产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.2A(Tc),
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 2.2A(Tc) 3.1W(Ta),50W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBC20STRR
仓库库存编号:
IRFBC20STRR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.2A(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 2.2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 2.2A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR214TRL
仓库库存编号:
IRFR214TRL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.2A(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 2.2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 2.2A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR214TR
仓库库存编号:
IRFR214TR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.2A(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 2.2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 2.2A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR214TRR
仓库库存编号:
IRFR214TRR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.2A(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 2.2A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 600V 2.2A(Tc) 3.1W(Ta),50W(Tc) TO-262-3
型号:
IRFBC20LPBF
仓库库存编号:
IRFBC20LPBF-ND
别名:*IRFBC20LPBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.2A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 2.2A TO-220F
详细描述:通孔 P 沟道 200V 2.2A(Tc) 32W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF3P20
仓库库存编号:
FQPF3P20-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.2A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 2.2A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 900V 2.2A(Tc) 3.13W(Ta),85W(Tc) I2PAK
型号:
FQI2N90TU
仓库库存编号:
FQI2N90TU-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.2A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 2.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 900V 2.2A(Tc) 3.13W(Ta),85W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB2N90TM
仓库库存编号:
FQB2N90TM-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.2A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 2.2A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 800V 2.2A(Tc) 43W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF4N80
仓库库存编号:
FQPF4N80-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.2A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 2.2A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 2.2A(Tc) 2W(Ta) 6-TSOP
型号:
SI3459DV-T1-E3
仓库库存编号:
SI3459DV-T1-E3CT-ND
别名:SI3459DV-T1-E3CT
SI3459DVT1E3
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.2A(Tc),
无铅
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Texas Instruments
MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
详细描述:表面贴装 P 沟道 12V 2.2A(Tc) 1W(Ta) 4-DSBGA(1x1)
型号:
CSD23201W10
仓库库存编号:
296-24258-1-ND
别名:296-24258-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.2A(Tc),
无铅
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Texas Instruments
MOSFET P-CH 20V 2.2A 6DSBGA
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 2.2A(Tc) 1.5W(Ta) 6-DSBGA(1x1.5)
型号:
CSD25301W1015
仓库库存编号:
296-24259-1-ND
别名:296-24259-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.2A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 2.2A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 250V 2.2A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) I-Pak
型号:
IRFU214BTU_FP001
仓库库存编号:
IRFU214BTU_FP001-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.2A(Tc),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 2.2A(Tc) 57W(Tc) DPAK
型号:
NDD02N60ZT4G
仓库库存编号:
NDD02N60ZT4GOSCT-ND
别名:NDD02N60ZT4GOSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.2A(Tc),
无铅
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