产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 11A TO-220FM
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Ta),5.4A(Tc) 50W(Tc) TO-220FM
型号:
R5011FNX
仓库库存编号:
R5011FNX-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
N-CHANNEL 950 V, 0.41 OHM TYP.,
详细描述:通孔 N 沟道 7.5A(Ta) 30W I2PAKFP(TO-281)
型号:
STFI15N95K5
仓库库存编号:
497-17092-ND
别名:497-17092
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 26A SO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 26A(Tc) 45W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJ474EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ474EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJ474EP-T1_GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 150V 8.9A 1212-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 150V 8.9A(Tc) 3.8W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7315DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7315DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7315DN-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 28A(Tc) 107W(Tc) D2PAK
型号:
PHB27NQ10T,118
仓库库存编号:
1727-4763-1-ND
别名:1727-4763-1
568-5940-1
568-5940-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 10A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Tc) 38W(Tc) TO-220F
型号:
FDPF10N60NZ
仓库库存编号:
FDPF10N60NZ-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 10A TO-220 FPAK
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Tc) 33W(Tc) TO-220 整包
型号:
SIHF10N40D-E3
仓库库存编号:
SIHF10N40D-E3-ND
别名:SIHF10N40DE3
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 90W(Tc) I2PAK
型号:
STI13NM60N
仓库库存编号:
497-12258-ND
别名:497-12258
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 22A POWER56
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Ta),22A(Tc) 2.5W(Ta),33W(Tc) Power56
型号:
FDMS7682
仓库库存编号:
FDMS7682CT-ND
别名:FDMS7682CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 25A 8TSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Ta) 700mW(Ta),30W(Tc) 8-TSON
型号:
TPCC8008(TE12L,QM)
仓库库存编号:
TPCC8008(TE12LQM)CT-ND
别名:TPCC8008(TE12LQM)CT
TPCC8008TE12LQM
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CHAN 60V TSOP6S
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.5A(Ta),13A(Tc) 2W(Ta),4.2W(Tc) 6-TSOP
型号:
SI3127DV-T1-GE3
仓库库存编号:
SI3127DV-T1-GE3CT-ND
别名:SI3127DV-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 23A SO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 23A(Tc) 45W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJ158EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ158EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJ158EP-T1_GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Tc) 29.8W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR172DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR172DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR172DP-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 50A POWER56
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 75W(Tj) Power56
型号:
FDMS86380_F085
仓库库存编号:
FDMS86380_F085CT-ND
别名:FDMS86380_F085CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 19.3A(Tc) 2.5W(Ta),5W(Tc) 8-SO
型号:
SI4162DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4162DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4162DY-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 75W(Tj) D-Pak
型号:
FDD86580_F085
仓库库存编号:
FDD86580_F085CT-ND
别名:FDD86580_F085CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 50A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 75W(Tj) D-PAK(TO-252AA)
型号:
FDD86380_F085
仓库库存编号:
FDD86380_F085CT-ND
别名:FDD86380_F085CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 7.2A SOT-223-4
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.2A(Ta) 3W(Ta) SOT-223-4
型号:
NDT451AN
仓库库存编号:
NDT451ANCT-ND
别名:NDT451ANCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 5A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 5A(Ta) 1.14W(Ta) 6-TSOP
型号:
SI3469DV-T1-GE3
仓库库存编号:
SI3469DV-T1-GE3CT-ND
别名:SI3469DV-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 190V 7.5A CPT3
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.5A(Tc) 850mW(Ta),20W(Tc) CPT3
型号:
RCD075N19TL
仓库库存编号:
RCD075N19TLCT-ND
别名:RCD075N19TLCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 40A 8WDFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Ta) 3.2W(Ta),21W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NVTFS5811NLTAG
仓库库存编号:
NVTFS5811NLTAGOSCT-ND
别名:NVTFS5811NLTAGOSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 6.8W(Tc)
型号:
SQ4850EY-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ4850EY-T1_GE3CT-ND
别名:SQ4850EY-T1_GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 78A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 11.9A(Ta),78A(Tc) 770mW(Ta) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4C55NT1G
仓库库存编号:
NTMFS4C55NT1GOSCT-ND
别名:NTMFS4C55NT1GOSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 24A
详细描述:表面贴装 N 沟道 24A(Tc) 45W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJ850EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ850EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJ850EP-T1_GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7454DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7454DP-T1-E3CT-ND
别名:SI7454DP-T1-E3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
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