产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 167W(Tc),
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 90A(Tc) 167W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP037N06L3GXKSA1
仓库库存编号:
IPP037N06L3GXKSA1-ND
别名:IPP037N06L3 G
IPP037N06L3 G-ND
IPP037N06L3G
SP000680774
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 167W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 90A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 90A(Tc) 167W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP023N04NGXKSA1
仓库库存编号:
IPP023N04NGXKSA1-ND
别名:IPP023N04N G
IPP023N04N G-ND
IPP023N04NGBKSA1
SP000680762
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 167W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 70A TO-263AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 70A(Tc) 167W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB8444
仓库库存编号:
FDB8444CT-ND
别名:FDB8444CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 167W(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 75A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 167W(Tc) DPAK
型号:
BUK7207-30B,118
仓库库存编号:
1727-5244-1-ND
别名:1727-5244-1
568-6568-1
568-6568-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 167W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 140A TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 140A(Tc) 167W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB020N04N G
仓库库存编号:
IPB020N04N GCT-ND
别名:IPB020N04N GCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 167W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 167W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB031N08N5ATMA1
仓库库存编号:
IPB031N08N5ATMA1CT-ND
别名:IPB031N08N5ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 167W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 167W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD031N06L3 G
仓库库存编号:
IPD031N06L3 GCT-ND
别名:IPD031N06L3 GCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 167W(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 167W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK7Y7R2-60EX
仓库库存编号:
1727-1805-1-ND
别名:1727-1805-1
568-11419-1
568-11419-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 167W(Tc),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 58A(Tc) 167W(Tc) D2PAK-3
型号:
NVB6412ANT4G
仓库库存编号:
NVB6412ANT4G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 167W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 160A(Tc) 167W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB160N04S4LH1ATMA1
仓库库存编号:
IPB160N04S4LH1ATMA1-ND
别名:SP000979640
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 167W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 80A(Tc) 167W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP80N03S2L05AKSA1
仓库库存编号:
SPP80N03S2L05AKSA1-ND
别名:SP000013466
SPP80N03S2L-05
SPP80N03S2L-05IN
SPP80N03S2L-05IN-ND
SPP80N03S2L05X
SPP80N03S2L05X-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 167W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 120A(Tc) 167W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB120N06S403ATMA2
仓库库存编号:
IPB120N06S403ATMA2-ND
别名:SP001028770
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 167W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 165A 80V 120V 8HSOF
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 165A(Tc) 167W(Tc) PG-HSOF-8-1
型号:
IAUT165N08S5N029ATMA2
仓库库存编号:
IAUT165N08S5N029ATMA2-ND
别名:SP001585162
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 167W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 80V 120A(Tc) 167W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP034N08N5AKSA1
仓库库存编号:
IPP034N08N5AKSA1-ND
别名:SP001227046
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 167W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 29A HSOF-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 29A(Tc) 167W(Tc) PG-HSOF-8
型号:
IPT60R080G7XTMA1
仓库库存编号:
IPT60R080G7XTMA1-ND
别名:SP001615904
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 167W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 8.5A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 650V 8.5A(Tc) 167W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB9N65A
仓库库存编号:
IRFB9N65A-ND
别名:*IRFB9N65A
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 167W(Tc),
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 16A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 600V 16A(Tc) 167W(Tc) TO-3P
型号:
FCA16N60
仓库库存编号:
FCA16N60-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 167W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 6.6A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 800V 6.6A(Tc) 167W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP7N80
仓库库存编号:
FQP7N80-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 167W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 5.8A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 900V 5.8A(Tc) 167W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP6N90
仓库库存编号:
FQP6N90-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 167W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 16A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 600V 16A(Tc) 167W(Tc) TO-3PN
型号:
FCA16N60_F109
仓库库存编号:
FCA16N60_F109-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 167W(Tc),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 58A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 58A(Tc) 167W(Tc) D2PAK
型号:
NTB6412ANT4G
仓库库存编号:
NTB6412ANT4GOSCT-ND
别名:NTB6412ANT4GOSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 167W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 104A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 104A(Tc) 167W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL1104
仓库库存编号:
IRL1104-ND
别名:*IRL1104
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 167W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 80A(Tc) 167W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N03S2L-05
仓库库存编号:
SPB80N03S2L05INTR-ND
别名:SPB80N03S2L05INTR
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 167W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 104A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 104A(Tc) 167W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL1104PBF
仓库库存编号:
IRL1104PBF-ND
别名:*IRL1104PBF
SP001552524
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 167W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 80A(Tc) 167W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N03S2L05T
仓库库存编号:
SPB80N03S2L05T-ND
别名:SP000016255
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 167W(Tc),
无铅
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