产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 900V 2.5A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 2.5A(Ta) 40W(Tc) TO-220SIS
型号:
2SK3566(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
2SK3566(STA4QM)-ND
别名:2SK3566(Q)
2SK3566(STA4QM)
2SK3566Q
2SK3566Q-ND
2SK3566STA4QM
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 6.2A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 6.2A(Ta) 30W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK6A60W,S4VX
仓库库存编号:
TK6A60WS4VX-ND
别名:TK6A60W,S4VX(M
TK6A60WS4VX
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 4A TO252-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 4A(Tc) 38W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD04P10PGBTMA1
仓库库存编号:
SPD04P10PGBTMA1TR-ND
别名:SP000212230
SPD04P10P G
SPD04P10P G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 800V 1.9A(Tc) 42W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU80R2K8CEAKMA1
仓库库存编号:
IPU80R2K8CEAKMA1-ND
别名:SP001593932
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 980MA SOT223
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 980mA(Tc) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP321PH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSP321PH6327XTSA1-ND
别名:SP001058782
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO263
型号:
IPB60R600P6ATMA1
仓库库存编号:
IPB60R600P6ATMA1-ND
别名:SP001313874
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 21A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 21A(Tc) 68W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB530N15N3GATMA1
仓库库存编号:
IPB530N15N3GATMA1CT-ND
别名:IPB530N15N3 GCT
IPB530N15N3 GCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R600P6XKSA1
仓库库存编号:
IPP60R600P6XKSA1-ND
别名:IPP60R600P6
IPP60R600P6-ND
SP001017054
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 21A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 150V 21A(Tc) 68W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI530N15N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPI530N15N3GXKSA1-ND
别名:IPI530N15N3 G
IPI530N15N3 G-ND
SP000807642
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 7.3A(Tc) 171W(Tc) PG-TO263
型号:
IPB65R065C7ATMA1
仓库库存编号:
IPB65R065C7ATMA1-ND
别名:SP001080110
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 500V 5A(Tc) 45W(Tc) TO-220AB
型号:
STP7NM50N
仓库库存编号:
497-7531-5-ND
别名:497-7531-5
STP7NM50N-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 5A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 500V 5A(Tc) 20W(Tc) TO-220FP
型号:
STF7NM50N
仓库库存编号:
497-7474-5-ND
别名:497-7474-5
STF7NM50N-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 3A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 500V 3A(Tc) 45W(Tc) TO-220AB
型号:
STP4NK50Z
仓库库存编号:
497-3190-5-ND
别名:497-3190-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 60V 12A(Tc) 30W(Tc) I-Pak
型号:
STD12NF06-1
仓库库存编号:
STD12NF06-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 12A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 500V 12A(Tc) 160W(Tc) TO-220AB
型号:
STP12NM50FD
仓库库存编号:
STP12NM50FD-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 14A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 14A(Tc) 160W(Tc) TO-247-3
型号:
STW14NM50FD
仓库库存编号:
STW14NM50FD-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 3A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 500V 3A(Tc) 20W(Tc) TO-220FP
型号:
STF4NK50ZD
仓库库存编号:
497-5107-5-ND
别名:497-5107-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 3A(Tc) 45W(Tc) D-Pak
型号:
STD4NK50ZD
仓库库存编号:
497-5105-1-ND
别名:497-5105-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 12A(Tc) 160W(Tc) D2PAK
型号:
STB12NM50FDT4
仓库库存编号:
497-5380-1-ND
别名:497-5380-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 3A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 500V 3A(Tc) 45W(Tc) I-Pak
型号:
STD4NK50ZD-1
仓库库存编号:
497-5964-5-ND
别名:497-5964-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 5A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 500V 5A(Tc) 45W(Tc) I-Pak
型号:
STD7NM50N-1
仓库库存编号:
STD7NM50N-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 5A(Tc) 45W(Tc) D-Pak
型号:
STD7NM50N
仓库库存编号:
497-7975-1-ND
别名:497-7975-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 3A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 500V 3A(Tc) 20W(Tc) TO-220FP
型号:
STP4NK50ZFP
仓库库存编号:
STP4NK50ZFP-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 6.7A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 60V 6.7A(Tc) 43W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF9Z14
仓库库存编号:
IRF9Z14-ND
别名:*IRF9Z14
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 6.7A(Tc) 3.7W(Ta),43W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9Z14S
仓库库存编号:
IRF9Z14S-ND
别名:*IRF9Z14S
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
含铅
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