产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 11A LPT
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 50W(Tc) LPTS
型号:
R5011FNJTL
仓库库存编号:
R5011FNJTLCT-ND
别名:R5011FNJTLCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Tc) 83W(Tc) D-Pak
型号:
FCD7N60TM_WS
仓库库存编号:
FCD7N60TM_WSCT-ND
别名:FCD7N60TM_WSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 11.5A(Tc) 165W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB12N50TM
仓库库存编号:
FDB12N50TMCT-ND
别名:FDB12N50TMCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 10A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Tc) 90W(Tc) D-Pak
型号:
STD11NM60ND
仓库库存编号:
497-8477-1-ND
别名:497-8477-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 100W(Tc) D2PAK
型号:
STB12NM50N
仓库库存编号:
497-5781-1-ND
别名:497-5781-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 90W(Tc) D2PAK
型号:
STB13NM60N
仓库库存编号:
497-10984-1-ND
别名:497-10984-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 3.6A MICRO8
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.6A(Ta) 1.8W(Ta) Micro8?
型号:
IRF7606TR
仓库库存编号:
IRF7606CT-ND
别名:*IRF7606TR
IRF7606
IRF7606CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 3.6A MICRO8
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.6A(Ta) 1.8W(Ta) Micro8?
型号:
IRF7606TRPBF
仓库库存编号:
IRF7606TRPBFCT-ND
别名:IRF7606TRPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 9A(Ta),39.5A(Tc) 2.1W(Ta),40W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ180P03NS3EGATMA1
仓库库存编号:
BSZ180P03NS3EGATMA1CT-ND
别名:BSZ180P03NS3EGATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 71A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Ta),71A(Tc) 2.5W(Ta),45W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC057N03LSGATMA1
仓库库存编号:
BSC057N03LSGATMA1CT-ND
别名:BSC057N03LSGINCT
BSC057N03LSGINCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 3.44A 8DSO
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.44A(Ta) 2.5W(Ta) PG-DSO-8
型号:
BSO613SPV G
仓库库存编号:
BSO613SPV GCT-ND
别名:BSO613SPV GCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 37A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 37A(Tc) 103W(Tc) D2PAK
型号:
PSMN027-100BS,118
仓库库存编号:
1727-7210-1-ND
别名:1727-7210-1
568-9701-1
568-9701-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 300V 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Tc) 150W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC13DN30NSFDATMA1
仓库库存编号:
BSC13DN30NSFDATMA1CT-ND
别名:BSC13DN30NSFDATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 150W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC350N20NSFDATMA1
仓库库存编号:
BSC350N20NSFDATMA1CT-ND
别名:BSC350N20NSFDATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 24A(Tc) 150W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC670N25NSFDATMA1
仓库库存编号:
BSC670N25NSFDATMA1CT-ND
别名:BSC670N25NSFDATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8.7A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 8.7A(Tc) 156W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF840BPBF
仓库库存编号:
IRF840BPBF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Tc) 147W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF740BPBF
仓库库存编号:
IRF740BPBF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 11.5A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 11.5A(Tc) 42W(Tc) TO-220F
型号:
FDPF12N50T
仓库库存编号:
FDPF12N50T-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 46A F7 TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 46A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STF100N6F7
仓库库存编号:
497-15884-5-ND
别名:497-15884-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 5.5A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 5.5A(Tc) 51W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF6N80C
仓库库存编号:
FQPF6N80C-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 11.6A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 11.6A(Tc) 53W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF16N15
仓库库存编号:
FQPF16N15-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220 FLPK
详细描述:通孔 N 沟道 8.7A(Tc) 33W(Tc) TO-220 整包
型号:
SIHF8N50D-E3
仓库库存编号:
SIHF8N50D-E3-ND
别名:SIHF8N50D-E3CT
SIHF8N50D-E3CT-ND
SIHF8N50DE3
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 11A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Ta) 50W(Tc) TO-220FM
型号:
R5011ANX
仓库库存编号:
R5011ANX-ND
别名:R5011ANXCT
R5011ANXCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 8.7A(Tc) 156W(Tc) TO-220AB
型号:
SIHP8N50D-E3
仓库库存编号:
SIHP8N50D-E3-ND
别名:SIHP8N50D-E3CT
SIHP8N50D-E3CT-ND
SIHP8N50DE3
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Tc) 147W(Tc) TO-220AB
型号:
SIHP10N40D-E3
仓库库存编号:
SIHP10N40D-E3-ND
别名:SIHP10N40DE3
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
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