产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 600pF @ 25V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 400V 5.5A(Tc) 74W(Tc) I2PAK
型号:
IRF730AL
仓库库存编号:
IRF730AL-ND
别名:*IRF730AL
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 600pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 5.5A(Tc) 74W(Tc) D2PAK
型号:
IRF730ASTRL
仓库库存编号:
IRF730ASTRL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 600pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 5.5A(Tc) 74W(Tc) D2PAK
型号:
IRF730ASTRR
仓库库存编号:
IRF730ASTRR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 600pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 400V 5.5A(Tc) I2PAK
型号:
IRF730L
仓库库存编号:
IRF730L-ND
别名:*IRF730L
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 600pF @ 25V,
含铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT23-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 3.7A(Ta) 1.1W(Ta) SOT-23-6
型号:
ZXMN3A03E6TC
仓库库存编号:
ZXMN3A03E6TC-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 600pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 4.6A(Tc) 54W(Tc) D-Pak
型号:
FCD5N60TF
仓库库存编号:
FCD5N60TFCT-ND
别名:FCD5N60TFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 600pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 9.7A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 60V 9.7A(Tc) 49W(Tc) TO-220-3
型号:
SFP9Z24
仓库库存编号:
SFP9Z24-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 600pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 7.8A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 7.8A(Tc) 2.5W(Ta),32W(Tc) D-Pak
型号:
SFR9024TM
仓库库存编号:
SFR9024TM-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 600pF @ 25V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 4A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 600V 4A(Ta) 35W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK4A60D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK4A60D(STA4QM)-ND
别名:TK4A60D(Q)
TK4A60D(Q)-ND
TK4A60D(STA4QM)
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 600pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 400V 5.5A(Tc) 74W(Tc) I2PAK
型号:
IRF730ALPBF
仓库库存编号:
IRF730ALPBF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 600pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 5.5A(Tc) 74W(Tc) D2PAK
型号:
IRF730ASTRRPBF
仓库库存编号:
IRF730ASTRRPBF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 600pF @ 25V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 3.5A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 650V 3.5A(Ta) 35W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK4A65DA(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK4A65DA(STA4QM)-ND
别名:TK4A65DA(STA4QM)
TK4A65DASTA4QM
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 600pF @ 25V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 5A MP3A
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 5A(Ta) 77.6W(Tc) MP-3A
型号:
RJK6006DPD-00#J2
仓库库存编号:
RJK6006DPD-00#J2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 600pF @ 25V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 5A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 5A(Ta) 29W(Tc) TO-220FP
型号:
RJK6006DPP-E0#T2
仓库库存编号:
RJK6006DPP-E0#T2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 600pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 100V 10A(Tc) TO-220AB
型号:
BTS110NKSA1
仓库库存编号:
BTS110NKSA1-ND
别名:BTS110
BTS110-ND
SP000011184
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 600pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10A TO-220
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 10A(Tc) TO-220AB
型号:
BTS110E3045ANTMA1
仓库库存编号:
BTS110E3045ANTMA1TR-ND
别名:BTS110 E3045A
BTS110 E3045A-ND
BTS110E3045AT
SP000011183
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 600pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 0.8A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 800mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
SPN04N60S5
仓库库存编号:
SPN04N60S5-ND
别名:SP000012414
SP000101882
SPN04N60S5T
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 600pF @ 25V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.8A PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.8A(Ta),19A(Tc) 2.1W(Ta) 6-PQFN(2x2)
型号:
IRFHS8342TR2PBF
仓库库存编号:
IRFHS8342TR2PBFCT-ND
别名:IRFHS8342TR2PBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 600pF @ 25V,
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