产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 110nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 41A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 150V 41A(Tc) 48W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRFIB41N15DPBF
仓库库存编号:
IRFIB41N15DPBF-ND
别名:*IRFIB41N15DPBF
SP001572654
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 110nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 40V 80A(Tc) 188W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI80N04S303AKSA1
仓库库存编号:
IPI80N04S303AKSA1-ND
别名:IPI80N04S3-03
IPI80N04S3-03-ND
SP000261238
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 110nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 40V 80A(Tc) 188W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N04S303AKSA1
仓库库存编号:
IPP80N04S303AKSA1-ND
别名:IPP80N04S3-03
IPP80N04S3-03-ND
IPP80N04S303
SP000261229
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 110nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 120A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 75V 120A(Tc) 230W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB3407ZPBF
仓库库存编号:
IRFB3407ZPBF-ND
别名:SP001560202
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 110nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 41A(Tc) 3.1W(Ta) D2PAK
型号:
IRFS41N15DTRLP
仓库库存编号:
IRFS41N15DTRLP-ND
别名:SP001573476
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 110nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 27A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 150V 27A(Tc) 250W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRF6218STRL
仓库库存编号:
AUIRF6218STRLTR-ND
别名:AUIRF6218STRLTR
SP001517990
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 110nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 105A AUTO
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 105A(Tc) 380W(Tc) D2PAK(7-Lead)
型号:
AUIRFS4115-7P
仓库库存编号:
AUIRFS4115-7P-ND
别名:SP001519772
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 110nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 105A AUTO
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 105A(Tc) 380W(Tc) D2PAK(7-Lead)
型号:
AUIRFS4115-7TRL
仓库库存编号:
AUIRFS4115-7TRL-ND
别名:SP001521180
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 110nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 20A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 20A(Tc) 250W(Tc) TO-247-3
型号:
STW20NB50
仓库库存编号:
497-2662-5-ND
别名:497-2662-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 110nC @ 10V,
含铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 80V 50A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 80V 50A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
STP50NE08
仓库库存编号:
497-2787-5-ND
别名:497-2787-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 110nC @ 10V,
含铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 150V 40A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 150V 40A(Tc) 140W(Tc) TO-220AB
型号:
STP40NS15
仓库库存编号:
STP40NS15-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 110nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 150V 40A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 40A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
STB40NS15T4
仓库库存编号:
497-7948-1-ND
别名:497-7948-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 110nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 37A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 60V 37A(Tc) 50W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFIZ48G
仓库库存编号:
IRFIZ48G-ND
别名:*IRFIZ48G
IRFIX48G
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 110nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 23A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 400V 23A(Tc) 280W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP360LC
仓库库存编号:
IRFP360LC-ND
别名:*IRFP360LC
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 110nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 8.9A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 600V 8.9A(Tc) 170W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFPC48
仓库库存编号:
IRFPC48-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 110nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 50A(Tc) 190W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFZ48R
仓库库存编号:
IRFZ48R-ND
别名:*IRFZ48R
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 110nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 31A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 200V 31A(Tc) 3.1W(Ta),200W(Tc) I2PAK
型号:
IRFSL31N20DTRL
仓库库存编号:
IRFSL31N20DTRL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 110nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 31A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 200V 31A(Tc) 3.1W(Ta),200W(Tc) I2PAK
型号:
IRFSL31N20DTRR
仓库库存编号:
IRFSL31N20DTRR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 110nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 60V 50A(Tc) 3.7W(Ta),190W(Tc) TO-262-3
型号:
IRFZ48L
仓库库存编号:
IRFZ48L-ND
别名:*IRFZ48L
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 110nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 50A(Tc) 3.7W(Ta),190W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ48S
仓库库存编号:
IRFZ48S-ND
别名:*IRFZ48S
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 110nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 50A(Tc) 3.7W(Ta),190W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ48STRL
仓库库存编号:
IRFZ48STRL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 110nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 50A(Tc) 3.7W(Ta),190W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ48STRR
仓库库存编号:
IRFZ48STRR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 110nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 75A(Tc) 170W(Tc) D2PAK
型号:
IRF2807ZSTRL
仓库库存编号:
IRF2807ZSTRL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 110nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 75A(Tc) 170W(Tc) D2PAK
型号:
IRF2807ZSTRR
仓库库存编号:
IRF2807ZSTRR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 110nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 75A(Tc) 170W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3205ZSTRL
仓库库存编号:
IRF3205ZSTRL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 110nC @ 10V,
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