产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Infineon Technologies (46)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 30A(Tc) 100W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD230N06NGBTMA1
仓库库存编号:
IPD230N06NGBTMA1TR-ND
别名:IPD230N06N G
IPD230N06N G-ND
IPD230N06NGXT
SP000204196
SP000450200
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 85V 53A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 85V 53A(Tc) 100W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP16CNE8N G
仓库库存编号:
IPP16CNE8N G-ND
别名:IPP16CNE8NGX
IPP16CNE8NGXK
SP000096470
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 30A(Tc) 100W(Tc) P-TO252-3
型号:
SPD30N06S2L-23
仓库库存编号:
SPD30N06S2L-23-ND
别名:SP000013127
SPD30N06S2L23T
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 53A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 53A(Tc) 100W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB16CN10N G
仓库库存编号:
IPB16CN10N G-ND
别名:SP000096452
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 73A(Tc) 100W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD096N08N3GBTMA1
仓库库存编号:
IPD096N08N3GBTMA1TR-ND
别名:IPD096N08N3 G
IPD096N08N3 G-ND
SP000474196
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 53A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 53A(Tc) 100W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD16CN10N G
仓库库存编号:
IPD16CN10N G-ND
别名:SP000096454
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 85V 53A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 85V 53A(Tc) 100W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD16CNE8N G
仓库库存编号:
IPD16CNE8N G-ND
别名:SP000096455
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 30A(Tc) 100W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD30N06S223ATMA1
仓库库存编号:
IPD30N06S223ATMA1TR-ND
别名:IPD30N06S2-23
IPD30N06S2-23-ND
SP000252166
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 70A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 80V 70A(Tc) 100W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI100N08N3GHKSA1
仓库库存编号:
IPI100N08N3GHKSA1-ND
别名:IPI100N08N3 G
IPI100N08N3 G-ND
SP000474192
SP000680710
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 53A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 53A(Tc) 100W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI16CN10N G
仓库库存编号:
IPI16CN10N G-ND
别名:SP000208930
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 85V 53A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 85V 53A(Tc) 100W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI16CNE8N G
仓库库存编号:
IPI16CNE8N G-ND
别名:SP000208931
SP000680720
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 40V 80A(Tc) 100W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI80N04S306AKSA1
仓库库存编号:
IPI80N04S306AKSA1-ND
别名:IPI80N04S3-06
IPI80N04S3-06-ND
SP000261237
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 54A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 54A(Tc) 100W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP16CN10LGXKSA1
仓库库存编号:
IPP16CN10LGXKSA1-ND
别名:IPP16CN10L G
IPP16CN10L G-ND
SP000308793
SP000680878
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 40V 80A(Tc) 100W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N04S306AKSA1
仓库库存编号:
IPP80N04S306AKSA1-ND
别名:IPP80N04S3-06
IPP80N04S3-06-ND
IPP80N04S306
SP000261233
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 50A TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 80V 50A(Tc) 100W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU103N08N3 G
仓库库存编号:
IPU103N08N3 G-ND
别名:SP000521640
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 100W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD30N03S2L10GBTMA1
仓库库存编号:
SPD30N03S2L10GBTMA1TR-ND
别名:SP000443918
SPD30N03S2L-10 G
SPD30N03S2L-10 G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 18A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 200V 18A(Tc) 100W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL4020PBF
仓库库存编号:
IRFSL4020PBF-ND
别名:SP001565208
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 70A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 70A(Tc) 100W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB097N08N3 G
仓库库存编号:
IPB097N08N3 GCT-ND
别名:IPB097N08N3 GCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 70A(Tc) 100W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD068P03L3GBTMA1
仓库库存编号:
IPD068P03L3GBTMA1CT-ND
别名:IPD068P03L3 GCT
IPD068P03L3 GCT-ND
IPD068P03L3GBTMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 250V 9.3A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 9.3A(Tc) 100W(Tc) DPAK
型号:
AUIRFR4292
仓库库存编号:
AUIRFR4292-ND
别名:SP001520304
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 30A(Tc) 100W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD30N06S2L23ATMA1
仓库库存编号:
IPD30N06S2L23ATMA1CT-ND
别名:IPD30N06S2L-23CT
IPD30N06S2L-23CT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
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