产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 330nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 70A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 600V 70A(Tc) 1135W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APT66M60L
仓库库存编号:
APT66M60L-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 330nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 70A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 600V 70A(Tc) 1135W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APT66F60L
仓库库存编号:
APT66F60L-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 330nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 48A ISO264
详细描述:通孔 N 沟道 500V 48A(Tc) 400W(Tc) ISO264?
型号:
IXFG55N50
仓库库存编号:
IXFG55N50-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 330nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 48A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 48A(Tc) 400W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR55N50
仓库库存编号:
IXFR55N50-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 330nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 50A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 500V 47A(Tc) 500W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFE50N50
仓库库存编号:
IXFE50N50-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 330nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 41A ISOPLUS264
详细描述:通孔 N 沟道 600V 41A(Tc) 500W(Tc) ISOPLUS264?
型号:
IXFL44N60
仓库库存编号:
IXFL44N60-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 330nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 41A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 600V 41A(Tc) 500W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFE44N60
仓库库存编号:
IXFE44N60-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 330nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 47A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 500V 47A(Tc) 500W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFE55N50
仓库库存编号:
IXFE55N50-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 330nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 50A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 500V 50A(Tc) 600W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN50N50
仓库库存编号:
IXFN50N50-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 330nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 44A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 600V 44A(Tc) 600W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN44N60
仓库库存编号:
IXFN44N60-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 330nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 375A DIRECTFET2
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 46A(Ta),270A(Tc) 3.8W(Ta),125W(Tc) DIRECTFET L8
型号:
AUIRF7739L2TR
仓库库存编号:
AUIRF7739L2TR-ND
别名:SP001522042
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 330nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 350A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 40V 195A(Tc) 380W(Tc) TO-247AC
型号:
AUIRFP4004
仓库库存编号:
AUIRFP4004-ND
别名:SP001519614
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 330nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 550V 48A TO-264AA
详细描述:通孔 N 沟道 550V 48A(Tc) 560W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK48N55
仓库库存编号:
IXFK48N55-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 330nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 550V 48A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 550V 48A(Tc) 600W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN48N55
仓库库存编号:
IXFN48N55-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 330nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 120A TO263
详细描述:表面贴装 P 沟道 40V 120A(Tc) 375W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SQM110P04-04L-GE3
仓库库存编号:
SQM110P04-04L-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 330nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 90A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 90A(Tc) 13.6W(Ta),375W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM90P10-19-E3
仓库库存编号:
SUM90P10-19-E3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 330nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 40A SUPER247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 40A(Tc) 570W(Tc) SUPER-247(TO-274AA)
型号:
IRFPS40N60K
仓库库存编号:
IRFPS40N60K-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 330nC @ 10V,
含铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 20V 47A 8DFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 47A(Ta),85A(Tc) 7.3W(Ta),156W(Tc) 8-DFN(5x6)
型号:
AON6411_001
仓库库存编号:
AON6411_001-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 330nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 375A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 46A(Ta),375A(Tc) 3.8W(Ta),125W(Tc) DIRECTFET L8
型号:
IRF7739L2TR1PBF
仓库库存编号:
IRF7739L2TR1PBFCT-ND
别名:IRF7739L2TR1PBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 330nC @ 10V,
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