产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Ta) 100W(Tc) LPTS
型号:
R5013ANJTL
仓库库存编号:
R5013ANJTL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta) 100W(Tc) LPTS
型号:
R6012ANJTL
仓库库存编号:
R6012ANJTL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 1.6A(Tc) 100W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP1R6N100D2
仓库库存编号:
IXTP1R6N100D2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 1.6A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.6A(Tc) 100W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA1R6N100D2
仓库库存编号:
IXTA1R6N100D2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 1.6A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.6A(Tc) 100W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA1R6N50D2
仓库库存编号:
IXTA1R6N50D2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Ta) 100W(Tc) LPTS
型号:
R5016ANJTL
仓库库存编号:
R5016ANJTL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Tc) 100W(Tc) LPTS
型号:
R6015ANJTL
仓库库存编号:
R6015ANJTL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 24V 80A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 100W(Tc) D-Pak
型号:
STD95NH02LT4
仓库库存编号:
497-4105-1-ND
别名:497-4105-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Tc) 100W(Tc) LPTS
型号:
R5021ANJTL
仓库库存编号:
R5021ANJTL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Ta) 100W(Tc) LPTS
型号:
R6018ANJTL
仓库库存编号:
R6018ANJTL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 2A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 2A(Tc) 100W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP2N100
仓库库存编号:
IXTP2N100-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 2A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 2A(Tc) 100W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA2N100
仓库库存编号:
IXTA2N100-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta) 100W(Tc) LPTS
型号:
R6020ANJTL
仓库库存编号:
R6020ANJTL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 3.6A(Tc) 100W(Tc) TO-220AB
型号:
IXFP3N80
仓库库存编号:
IXFP3N80-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 2.5A(Ta) 100W(Tc) TO-3P
型号:
2SK1317-E
仓库库存编号:
2SK1317-E-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.6A(Tc) 100W(Tc) TO-263(IXFA)
型号:
IXFA3N80
仓库库存编号:
IXFA3N80-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 100W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD30N03S2L10ATMA1
仓库库存编号:
IPD30N03S2L10ATMA1TR-ND
别名:IPD30N03S2L-10
IPD30N03S2L-10-ND
SP000254465
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 30A(Tc) 100W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD30N06S223ATMA2
仓库库存编号:
IPD30N06S223ATMA2-ND
别名:SP001061722
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 90A(Tc) 100W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD80N04S3-06
仓库库存编号:
IPD80N04S306ATMA1CT-ND
别名:IPD80N04S3-06CT
IPD80N04S3-06CT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 50A(Tc) 100W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD50N10S3L16ATMA1
仓库库存编号:
IPD50N10S3L16ATMA1CT-ND
别名:IPD50N10S3L-16CT
IPD50N10S3L-16CT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 80A(Tc) 100W(Tc) PG-TDSON-8-23
型号:
IPC80N04S403ATMA1
仓库库存编号:
IPC80N04S403ATMA1-ND
别名:SP001138828
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 80A(Tc) 100W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N04S3-06
仓库库存编号:
IPB80N04S306ATMA1CT-ND
别名:IPB80N04S3-06CT
IPB80N04S3-06CT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 250V 9.3A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 9.3A(Tc) 100W(Tc) DPAK
型号:
AUIRFR4292TRL
仓库库存编号:
AUIRFR4292TRLTR-ND
别名:AUIRFR4292TRLTR
SP001520520
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 100V 53A(Tc) 100W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP16CN10NGHKSA1
仓库库存编号:
IPP16CN10NGHKSA1-ND
别名:SP000096469
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 250V 9.3A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 250V 9.3A(Tc) 100W(Tc) I-Pak
型号:
AUIRFU4292
仓库库存编号:
AUIRFU4292-ND
别名:SP001519718
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
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