产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 36A(Tc),
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 150V 36A TO-3P
详细描述:通孔 P 沟道 150V 36A(Tc) 294W(Tc) TO-3PN
型号:
FQA36P15_F109
仓库库存编号:
FQA36P15_F109-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 36A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 36A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 200V 36A(Tc) 300W(Tc) TO-247AD
型号:
IXTJ36N20
仓库库存编号:
IXTJ36N20-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 36A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH ISOPLUS-220
详细描述:通孔 N 沟道 150V 36A(Tc) 150W(Tc) ISOPLUS220?
型号:
IXTC62N15P
仓库库存编号:
IXTC62N15P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 36A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 36A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 36A(Tc) 3.5W(Ta),7.8W(Tc) 8-SO
型号:
SI4324DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4324DY-T1-E3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 36A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 36A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 36A(Tc) 3.5W(Ta),7.8W(Tc) 8-SO
型号:
SI4324DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4324DY-T1-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 36A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 36A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 36A(Tc) 3.5W(Ta),7.8W(Tc) 8-SO
型号:
SI4438DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4438DY-T1-E3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 36A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 36A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 36A(Tc) 3.5W(Ta),7.8W(Tc) 8-SO
型号:
SI4438DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4438DY-T1-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 36A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 36A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 200V 36A(Tc) 3.12W(Ta),166W(Tc) TO-220AB
型号:
SUP36N20-54P-E3
仓库库存编号:
SUP36N20-54P-E3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 36A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 36A TO220AB
详细描述:通孔 P 沟道 100V 36A(Tc) 2W(Ta),125W(Tc) TO-220AB
型号:
SUP40P10-43-GE3
仓库库存编号:
SUP40P10-43-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 36A(Tc),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 60V 36A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 60V 36A(Tc) 2W(Ta),32W(Tc) TO-220 隔离的标片
型号:
2SJ673-AZ
仓库库存编号:
2SJ673-AZ-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 36A(Tc),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 40V 36A TO-263
详细描述:表面贴装 P 沟道 40V 36A(Tc) 1.8W(Ta),56W(Tc) TO-263
型号:
NP36P04KDG-E1-AY
仓库库存编号:
NP36P04KDG-E1-AY-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 36A(Tc),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 60V 36A TO-252
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 36A(Tc) 1.2W(Ta),56W(Tc) TO-252(MP-3ZK)
型号:
NP36P06SLG-E1-AY
仓库库存编号:
NP36P06SLG-E1-AY-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 36A(Tc),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 60V 36A TO-263
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 36A(Tc) 1.8W(Ta),56W(Tc) TO-263
型号:
NP36P06KDG-E1-AY
仓库库存编号:
NP36P06KDG-E1-AYCT-ND
别名:NP36P06KDG-E1-AYCT
NP36P06KDGE1AY
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 36A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 36A TO252
详细描述:表面贴装 P 沟道 40V 36A(Tc) 2.1W(Ta),41.7W(Tc) TO-252AA
型号:
SUD45P04-16P-GE3
仓库库存编号:
SUD45P04-16P-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 36A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 36A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 36A(Tc) 18.8W(Ta), 125W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM50P10-42-E3
仓库库存编号:
SUM50P10-42-E3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 36A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 36A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 55V 36A(Tc) 42W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRFIZ48N
仓库库存编号:
IRFIZ48N-ND
别名:*IRFIZ48N
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 36A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 36A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 100V 36A(Tc) 3.8W(Ta),140W(Tc) TO-262
型号:
IRL540NL
仓库库存编号:
IRL540NL-ND
别名:*IRL540NL
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 36A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 36A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 36A(Tc) 47W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3714
仓库库存编号:
IRLR3714-ND
别名:*IRLR3714
SP001558928
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 36A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 36A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 20V 36A(Tc) 47W(Tc) I-Pak
型号:
IRLU3714
仓库库存编号:
IRLU3714-ND
别名:*IRLU3714
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 36A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 36A(Tc) 47W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3714S
仓库库存编号:
IRL3714S-ND
别名:*IRL3714S
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 36A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 36A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 20V 36A(Tc) 47W(Tc) TO-262
型号:
IRL3714L
仓库库存编号:
IRL3714L-ND
别名:*IRL3714L
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 36A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 36A(Tc) 47W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3714STR
仓库库存编号:
IRL3714STR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 36A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 36A(Tc) 47W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3714STRL
仓库库存编号:
IRL3714STRL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 36A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 36A(Tc) 47W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3714STRR
仓库库存编号:
IRL3714STRR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 36A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 36A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 20V 36A(Tc) 47W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL3714TR
仓库库存编号:
IRL3714TR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 36A(Tc),
含铅
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