产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 116A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 24.7A(Ta),116A(Tc) 3.61W(Ta),79W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS4C05NT1G
仓库库存编号:
NVMFS4C05NT1G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 3.7W(Ta),39W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SIS424DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SIS424DN-T1-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 116A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 24.7A(Ta),116A(Tc) 3.61W(Ta),79W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS4C05NWFT3G
仓库库存编号:
NVMFS4C05NWFT3G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 61A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 11.2A(Ta) 3.7W(Ta),107W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5844NLWFT3G
仓库库存编号:
NVMFS5844NLWFT3G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 22A CPT3
详细描述:表面贴装 N 沟道 22A(Tc) 850mW(Ta),20W(Tc) CPT3
型号:
RSD221N06TL
仓库库存编号:
RSD221N06TL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta) 1.88W(Ta),60W(Tj) DPAK-3
型号:
NTDV20N06T4G-VF01
仓库库存编号:
NTDV20N06T4G-VF01-ND
别名:NTDV20N06T4G
NTDV20N06T4G-ND
NVD5484NLT4G-VF01
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 116A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 24.7A(Ta),116A(Tc) 3.61W(Ta),79W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS4C05NWFT1G
仓库库存编号:
NVMFS4C05NWFT1G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 61A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 11.2A(Ta) 3.7W(Ta),107W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5844NLWFT1G
仓库库存编号:
NVMFS5844NLWFT1G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 40A U8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Ta) 3.2W(Ta),21W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NVTFS5811NLWFTWG
仓库库存编号:
NVTFS5811NLWFTWG-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 9A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Ta),55A(Tc) 2.1W(Ta),75W(Tc) TO-220
型号:
AOT2610L
仓库库存编号:
AOT2610L-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 35A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Ta),35A(Tc) 2.1W(Ta),31W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF2610L
仓库库存编号:
785-1638-5-ND
别名:785-1638-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 40A U8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Ta) 3.2W(Ta),21W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NVTFS5811NLWFTAG
仓库库存编号:
NVTFS5811NLWFTAG-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 400V 10A(Tc) 147W(Tc) TO-220AB
型号:
SIHP10N40D-GE3
仓库库存编号:
SIHP10N40D-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8.7A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 8.7A(Tc) 156W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SIHB8N50D-GE3
仓库库存编号:
SIHB8N50D-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 5.5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 800V 5.5A(Tc) 158W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP6N80C
仓库库存编号:
FQP6N80C-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 10A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 10A(Tc) 147W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SIHB10N40D-GE3
仓库库存编号:
SIHB10N40D-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 11.5A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 500V 11.5A(Tc) 42W(Tc) TO-220F
型号:
FDPF12N50FT
仓库库存编号:
FDPF12N50FT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7454DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7454DP-T1-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 23.4A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 23.4A(Tc) 41.1W(Tc) TO-220F
型号:
PSMN027-100XS,127
仓库库存编号:
568-9501-5-ND
别名:568-9501-5
934066046127
PSMN027-100XS,127-ND
PSMN027-100XS127
PSMN027100XS127
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 7A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 31W(Tc) TO-220F
型号:
FCPF7N60
仓库库存编号:
FCPF7N60-ND
别名:FCPF7N60_NL
FCPF7N60_NL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 501V 650V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
DMG8N65SCT
仓库库存编号:
DMG8N65SCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 10A LDPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Ta) 100W(Tc) 4-LDPAK
型号:
RJK6012DPE-00#J3
仓库库存编号:
RJK6012DPE-00#J3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Tc) 84W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD80R360P7ATMA1
仓库库存编号:
IPD80R360P7ATMA1CT-ND
别名:IPD80R360P7ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 11.5A(Tc) 165W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB12N50FTM_WS
仓库库存编号:
FDB12N50FTM_WSCT-ND
别名:FDB12N50FTM_WSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Ta) 75W(Tc) LPTS
型号:
R5011ANJTL
仓库库存编号:
R5011ANJTL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V,
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