产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 650V 11A(Tc) 33W(Tc) PG-TO220-3-31 整包
型号:
SPA11N60C3XKSA1
仓库库存编号:
SPA11N60C3IN-ND
别名:SP000013664
SPA11N60C3
SPA11N60C3IN
SPA11N60C3X
SPA11N60C3XTIN
SPA11N60C3XTIN-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 11.6A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 560V 11.6A(Tc) 125W(Tc) PG-TO247-3
型号:
SPW12N50C3FKSA1
仓库库存编号:
SPW12N50C3FKSA1-ND
别名:SP000014469
SPW12N50C3
SPW12N50C3IN
SPW12N50C3IN-ND
SPW12N50C3X
SPW12N50C3XK
SPW12N50C3XTIN
SPW12N50C3XTIN-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 11.6A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 560V 11.6A(Tc) 125W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP12N50C3HKSA1
仓库库存编号:
SPP12N50C3HKSA1-ND
别名:SP000014459
SPP12N50C3
SPP12N50C3IN
SPP12N50C3IN-ND
SPP12N50C3X
SPP12N50C3XK
SPP12N50C3XTIN
SPP12N50C3XTIN-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 23A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 150V 23A(Tc) 3.8W(Ta),136W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL23N15DPBF
仓库库存编号:
IRFSL23N15DPBF-ND
别名:*IRFSL23N15DPBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 11A(Tc) 125W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP11N60CFDXKSA1
仓库库存编号:
SPP11N60CFDXKSA1-ND
别名:SP000681042
SPP11N60CFD
SPP11N60CFD-ND
SPP11N60CFDIN
SPP11N60CFDIN-ND
SPP11N60CFDX
SPP11N60CFDXK
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 55V 31A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR5305CPBF
仓库库存编号:
IRFR5305CPBF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 31A TO-262
详细描述:通孔 P 沟道 55V 31A(Tc) 3.8W(Ta),110W(Tc) TO-262
型号:
IRF5305LPBF
仓库库存编号:
IRF5305LPBF-ND
别名:SP001574828
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 650V 11A(Tc) 125W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI11N60CFDHKSA1
仓库库存编号:
SPI11N60CFDHKSA1-ND
别名:SP000229994
SP000680990
SPI11N60CFD
SPI11N60CFD-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 11A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 600V 11A(Tc) 125W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI11N60C3HKSA1
仓库库存编号:
SPI11N60C3HKSA1-ND
别名:SP000013522
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 650V 11A(Tc) 125W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI11N65C3HKSA1
仓库库存编号:
SPI11N65C3HKSA1-ND
别名:SP000014526
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 11.6A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 500V 11.6A(Tc) 125W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI12N50C3HKSA1
仓库库存编号:
SPI12N50C3HKSA1-ND
别名:SP000014467
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 11A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 11A(Tc) 125W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP11N60CFDHKSA1
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SPP11N60CFDHKSA1-ND
别名:SP000014533
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V,
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