产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 6.4A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 6.4A(Ta),30A(Tc) 3.1W(Ta),71W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB3860
仓库库存编号:
FDB3860CT-ND
别名:FDB3860CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 7A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 7A(Tc) 83W(Tc) TO-220-3
型号:
FCP7N60_F080
仓库库存编号:
FCP7N60_F080-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 6A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 600V 6A(Ta) 80W(Tc) TO-220AB
型号:
2SK2544(F)
仓库库存编号:
2SK2544(F)-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 8A TO220FN
详细描述:通孔 N 沟道 250V 8A(Ta) 35W(Tc) TO-220FN
型号:
RDN080N25FU6
仓库库存编号:
RDN080N25FU6-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 6A(Tc) 1.25W(Ta),20W(Tc) DPAK-3
型号:
MTD6N15T4GV
仓库库存编号:
MTD6N15T4GV-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 2.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 2.3A(Ta) 1.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI4418DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4418DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4418DY-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 4.8A(Ta) 1.8W(Ta) 8-SO
型号:
SI4484EY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4484EY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4484EY-T1-GE3CT
SI4484EYT1GE3
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 12A(Tc) 3.1W(Ta),31W(Tc) 8-PowerPak? ChipFet(3x1.9)
型号:
SI5456DU-T1-GE3
仓库库存编号:
SI5456DU-T1-GE3CT-ND
别名:SI5456DU-T1-GE3CT
SI5456DUT1GE3
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 2.6A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7462DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7462DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7462DP-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.9A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 5.9A(Ta),20A(Tc) 2.5W(Ta),56W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD50N10-34P-T4-E3
仓库库存编号:
SUD50N10-34P-T4-E3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4720
仓库库存编号:
785-1296-1-ND
别名:785-1296-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 30A 8DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Ta),50A(Tc) 6.2W(Ta),83W(Tc) 8-DFN-EP(3.3x3.3)
型号:
AON7210
仓库库存编号:
785-1376-1-ND
别名:785-1376-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 6A(Ta) 8-SOIC
型号:
NVMSD6N303R2G
仓库库存编号:
NVMSD6N303R2G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 12A(Ta) 55W(Tj) DPAK-3
型号:
NTD2955PT4G
仓库库存编号:
NTD2955PT4GOSCT-ND
别名:NTD2955PT4GOSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N CH 30V 28.5A 8DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 28.5A(Ta),72A(Tc) 5.6W(Ta),35.5W(Tc) 8-DFN(5x6)
型号:
AON6530
仓库库存编号:
AON6530-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 10A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 10A(Ta) 30W(Tc) TO-220FP
型号:
RJK6012DPP-E0#T2
仓库库存编号:
RJK6012DPP-E0#T2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 700V 9A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 700V 9A(Tc) 52W(Tc) TO-220F
型号:
GP1M009A070F
仓库库存编号:
GP1M009A070F-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 10A
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 10A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SO
型号:
AO4266
仓库库存编号:
AO4266-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 22A(Ta),55A(Tc) 5.5W(Ta),35.5W(Tc) 8-DFN(5x6)
型号:
AON6546
仓库库存编号:
AON6546-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET NCH 60V 46A TO251A
详细描述:通孔 N 沟道 60V 10A(Ta),46A(Tc) 2.5W(Ta),71.5W(Tc) TO-251A
型号:
AOI2610
仓库库存编号:
785-1722-5-ND
别名:785-1722-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET NCH 60V 35A TO251A
详细描述:通孔 N 沟道 60V 13A(Ta), 35A(Tc) 6.2W(Ta),60W(Tc) TO-251A
型号:
AOI2614
仓库库存编号:
785-1723-5-ND
别名:785-1723-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 28A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 28A(Tc) 68W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFZ34E
仓库库存编号:
IRFZ34E-ND
别名:*IRFZ34E
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 28A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 28A(Tc) 68W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFZ34EPBF
仓库库存编号:
IRFZ34EPBF-ND
别名:*IRFZ34EPBF
SP001567916
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 110V 20.8A SOT186A
详细描述:通孔 N 沟道 110V 20.8A(Tc) 50W(Tc) TO-220-3
型号:
PHX27NQ11T,127
仓库库存编号:
PHX27NQ11T,127-ND
别名:934058494127
PHX27NQ11T
PHX27NQ11T-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 3.44A 8DSO
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 3.44A(Ta) 2.5W(Ta) PG-DSO-8
型号:
BSO613SPV
仓库库存编号:
BSO613SPV-ND
别名:BSO613SPVT
SP000012847
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
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