产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 73A
详细描述:表面贴装 N 沟道 73A(Tc) 100W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD096N08N3GATMA1
仓库库存编号:
IPD096N08N3GATMA1CT-ND
别名:IPD096N08N3GATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 100W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
IPC100N04S5L1R9ATMA1
仓库库存编号:
IPC100N04S5L1R9ATMA1CT-ND
别名:IPC100N04S5L1R9ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
N-CHANNEL_30/40V
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 100W(Tc) PG-TDSON-8-34
型号:
IPC100N04S51R9ATMA1
仓库库存编号:
IPC100N04S51R9ATMA1CT-ND
别名:IPC100N04S51R9ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 50A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 100W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB50N10S3L16ATMA1
仓库库存编号:
IPB50N10S3L16ATMA1CT-ND
别名:IPB50N10S3L-16INCT
IPB50N10S3L-16INCT-ND
IPB50N10S3L16ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 16.5A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 16.5A(Tc) 100W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP17P10
仓库库存编号:
FQP17P10-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.6A(Tc) 100W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
IXTY1R6N50D2
仓库库存编号:
IXTY1R6N50D2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 48A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 48A(Tc) 100W(Tc) TO-220
型号:
NDP6060
仓库库存编号:
NDP6060-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 1.6A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 1.6A(Tc) 100W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP1R6N50D2
仓库库存编号:
IXTP1R6N50D2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 9.7A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 9.7A(Ta) 100W(Tc) TO-220
型号:
TK10E60W,S1VX
仓库库存编号:
TK10E60WS1VX-ND
别名:TK10E60W,S1VX(S
TK10E60WS1VX
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET P-CH 30V 62A 8POWERFLAT
详细描述:表面贴装 P 沟道 62A(Tc) 100W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL62P3LLH6
仓库库存编号:
497-15481-1-ND
别名:497-15481-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 70A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 70A(Tc) 100W(Tc) TO-220
型号:
AOT462
仓库库存编号:
785-1147-5-ND
别名:785-1147-1
785-1147-1-ND
785-1147-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 120V 15A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 15A(Tc) 100W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP15P12
仓库库存编号:
FQP15P12-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 4.5A(Tc) 100W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP5N60NZ
仓库库存编号:
FDP5N60NZ-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 73A(Tc) 100W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP083N10N5AKSA1
仓库库存编号:
IPP083N10N5AKSA1-ND
别名:SP001226036
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 4.5A
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.5A(Tc) 100W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB5N60CTM_WS
仓库库存编号:
FQB5N60CTM_WSCT-ND
别名:FQB5N60CTM_WSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 29A TO-263AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 29A(Tc) 100W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
HUF76419S3ST_F085
仓库库存编号:
HUF76419S3ST_F085CT-ND
别名:HUF76419S3ST_F085CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 70A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 70A(Tc) 100W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP100N08N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPP100N08N3GXKSA1-ND
别名:IPP100N08N3 G
IPP100N08N3 G-ND
IPP100N08N3G
SP000680856
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Tc) 100W(Tc) DPAK
型号:
STD25NF10LA
仓库库存编号:
497-12552-1-ND
别名:497-12552-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 53A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 53A(Tc) 100W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP16CN10NGXKSA1
仓库库存编号:
IPP16CN10NGXKSA1-ND
别名:IPP16CN10N G
IPP16CN10N G-ND
IPP16CN10NG
IPP16CN10NGIN
IPP16CN10NGIN-ND
IPP16CN10NGX
IPP16CN10NGXK
SP000680880
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 100W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS4020TRLPBF
仓库库存编号:
IRFS4020TRLPBFCT-ND
别名:IRFS4020TRLPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
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STMicroelectronics
MOSFET P-CH 60V 42A 8POWERFLAT
详细描述:表面贴装 P 沟道 42A(Tc) 100W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL42P6LLF6
仓库库存编号:
497-15479-1-ND
别名:497-15479-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Tc) 100W(Tc) D-Pak
型号:
STD25NF10LT4
仓库库存编号:
497-3156-1-ND
别名:497-3156-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 11A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 100W(Tc) DPAK
型号:
STD12NM50ND
仓库库存编号:
497-10020-1-ND
别名:497-10020-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 60A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 100W(Tc) DPAK
型号:
STD60NF55LT4
仓库库存编号:
497-15669-1-ND
别名:497-15669-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Ta) 100W(Tc) DPAK+
型号:
TK100S04N1L,LQ
仓库库存编号:
TK100S04N1LLQCT-ND
别名:TK100S04N1LLQCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
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