NTD4913N-1G
仓库库存编号:
NTD4913N-1G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 32A IPAK TRIMMED
详细描述:通孔 N 沟道 30V 7.7A(Ta),32A(Tc) 1.36W(Ta),24W(Tc) I-Pak
型号:
NTD4913N-35G
仓库库存编号:
NTD4913N-35G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 32A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 7.7A(Ta),32A(Tc) 1.36W(Ta),24W(Tc) DPAK
型号:
NTD4913NT4G
仓库库存编号:
NTD4913NT4G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 4.6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 4.6A(Tc) 2.5W(Ta),5W(Tc) 8-SO
型号:
SI4104DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4104DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4104DY-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 400V 1.8A(Tc) 50W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9310TRRPBF
仓库库存编号:
IRFR9310TRRPBF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 2.7A 6TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 2.7A(Ta) 1.14W(Ta) 6-TSOP
型号:
SI3455ADV-T1-GE3
仓库库存编号:
SI3455ADV-T1-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 4.5A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 4.5A(Ta) 1.1W(Ta) 6-TSOP
型号:
SI3456BDV-T1-GE3
仓库库存编号:
SI3456BDV-T1-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 4.6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 4.6A(Tc) 2.5W(Ta),5W(Tc) 8-SO
型号:
SI4104DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4104DY-T1-E3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 6A CPH6
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 6A(Ta) 1.6W(Ta) 6-CPH
型号:
CPH6350-TL-E
仓库库存编号:
CPH6350-TL-E-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 40V 7A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 7A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SO
型号:
AO4450_101
仓库库存编号:
AO4450_101-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 40V 7A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 7A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SO
型号:
AO4450L
仓库库存编号:
AO4450L-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 10A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SO
型号:
AO4496_101
仓库库存编号:
AO4496_101-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:通孔 N 沟道 650V 2A(Tc) 65W(Tc) TO-251(IPAK)
型号:
TSM2NB65CH X0G
仓库库存编号:
TSM2NB65CH X0G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 2A(Tc) 65W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM2NB65CP ROG
仓库库存编号:
TSM2NB65CP ROGTR-ND
别名:TSM2NB65CP ROGTR
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 2A(Tc) 65W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM2NB65CP ROG
仓库库存编号:
TSM2NB65CP ROGCT-ND
别名:TSM2NB65CP ROGCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 2A(Tc) 65W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM2NB65CP ROG
仓库库存编号:
TSM2NB65CP ROGDKR-ND
别名:TSM2NB65CP ROGDKR
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH SSOT6
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 6.3A 800mW SuperSOT?-6
型号:
FDC655BN_NBNN007
仓库库存编号:
FDC655BN_NBNN007-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 8.83A TO-251
详细描述:通孔 P 沟道 60V 8.83A(Ta) 42W(Tc) PG-TO251-3
型号:
SPU08P06P
仓库库存编号:
SPU08P06PIN-ND
别名:SP000012086
SPU08P06PIN
SPU08P06PX
SPU08P06PXTIN
SPU08P06PXTIN-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 21A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 21A(Tc) 69W(Tc) TO-220AB
型号:
PHP21N06T,127
仓库库存编号:
PHP21N06T,127-ND
别名:934054540127
PHP21N06T
PHP21N06T-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 4.2A(Ta),19A(Tc) 2.2W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? SH
型号:
IRF6665TR1PBF
仓库库存编号:
IRF6665TR1PBFCT-ND
别名:IRF6665TR1PBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 8.8A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 8.8A(Ta) 42W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB08P06P
仓库库存编号:
SPB08P06P-ND
别名:SP000012508
SPB08P06PT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 8.83A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 8.83A(Ta) 42W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD08P06P
仓库库存编号:
SPD08P06P-ND
别名:SP000077441
SPD08P06PXT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 19A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 19A(Tc) 47W(Tc) P-TO252-3
型号:
SPD15N06S2L-64
仓库库存编号:
SPD15N06S2L-64-ND
别名:SP000013573
SPD15N06S2L64T
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 13nC @ 10V,
含铅
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