产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 200V 40A LDPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 40A(Ta) 100W(Tc) 4-LDPAK
型号:
RJK2006DPE-00#J3
仓库库存编号:
RJK2006DPE-00#J3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 400V 17A LDPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 17A(Ta) 100W(Tc) 4-LDPAK
型号:
RJK4013DPE-00#J3
仓库库存编号:
RJK4013DPE-00#J3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 450V 14A LDPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 450V 14A(Ta) 100W(Tc) 4-LDPAK
型号:
RJK4512DPE-00#J3
仓库库存编号:
RJK4512DPE-00#J3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 500V 12A LDPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 12A(Ta) 100W(Tc) 4-LDPAK
型号:
RJK5012DPE-00#J3
仓库库存编号:
RJK5012DPE-00#J3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 500V 14A LDPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 14A(Ta) 100W(Tc) 4-LDPAK
型号:
RJK5013DPE-00#J3
仓库库存编号:
RJK5013DPE-00#J3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 11A LDPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 11A(Ta) 100W(Tc) 4-LDPAK
型号:
RJK6013DPE-00#J3
仓库库存编号:
RJK6013DPE-00#J3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 500V 12A LDPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 12A(Ta) 100W(Tc) 4-LDPAK
型号:
RJL5012DPE-00#J3
仓库库存编号:
RJL5012DPE-00#J3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 10A LDPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 10A(Ta) 100W(Tc) 4-LDPAK
型号:
RJL6012DPE-00#J3
仓库库存编号:
RJL6012DPE-00#J3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 11A LDPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 11A(Ta) 100W(Tc) 4-LDPAK
型号:
RJL6013DPE-00#J3
仓库库存编号:
RJL6013DPE-00#J3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 100V LDPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 75A(Ta) 100W(Tc) 4-LDPAK
型号:
H7N1002LS-E
仓库库存编号:
H7N1002LS-E-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 100V LDPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 75A(Ta) 100W(Tc) 4-LDPAK
型号:
H7N1002LSTL-E
仓库库存编号:
H7N1002LSTL-E-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 60V 85A LDPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 85A(Ta) 100W(Tc) 4-LDPAK
型号:
RJK0629DPE-00#J3
仓库库存编号:
RJK0629DPE-00#J3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 800V 3.6A(Tc) 100W(Tc) TO-220AB
型号:
BUZ80A
仓库库存编号:
BUZ80AIN-ND
别名:BUZ80AIN
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 100W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD30N03S2L-10
仓库库存编号:
SPD30N03S2L10INCT-ND
别名:SPD30N03S2L10
SPD30N03S2L10INCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
含铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 23A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 23A(Tc) 100W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF540,127
仓库库存编号:
568-1160-5-ND
别名:568-1160-5
934055542127
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 100W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD30N03S2L10T
仓库库存编号:
SPD30N03S2L10T-ND
别名:SP000016254
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 23A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 23A(Tc) 100W(Tc) DPAK
型号:
PHD23NQ10T,118
仓库库存编号:
PHD23NQ10T,118-ND
别名:934055697118
PHD23NQ10T /T3
PHD23NQ10T /T3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 37A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 37A(Tc) 100W(Tc) DPAK
型号:
PHD37N06LT,118
仓库库存编号:
PHD37N06LT,118-ND
别名:934055350118
PHD37N06LT /T3
PHD37N06LT /T3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 30A(Tc) 100W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD230N06NGBTMA1
仓库库存编号:
IPD230N06NGBTMA1TR-ND
别名:IPD230N06N G
IPD230N06N G-ND
IPD230N06NGXT
SP000204196
SP000450200
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 85V 53A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 85V 53A(Tc) 100W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP16CNE8N G
仓库库存编号:
IPP16CNE8N G-ND
别名:IPP16CNE8NGX
IPP16CNE8NGXK
SP000096470
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 30A(Tc) 100W(Tc) P-TO252-3
型号:
SPD30N06S2L-23
仓库库存编号:
SPD30N06S2L-23-ND
别名:SP000013127
SPD30N06S2L23T
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 53A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 53A(Tc) 100W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB16CN10N G
仓库库存编号:
IPB16CN10N G-ND
别名:SP000096452
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 73A(Tc) 100W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD096N08N3GBTMA1
仓库库存编号:
IPD096N08N3GBTMA1TR-ND
别名:IPD096N08N3 G
IPD096N08N3 G-ND
SP000474196
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 53A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 53A(Tc) 100W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD16CN10N G
仓库库存编号:
IPD16CN10N G-ND
别名:SP000096454
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 85V 53A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 85V 53A(Tc) 100W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD16CNE8N G
仓库库存编号:
IPD16CNE8N G-ND
别名:SP000096455
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 100W(Tc),
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