产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 160W(Tc),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET,MOSFET - 单
筛选品牌
Infineon Technologies (20)
IXYS (5)
Nexperia USA Inc. (1)
Fairchild/ON Semiconductor (21)
STMicroelectronics (59)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 8A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Tc) 160W(Tc) D2PAK
型号:
STB9NK90Z
仓库库存编号:
497-7955-1-ND
别名:497-7955-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 160W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 19A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 19A(Tc) 160W(Tc) D2PAK
型号:
STB24NM65N
仓库库存编号:
497-7002-1-ND
别名:497-7002-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 160W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Tc) 160W(Tc) D2PAK
型号:
STB27NM60ND
仓库库存编号:
STB27NM60ND-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 160W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 11A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 160W(Tc) TO-220AB
型号:
STP11NM60FD
仓库库存编号:
497-3180-5-ND
别名:497-3180-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 160W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 21A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 21A(Tc) 160W(Tc) TO-247-3
型号:
STW27NM60ND
仓库库存编号:
497-10086-5-ND
别名:497-10086-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 160W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 22A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 22A(Tc) 160W(Tc) I2PAK
型号:
STB25NM50N-1
仓库库存编号:
497-5729-ND
别名:497-5729
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 160W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 156A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 19A(Ta),156A(Tc) 160W(Tc) TO-220AB
型号:
FDP8870
仓库库存编号:
FDP8870-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 160W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 60V 110A(Tc) 160W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL7540PBF
仓库库存编号:
IRFSL7540PBF-ND
别名:SP001557648
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 160W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N CH 55V 69A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 69A(Tc) 160W(Tc) TO-220AB
型号:
AUIRFZ48N
仓库库存编号:
AUIRFZ48N-ND
别名:SP001518286
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 160W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 16A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 560V 16A(Tc) 160W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB16N50C3
仓库库存编号:
SPB16N50C3INCT-ND
别名:SPB16N50C3INCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 160W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 59A(Tc) 160W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRF3710ZSTRL
仓库库存编号:
AUIRF3710ZSTRL-ND
别名:SP001519476
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 160W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 21A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 21A(Tc) 160W(Tc) TO-247-3
型号:
STW25NM60N
仓库库存编号:
497-5025-5-ND
别名:497-5025-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 160W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 19A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 19A(Tc) 160W(Tc) TO-220AB
型号:
STP24NM65N
仓库库存编号:
497-7026-5-ND
别名:497-7026-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 160W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 40A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 200V 40A(Tc) 160W(Tc) TO-247-3
型号:
STW40N20
仓库库存编号:
497-4427-5-ND
别名:497-4427-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 160W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 40A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 200V 40A(Tc) 160W(Tc) TO-220AB
型号:
STP40N20
仓库库存编号:
497-4380-5-ND
别名:497-4380-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 160W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 22A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 500V 22A(Tc) 160W(Tc) TO-220AB
型号:
STP25NM50N
仓库库存编号:
497-4672-5-ND
别名:497-4672-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 160W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 22A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 22A(Tc) 160W(Tc) TO-247-3
型号:
STW25NM50N
仓库库存编号:
497-4675-5-ND
别名:497-4675-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 160W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 40A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 40A(Tc) 160W(Tc) D2PAK
型号:
STB40N20
仓库库存编号:
497-4765-1-ND
别名:497-4765-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 160W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 21A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 21A(Tc) 160W(Tc) TO-220AB
型号:
STP25NM60N
仓库库存编号:
497-5020-5-ND
别名:497-5020-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 160W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 21A(Tc) 160W(Tc) D2PAK
型号:
STB25NM60N
仓库库存编号:
497-5003-1-ND
别名:497-5003-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 160W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 11A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 650V 11A(Tc) 160W(Tc) I2PAK
型号:
STB11NM60-1
仓库库存编号:
497-5379-5-ND
别名:497-5379-5
STB11NM60-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 160W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 14A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 14A(Tc) 160W(Tc) D2PAK
型号:
STB15NK50ZT4
仓库库存编号:
STB15NK50ZT4-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 160W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 12A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 500V 12A(Tc) 160W(Tc) TO-220AB
型号:
STP12NM50FD
仓库库存编号:
STP12NM50FD-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 160W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 13.5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 13.5A(Tc) 160W(Tc) TO-220AB
型号:
STP14NK60Z
仓库库存编号:
STP14NK60Z-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 160W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 13.5A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 13.5A(Tc) 160W(Tc) TO-247-3
型号:
STW14NK60Z
仓库库存编号:
STW14NK60Z-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 160W(Tc),
无铅
搜索
1
2
3
4
5
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号