产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET,MOSFET - 单
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc. (1)
Infineon Technologies (43)
IXYS (38)
Microsemi Corporation (12)
NXP USA Inc. (1)
Fairchild/ON Semiconductor (9)
Renesas Electronics America (2)
Rohm Semiconductor (5)
STMicroelectronics (20)
Taiwan Semiconductor Corporation (3)
Vishay Siliconix (33)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
STP85NF55
仓库库存编号:
497-6744-5-ND
别名:497-6744-5
STP85NF55-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 33A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 33A(Tc) 278W(Tc) TO-220AB
型号:
SIHP33N60E-GE3
仓库库存编号:
SIHP33N60E-GE3-ND
别名:SIHP33N60EGE3
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 64A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 64A(Tc) 830W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK64N50P
仓库库存编号:
IXFK64N50P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 40A(Tc) 625W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN48N60P
仓库库存编号:
IXFN48N60P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 625W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT18M100B
仓库库存编号:
APT18M100B-ND
别名:APT18M100BMI
APT18M100BMI-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
STP150NF04
仓库库存编号:
497-10075-5-ND
别名:497-10075-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR440DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR440DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR440DP-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 160A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 160A(Tc) 200W(Tc) TO-220AB
型号:
AUIRF1404Z
仓库库存编号:
AUIRF1404Z-ND
别名:SP001520218
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
STB100NF04T4
仓库库存编号:
497-5951-1-ND
别名:497-5951-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 300V 120A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 1130W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX120N30P3
仓库库存编号:
IXFX120N30P3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 64A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 64A(Tc) 830W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX64N50P
仓库库存编号:
IXFX64N50P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 300V 120A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 1130W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK120N30P3
仓库库存编号:
IXFK120N30P3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 565W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT12067B2FLLG
仓库库存编号:
APT12067B2FLLG-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N06S2L06ATMA2
仓库库存编号:
IPB80N06S2L06ATMA2CT-ND
别名:IPB80N06S2L06ATMA2CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 160A(Tc) 200W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
AUIRF1404ZSTRL
仓库库存编号:
AUIRF1404ZSTRLCT-ND
别名:AUIRF1404ZSTRLCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 22A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 23A(Tc) 625W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT22F80B
仓库库存编号:
APT22F80B-ND
别名:APT22F80BMI
APT22F80BMI-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
STP80NF06
仓库库存编号:
497-3201-5-ND
别名:497-3201-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
STB85NF55T4
仓库库存编号:
STB85NF55T4-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 300W(Tc) H2PAK
型号:
STH270N4F3-6
仓库库存编号:
497-11218-1-ND
别名:497-11218-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 48W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIRA52DP-T1-RE3
仓库库存编号:
SIRA52DP-T1-RE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 5.4W(Ta),83W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7868ADP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7868ADP-T1-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 150V 110A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 110A(Tc) 480W(Tc) TO-263(IXFA)
型号:
IXFA110N15T2
仓库库存编号:
IXFA110N15T2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 110A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 110A(Tc) 3.75W(Ta),375W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM110N04-03P-E3
仓库库存编号:
SUM110N04-03P-E3TR-ND
别名:SUM110N04-03P-E3-ND
SUM110N04-03P-E3TR
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 150V 110A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 110A(Tc) 480W(Tc) TO-220AB
型号:
IXFP110N15T2
仓库库存编号:
IXFP110N15T2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
N-CHANNEL 600V
详细描述:表面贴装 N 沟道 33A(Tc) 278W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SIHB33N60ET5-GE3
仓库库存编号:
SIHB33N60ET5-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V,
搜索
1
2
3
4
5
6
7
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号