产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 200nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 20A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 20A(Tc) 360W(Tc) TO-268
型号:
IXFT20N80Q
仓库库存编号:
IXFT20N80Q-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 200nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 39A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 800V 39A(Tc) 694W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN44N80P
仓库库存编号:
IXFN44N80P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 200nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 550V 60A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 550V 60A(Tc) 735W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX60N55Q2
仓库库存编号:
IXFX60N55Q2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 200nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 550V 60A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 550V 60A(Tc) 735W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK60N55Q2
仓库库存编号:
IXFK60N55Q2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 200nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 80A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 80A(Tc) 1250W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX80N50Q3
仓库库存编号:
IXFX80N50Q3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 200nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 71A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 500V 71A(Tc) 595W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT50M50JLL
仓库库存编号:
APT50M50JLL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 200nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 2500V 5A SOT227B
详细描述:底座安装 N 沟道 2500V 5A(Tc) 700W(Tc) SOT-227B
型号:
IXTN5N250
仓库库存编号:
IXTN5N250-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 200nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 2500V 5A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 2500V 5A(Tc) 960W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXTX5N250
仓库库存编号:
IXTX5N250-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 200nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 75V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP100N08S207AKSA1
仓库库存编号:
IPP100N08S207AKSA1-ND
别名:IPP100N08S2-07
IPP100N08S2-07-ND
SP000219005
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 200nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB100N08S207ATMA1
仓库库存编号:
IPB100N08S207ATMA1TR-ND
别名:IPB100N08S2-07
IPB100N08S2-07-ND
SP000219044
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 200nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 75A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 75A(Tc) 330W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF1503PBF
仓库库存编号:
IRF1503PBF-ND
别名:*IRF1503PBF
SP001561384
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 200nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 75A(Tc) 200W(Tc) D2PAK
型号:
IRF1503STRLPBF
仓库库存编号:
IRF1503STRLPBF-ND
别名:SP001550938
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 200nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 100A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 75V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI100N08S207AKSA1
仓库库存编号:
IPI100N08S207AKSA1-ND
别名:IPI100N08S2-07
IPI100N08S2-07-ND
SP000219041
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 200nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 75A(Tc) 200W(Tc) D2PAK
型号:
IRF1503SPBF
仓库库存编号:
IRF1503SPBF-ND
别名:*IRF1503SPBF
SP001561632
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 200nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 206A SUPER-220
详细描述:通孔 N 沟道 40V 206A(Tc) 300W(Tc) SUPER-220?(TO-273AA)
型号:
IRFBA1404PPBF
仓库库存编号:
IRFBA1404PPBF-ND
别名:*IRFBA1404PPBF
SP001565842
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 200nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 43A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 150V 43A(Tc) 200W(Tc) TO-220AB
型号:
AUIRF3415
仓库库存编号:
AUIRF3415-ND
别名:SP001516548
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 200nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 202A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 75A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRF1404STRL
仓库库存编号:
AUIRF1404STRL-ND
别名:SP001517298
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 200nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 160A HEXFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 160A(Tc) 300W(Tc) D2PAK(7-Lead)
型号:
AUIRF3805S-7TRL
仓库库存编号:
AUIRF3805S-7TRL-ND
别名:SP001516538
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 200nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 160A TO262-7
详细描述:通孔 N 沟道 55V 160A(Tc) 300W(Tc) TO-262
型号:
AUIRF3805L-7P
仓库库存编号:
AUIRF3805L-7P-ND
别名:SP001515798
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 200nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 29A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 29A(Tc) 350W(Tc) TO-247-3
型号:
STW29NK50ZD
仓库库存编号:
497-5768-ND
别名:497-5768
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 200nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 7.8A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 800V 7.8A(Tc) 190W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFPE50
仓库库存编号:
IRFPE50-ND
别名:*IRFPE50
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 200nC @ 10V,
含铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 35A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 300V 35A(Tc) 300W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH35N30
仓库库存编号:
IXFH35N30-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 200nC @ 10V,
含铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 66A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 500V 66A(Tc) 735W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK66N50Q2
仓库库存编号:
IXFK66N50Q2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 200nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 50A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 50A(Tc) 500W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR66N50Q2
仓库库存编号:
IXFR66N50Q2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 200nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 66A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 66A(Tc) 735W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX66N50Q2
仓库库存编号:
IXFX66N50Q2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 200nC @ 10V,
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