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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 95A SP1
  详细描述：底座安装 N 沟道 95A（Tc） 462W（Tc） SP1
  
  型号：APTC60SKM24T1G
  仓库库存编号：APTC60SKM24T1G-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 14400pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 158A ISOPLUS227
  详细描述：底座安装 N 沟道 200V 158A（Tc） 500W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFE180N20
  仓库库存编号：IXFE180N20-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 14400pF @ 25V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 95A SP1
  详细描述：底座安装 N 沟道 600V 95A（Tc） 462W（Tc） SP1
  
  型号：APTC60DAM24T1G
  仓库库存编号：APTC60DAM24T1G-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 14400pF @ 25V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 95A SP1
  详细描述：底座安装 N 沟道 600V 95A（Tc） 462W（Tc） SP1
  
  型号：APTC60SKM24CT1G
  仓库库存编号：APTC60SKM24CT1G-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 14400pF @ 25V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 200V 208A SP4
  详细描述：底座安装 N 沟道 200V 208A（Tc） 781W（Tc） SP4
  
  型号：APTM20DAM08TG
  仓库库存编号：APTM20DAM08TG-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 14400pF @ 25V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 200V 208A SP4
  详细描述：底座安装 N 沟道 200V 208A（Tc） 781W（Tc） SP4
  
  型号：APTM20SKM08TG
  仓库库存编号：APTM20SKM08TG-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 14400pF @ 25V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 55V 88A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 88A（Tc） 1.8W（Ta），200W（Tc） TO-263
  
  型号：NP88N055KUG-E1-AY
  仓库库存编号：NP88N055KUG-E1-AY-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 14400pF @ 25V,
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