产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Tc),
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 12A(Tc) 33W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
IPA60R099C7XKSA1
仓库库存编号:
IPA60R099C7XKSA1-ND
别名:SP001297996
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 650V 12A(Tc) 34W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
IPA65R095C7XKSA1
仓库库存编号:
IPA65R095C7XKSA1-ND
别名:SP001080126
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 12A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 100V 12A(Tc) 41W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRFI530N
仓库库存编号:
IRFI530N-ND
别名:*IRFI530N
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 12A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 100V 12A(Tc) 41W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRLI530N
仓库库存编号:
IRLI530N-ND
别名:*IRLI530N
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 55V 12A(Tc) 3.8W(Ta),45W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9Z24NS
仓库库存编号:
IRF9Z24NS-ND
别名:*IRF9Z24NS
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 12A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 150V 12A(Tc) 80W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL3215
仓库库存编号:
IRL3215-ND
别名:*IRL3215
SP001558002
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 12A TO-262
详细描述:通孔 P 沟道 55V 12A(Tc) 3.8W(Ta),45W(Tc) TO-262
型号:
IRF9Z24NL
仓库库存编号:
IRF9Z24NL-ND
别名:*IRF9Z24NL
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 55V 12A(Tc) 3.8W(Ta),45W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9Z24NSTRL
仓库库存编号:
IRF9Z24NSTRL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 55V 12A(Tc) 3.8W(Ta),45W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9Z24NSTRR
仓库库存编号:
IRF9Z24NSTRR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 12A TO-3-3
详细描述:通孔 N 沟道 500V 12A(Tc) 150W(Tc) TO-204AA(TO-3)
型号:
IRF450
仓库库存编号:
IRF450-ND
别名:*IRF450
Q2009037
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 12A TO-262
详细描述:通孔 P 沟道 55V 12A(Tc) 3.8W(Ta),45W(Tc) TO-262
型号:
IRF9Z24NLPBF
仓库库存编号:
IRF9Z24NLPBF-ND
别名:*IRF9Z24NLPBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 12A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 12A(Tc) 104W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB60R250CPATMA1
仓库库存编号:
IPB60R250CPATMA1TR-ND
别名:IPB60R250CP
IPB60R250CP-ND
SP000358140
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 12A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 650V 12A(Tc) 104W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI60R250CPAKSA1
仓库库存编号:
IPI60R250CPAKSA1-ND
别名:IPI60R250CP
IPI60R250CP-ND
SP000358141
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 12A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 650V 12A(Tc) 104W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW60R250CP
仓库库存编号:
IPW60R250CP-ND
别名:IPW60R250CPFKSA1
SP000310511
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Tc),
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