产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 620pF @ 25V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 5A(Tc) 3.1W(Ta),74W(Tc) D2PAK
型号:
IRF830AS
仓库库存编号:
IRF830AS-ND
别名:*IRF830AS
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 620pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 5A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 500V 5A(Tc) 3.1W(Ta),74W(Tc) I2PAK
型号:
IRF830AL
仓库库存编号:
IRF830AL-ND
别名:*IRF830AL
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 620pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 5A(Tc) 3.1W(Ta),74W(Tc) D2PAK
型号:
IRF830ASTRL
仓库库存编号:
IRF830ASTRL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 620pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 8A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 250V 8A(Tc) 3.8W(Ta),88W(Tc) I2PAK
型号:
IRF634NLPBF
仓库库存编号:
IRF634NLPBF-ND
别名:*IRF634NLPBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 620pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 8A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 250V 8A(Tc) 3.8W(Ta),88W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF634NPBF
仓库库存编号:
IRF634NPBF-ND
别名:*IRF634NPBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 620pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 8A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 8A(Tc) 3.8W(Ta),88W(Tc) D2PAK
型号:
IRF634NSPBF
仓库库存编号:
IRF634NSPBF-ND
别名:*IRF634NSPBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 620pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 4.2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 4.2A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) D-Pak
型号:
FQD6N40TM
仓库库存编号:
FQD6N40TM-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 620pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 4.2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 4.2A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) D-Pak
型号:
FQD6N40TF
仓库库存编号:
FQD6N40TF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 620pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 4.8A TO-252AA
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 4.8A(Tc) 89W(Tc) TO-252
型号:
IXTY5N50P
仓库库存编号:
IXTY5N50P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 620pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 17A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 100V 17A(Tc) 71W(Tc) I-Pak
型号:
NTD6416AN-1G
仓库库存编号:
NTD6416AN-1GOS-ND
别名:NTD6416AN-1G-ND
NTD6416AN-1GOS
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 620pF @ 25V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 400V 8A MP3A
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 8A(Ta) 65W(Tc) MP-3A
型号:
RJK4006DPD-00#J2
仓库库存编号:
RJK4006DPD-00#J2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 620pF @ 25V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 400V 8A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 400V 8A(Ta) 29W(Tc) TO-220FL
型号:
RJK4006DPP-M0#T2
仓库库存编号:
RJK4006DPP-M0#T2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 620pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 4.6A TO-236
详细描述:表面贴装 P 沟道 40V 4.6A(Tc) 3W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SQ2319ES-T1-GE3
仓库库存编号:
SQ2319ES-T1-GE3CT-ND
别名:SQ2319ES-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 620pF @ 25V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 500V 5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 500V 5A(Tc) 104W(Tc) TO-220-3
型号:
AOT5N50_001
仓库库存编号:
AOT5N50_001-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 620pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 14A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 150V 14A(Tc) 86W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU13N15D
仓库库存编号:
IRFU13N15D-ND
别名:*IRFU13N15D
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 620pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 19A TO-262
详细描述:通孔 P 沟道 55V 19A(Tc) 3.8W(Ta),68W(Tc) TO-262
型号:
IRF9Z34NL
仓库库存编号:
IRF9Z34NL-ND
别名:*IRF9Z34NL
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 620pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 55V 19A(Tc) 3.8W(Ta),68W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9Z34NSTRR
仓库库存编号:
IRF9Z34NSTRR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 620pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 14A TO-220FP
详细描述:通孔 P 沟道 55V 14A(Tc) 37W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRFI9Z34N
仓库库存编号:
IRFI9Z34N-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 620pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 14A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 14A(Tc) 86W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR13N15DTR
仓库库存编号:
IRFR13N15DTR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 620pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 14A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 14A(Tc) 86W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR13N15DTRL
仓库库存编号:
IRFR13N15DTRL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 620pF @ 25V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 14A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 14A(Tc) 86W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR13N15DTRR
仓库库存编号:
IRFR13N15DTRR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 620pF @ 25V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 19A TO-262
详细描述:通孔 P 沟道 55V 19A(Tc) 3.8W(Ta),68W(Tc) TO-262
型号:
IRF9Z34NLPBF
仓库库存编号:
IRF9Z34NLPBF-ND
别名:*IRF9Z34NLPBF
SP001570616
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 620pF @ 25V,
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