产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 350pF @ 25V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 55V 19A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 19A(Tc) 55W(Tc) D-Pak
型号:
HUF75309D3ST
仓库库存编号:
HUF75309D3ST-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 350pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 12A(Tc) 38W(Tc) TO-252AA
型号:
HUFA76407D3ST
仓库库存编号:
HUFA76407D3ST-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 350pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 400V 1.34A TO-220F
详细描述:通孔 P 沟道 400V 1.34A(Tc) 28W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF2P40
仓库库存编号:
FQPF2P40-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 350pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 13A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 13A(Tc) 38W(Tc) TO-220AB
型号:
HUF76407P3
仓库库存编号:
HUF76407P3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 350pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 500V 1.5A I2PAK
详细描述:通孔 P 沟道 500V 1.5A(Tc) 3.13W(Ta),63W(Tc) I2PAK
型号:
FQI1P50TU
仓库库存编号:
FQI1P50TU-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 350pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 13.6A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 13.6A(Tc) 3.75W(Ta),45W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB13N06LTM
仓库库存编号:
FQB13N06LTM-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 350pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 55V 19A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 55V 19A(Tc) 55W(Tc) TO-251AA
型号:
HUFA75309D3
仓库库存编号:
HUFA75309D3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 350pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 55V 19A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 19A(Tc) 55W(Tc) TO-252AA
型号:
HUFA75309D3S
仓库库存编号:
HUFA75309D3S-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 350pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 55V 19A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 19A(Tc) 55W(Tc) TO-220AB
型号:
HUF75309P3
仓库库存编号:
HUF75309P3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 350pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 13A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 13A(Tc) 38W(Tc) TO-220AB
型号:
HUFA76407P3
仓库库存编号:
HUFA76407P3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 350pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 400V 2A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 400V 2A(Tc) 3.13W(Ta),63W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB2P40TM
仓库库存编号:
FQB2P40TM-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 350pF @ 25V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 2A(Tc) 2.5W(Ta),45W(Tc) D-Pak
型号:
FQD2N60TM
仓库库存编号:
FQD2N60TM-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 350pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 2A(Tc) 2.5W(Ta),45W(Tc) D-Pak
型号:
FQD2N60TF
仓库库存编号:
FQD2N60TF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 350pF @ 25V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 2.4A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 2.4A(Tc) 64W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP2N60
仓库库存编号:
FQP2N60-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 350pF @ 25V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 55V 19A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 19A(Tc) 55W(Tc) TO-220AB
型号:
HUFA75309P3
仓库库存编号:
HUFA75309P3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 350pF @ 25V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 1.6A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 1.6A(Tc) 28W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF2N60
仓库库存编号:
FQPF2N60-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 350pF @ 25V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 2A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 600V 2A(Tc) 2.5W(Ta),45W(Tc) I-Pak
型号:
FQU2N60TU
仓库库存编号:
FQU2N60TU-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 350pF @ 25V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 2.4A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 2.4A(Tc) 3.13W(Ta),64W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB2N60TM
仓库库存编号:
FQB2N60TM-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 350pF @ 25V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 400V 1.56A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 400V 1.56A(Tc) 2.5W(Ta),38W(Tc) D-Pak
型号:
FQD2P40TF_F080
仓库库存编号:
FQD2P40TF_F080-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 350pF @ 25V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT-223
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 1.8A(Ta) 2.8W(Ta) SOT-223-4
型号:
SFM9014TF
仓库库存编号:
SFM9014TF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 350pF @ 25V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 5.3A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 5.3A(Tc) 2.5W(Ta),24W(Tc) D-Pak
型号:
SFR9014TF
仓库库存编号:
SFR9014TF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 350pF @ 25V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 900V 1A DP
详细描述:表面贴装 N 沟道 900V 1A(Ta) 40W(Tc) DP
型号:
2SK2845(TE16L1,Q)
仓库库存编号:
2SK2845(TE16L1,Q)-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 350pF @ 25V,
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IXYS Integrated Circuits Division
MOSFET N-CH 250V SOT89
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 1.4W(Ta) SOT-89
型号:
CPC3710C
仓库库存编号:
CPC3710C-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 350pF @ 25V,
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IXYS Integrated Circuits Division
MOSFET N-CH 350V SOT89
详细描述:表面贴装 N 沟道 350V 1.4W(Ta) SOT-89
型号:
CPC3720C
仓库库存编号:
CPC3720C-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 350pF @ 25V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 6.8A(Tc) 3.8W(Ta),48W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9520NS
仓库库存编号:
IRF9520NS-ND
别名:*IRF9520NS
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 350pF @ 25V,
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