产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 150W(Tc) D2PAK
型号:
STB24N60DM2
仓库库存编号:
497-15423-1-ND
别名:497-15423-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 16A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Tc) 150W(Tc) D2PAK
型号:
STB24N65M2
仓库库存编号:
497-15304-1-ND
别名:497-15304-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 190W(Tc) D2PAK
型号:
STB13N80K5
仓库库存编号:
497-13860-1-ND
别名:497-13860-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
N-CHANNEL 600 V, 0.195 OHM TYP.,
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Tc) 125W(Tc) PowerFlat?(8x8) HV
型号:
STL24N60DM2
仓库库存编号:
497-16940-1-ND
别名:497-16940-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 150W(Tc) D2PAK
型号:
STB24N60M2
仓库库存编号:
497-13575-1-ND
别名:497-13575-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 74A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 74A(Tc) 2.5W(Ta),69W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC072N08NS5ATMA1
仓库库存编号:
BSC072N08NS5ATMA1CT-ND
别名:BSC072N08NS5ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 54A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Ta),54A(Tc) 55W(Tc) TO-220AB
型号:
FDP8880
仓库库存编号:
FDP8880FS-ND
别名:FDP8880-ND
FDP8880FS
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 18A EP TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
STP25N60M2-EP
仓库库存编号:
497-15892-5-ND
别名:497-15892-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 4.8A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 4.8A(Tc) 30W(Tc) TO-220FP
型号:
NDF04N60ZG
仓库库存编号:
NDF04N60ZGOS-ND
别名:NDF04N60ZG-ND
NDF04N60ZGOS
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 18A EP TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 30W(Tc) TO-220FP
型号:
STF25N60M2-EP
仓库库存编号:
497-15886-5-ND
别名:497-15886-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 18A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 30W(Tc) TO-220FP
型号:
STFU24N60M2
仓库库存编号:
497-16110-5-ND
别名:497-16110-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
含铅
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STMicroelectronics
N-CHANNEL 600 V, 0.168 OHM TYP.,
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 35W(Tc) TO-220FP
型号:
STFH24N60M2
仓库库存编号:
497-16596-5-ND
别名:497-16596-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 4.3A TO220FP
详细描述:通孔 P 沟道 4.3A(Tc) 35W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI9630GPBF
仓库库存编号:
IRFI9630GPBF-ND
别名:*IRFI9630GPBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 8-MLP
详细描述:表面贴装 N 沟道 13.3A(Ta),16A(Tc) 2.3W(Ta),29W(Tc) 8-MLP(3.3x3.3)
型号:
FDMC7692
仓库库存编号:
FDMC7692CT-ND
别名:FDMC7692CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 10A DPAK-4
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Ta),46A(Tc) 3.1W(Ta),71W(Tc) DPAK
型号:
SVD5865NLT4G
仓库库存编号:
SVD5865NLT4GOSCT-ND
别名:NVD5865NLT4GOSCT
NVD5865NLT4GOSCT-ND
SVD5865NLT4GOSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55A(Ta) 60W(Ta) TO-252
型号:
FDD6680AS
仓库库存编号:
FDD6680ASFSCT-ND
别名:FDD6680ASFSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 12A(Tc) 3.5W(Ta),19W(Tc) PowerPAK? SC-70-6 单
型号:
SIA421DJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA421DJ-T1-GE3CT-ND
别名:SIA421DJ-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 54A TO-263AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Ta),54A(Tc) 55W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB8880
仓库库存编号:
FDB8880CT-ND
别名:FDB8880CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 62A TO-263AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.9A(Ta),62A(Tc) 115W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB13AN06A0
仓库库存编号:
FDB13AN06A0CT-ND
别名:FDB13AN06A0CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 6A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 28.4W(Tc) TO-220F
型号:
FCPF850N80Z
仓库库存编号:
FCPF850N80Z-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 6A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 75W(Tc) DPAK
型号:
FCD850N80Z
仓库库存编号:
FCD850N80ZCT-ND
别名:FCD850N80ZCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 16A MLPD8X8 4L
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Tc) 125W(Tc) PowerFlat?(8x8) HV
型号:
STL25N60M2-EP
仓库库存编号:
497-16249-1-ND
别名:497-16249-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 6.5A(Tc) 3W(Ta),74W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9630STRLPBF
仓库库存编号:
IRF9630STRLPBFCT-ND
别名:IRF9630STRLPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 8A
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 136W(Tc) TO-220
型号:
FCP850N80Z
仓库库存编号:
FCP850N80Z-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 16A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 330W(Tc) TO-220AB
型号:
IXFP16N50P3
仓库库存编号:
IXFP16N50P3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
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