产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 180A(Tc),
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 315W(Tc) H2PAK-6
型号:
STH185N10F3-6
仓库库存编号:
497-15469-1-ND
别名:497-15469-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 180A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 75V 180A H2PAK-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 300W(Tc) H2PAK
型号:
STH240N75F3-2
仓库库存编号:
497-13271-1-ND
别名:497-13271-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 180A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 188W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB180N04S401ATMA1
仓库库存编号:
IPB180N04S401ATMA1CT-ND
别名:IPB180N04S401ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 180A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB011N04NGATMA1
仓库库存编号:
IPB011N04NGATMA1CT-ND
别名:IPB011N04NGATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 180A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB180N04S4H0ATMA1
仓库库存编号:
IPB180N04S4H0ATMA1CT-ND
别名:IPB180N04S4H0ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 180A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 315W(Tc) H2PAK
型号:
STH310N10F7-2
仓库库存编号:
497-13585-1-ND
别名:497-13585-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 180A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 315W(Tc) H2PAK
型号:
STH315N10F7-2
仓库库存编号:
497-14718-1-ND
别名:497-14718
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 180A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 315W(Tc)
型号:
STH310N10F7-6
仓库库存编号:
497-13586-1-ND
别名:497-13586-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 180A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
详细描述:表面贴装 P 沟道 180A(Tc) 150W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB180P04P4L02ATMA1
仓库库存编号:
IPB180P04P4L02ATMA1CT-ND
别名:IPB180P04P4L02ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 180A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-7
型号:
IPB019N08N3 G
仓库库存编号:
IPB019N08N3 GCT-ND
别名:IPB019N08N3 GCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 180A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 315W(Tc) H2PAK
型号:
STH270N8F7-6
仓库库存编号:
497-13874-1-ND
别名:497-13874-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 180A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 180A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 180A(Tc) 365W(Tc) TO-220
型号:
STP410N4F7AG
仓库库存编号:
STP410N4F7AG-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 180A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 333W(Tc) H2PAK-6
型号:
STH272N6F7-6AG
仓库库存编号:
STH272N6F7-6AG-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 180A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 180A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 180A(Tc) 300W(Tc) TO-247
型号:
STW240N10F7
仓库库存编号:
STW240N10F7-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 180A(Tc),
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 24V 180A H2PAK-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 300W(Tc) H2PAK
型号:
STH300NH02L-6
仓库库存编号:
497-12255-1-ND
别名:497-12255-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 180A(Tc),
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 300W(Tc) H2Pak-2
型号:
STH240N10F7-2
仓库库存编号:
497-15143-1-ND
别名:497-15143-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 180A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 300W(Tc) H2PAK
型号:
STH270N4F3-6
仓库库存编号:
497-11218-1-ND
别名:497-11218-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 180A(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 375W(Tc) PG-TO263-7
型号:
IPB015N08N5ATMA1
仓库库存编号:
IPB015N08N5ATMA1CT-ND
别名:IPB015N08N5ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 180A(Tc),
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 180A TO-263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 480W(Tc) TO-263-7(IXTA..7)
型号:
IXTA180N10T7
仓库库存编号:
IXTA180N10T7-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 180A(Tc),
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 180A TO-263AA
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 480W(Tc) TO-263(IXFA)
型号:
IXFA180N10T2
仓库库存编号:
IXFA180N10T2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 180A(Tc),
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 180A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 180A(Tc) 480W(Tc) TO-220AB
型号:
IXFP180N10T2
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IXFP180N10T2-ND
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 180A PLUS 247
详细描述:通孔 N 沟道 150V 180A(Tc) 830W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX180N15P
仓库库存编号:
IXFX180N15P-ND
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 180A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 150V 180A(Tc) 830W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK180N15P
仓库库存编号:
IXFK180N15P-ND
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 180A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 100V 180A(Tc) 560W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX180N10
仓库库存编号:
IXFX180N10-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 180A(Tc),
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IXYS
MOSFET N-CH 70V 180A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 70V 180A(Tc) 568W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX180N07
仓库库存编号:
IXFX180N07-ND
别名:Q1150608
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 180A(Tc),
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